SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù).
基本簡介
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部
2010-08-02 11:17:20
4866 
同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新
2010-09-11 17:57:541432 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461091 
從三個(gè)層面認(rèn)識SRAM存儲器
2021-01-05 07:09:10
SRAM讀數(shù)據(jù)將信息顯示在LCD屏上代碼介紹main函數(shù)代碼描述int main(void){uint16_t i;/* 初始化系統(tǒng)時(shí)鐘 */system_clock_config();/* 初始化中斷
2022-05-27 19:52:05
大牛們：
??????????? 1）c6678的Memory map 中 0x00800000-0x0087FFF是Local L2 SRAM 以及其后的Local L1P SRAM 和L1D
2018-06-21 16:13:08
本人從沒用過stm32外擴(kuò)SRAM,但是由于內(nèi)存不夠，想外擴(kuò)塊SRAM,但是這里的的硬件工程師為了省錢，外擴(kuò)了個(gè)型號為23LC1024的SPI接口SRAM,我本來內(nèi)存中想直接存放AD邊采樣邊通過
2018-11-16 08:41:49
STM32F103ZET6 自帶了 64K 字節(jié)的 SRAM，對一般應(yīng)用來說，已經(jīng)足夠了，不過在一些對內(nèi)存要求高的場合，STM32 自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能
2018-07-02 07:20:15
嗨，使用SRAM讀取數(shù)據(jù)時(shí)遇到問題，SRAM通過EMIFA接口連接到FPGA。 FPGA和DSP通過EMIFA連接，SRAM CY7C1069連接到FPGA。問題是DSP可以在開始時(shí)正確讀取數(shù)據(jù)。但
2020-04-08 09:48:14
有個(gè)關(guān)于stm32用FSMC讀寫SRAM的任務(wù)，看了一點(diǎn)資料后，還是有點(diǎn)不明白的地方。現(xiàn)在假設(shè)我已經(jīng)調(diào)用FSMC_SRAM_Init()初始化完成了。現(xiàn)在我的問題是，怎樣使用外部SRAM呢？是不是
2015-11-26 18:55:51
首先來看一下并口和串口的區(qū)別： 引腳的區(qū)別： 串口SRAM（或其它存儲器）通常有如下的示意圖： 串口SRAM引腳 引腳只有SCK，CS#，SI，SO，HOLDB，VCC，VSS不到8
2020-12-10 16:42:13
這里寫自定義目錄標(biāo)題(一)為什么要擴(kuò)展外部SRAM(二)什么是SRAM簡介 存儲器型號 容量 原理框圖 引腳配置 通訊方式 讀寫特性 讀取數(shù)據(jù)時(shí)序圖 讀取數(shù)據(jù)的時(shí)序要求 寫入數(shù)據(jù)時(shí)序圖 寫入數(shù)據(jù)
2021-08-05 08:22:50
1、第一個(gè)圖中的由CPLD傳來的信號存儲到SRAM中，但是SRAM之后沒有連接別的芯片，信號一直待在存儲器里嗎，這個(gè)SRAM存儲器有什么用？。2、第二個(gè)圖中的SRAM存儲器連接在CPLD和USB芯片之間，起到信號暫存的作用，很好理解。兩種CPLD和SRAM的連接方式有什么區(qū)別？求解答謝謝大佬們
2020-04-01 17:45:39
第27章 STM32H7的TCM，SRAM等五塊內(nèi)存的動態(tài)內(nèi)存分配實(shí)現(xiàn)本章教程為大家分享一種DTCM，SRAM1，SRAM2，SRAM3和SRAM4可以獨(dú)立管理的動態(tài)內(nèi)存管理方案，在實(shí)際項(xiàng)目中有一定的實(shí)用價(jià)值，比如MP3編解...
2021-08-03 06:06:47
SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù),因此SRAM具有較高的性能.宇芯電子專注提供
2020-07-09 14:38:57
而產(chǎn)生的總體效果，早在1965年，摩爾定律就預(yù)測了電路越來越小的趨勢，但是這個(gè)趨勢并不是發(fā)生在所有類型的產(chǎn)品電路中，例如，邏輯電路比SRAM的電路變小了很多倍，所以新產(chǎn)生的問題是嵌入式SRAM開始占據(jù)
2017-10-19 10:51:42
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
sram是靠什么存儲信息
2021-01-20 07:16:16
首先來看一下并口和串口的區(qū)別：引腳的區(qū)別： 串口SRAM（或其它存儲器）通常有如下的示意圖： 串口SRAM引腳引腳只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8個(gè)，一般遵循SPI
2020-06-17 16:26:14
SRAM用于什么？有些微控制器的RAM比其他的多？你是有意進(jìn)入還是…… 以上來自于百度翻譯 以下為原文 What is SRAM used for? Some microcontrollers
2018-10-11 08:43:51
U630H64內(nèi)含反相映射的 8k 字節(jié) SRAM 和 8k 字節(jié) EEPROM ,通過命令可以將SRAM 中的數(shù)據(jù)寫入 EEPROM 或把 EEPROM 中的數(shù)據(jù)回送至 SRAM , 以備斷電時(shí)的數(shù)據(jù)保護(hù)。該芯片所采用保護(hù)數(shù)據(jù)的方法是除
2009-04-25 13:33:00
33 Synchronous static RAM (SRAM) architectures support the highthroughput requirements
2009-11-23 15:32:5413 SRAM 故障模型的檢測方法與應(yīng)用馮軍宏 簡維廷 劉云海（中芯國際品質(zhì)與可靠性中心, 上海,201203 ）摘 要： 靜態(tài)隨機(jī)存儲器（Static Random Access Memory, SRAM）的功能測試用來檢測
2009-12-15 15:07:4644 SRAM的簡單的讀寫操作教程
SRAM的讀寫時(shí)序比較簡單，作為異步時(shí)序設(shè)備，SRAM對于時(shí)鐘同步的要求不高，可以在低速下運(yùn)行，下面就介紹SRAM的一次讀寫操作，在
2010-02-08 16:52:39140 3s400 sram程序
2010-02-09 09:52:4913 sram電路圖
2008-10-14 09:55:333432 
新一代NV SRAM技術(shù)
第一代NV SRAM模塊問世近20年來，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53901 
Abstract: The MAXQ-based microcontroller uses data pointers to read and write to SRAM
2009-04-23 17:19:051286 基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決
2009-06-20 11:05:37845 
SRAM的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:28:242920 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479 SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲矩陣（又稱存儲體）、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲矩陣是存儲
2010-03-24 16:28:393895 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
嵌入式SRAM 是最常用的一種，其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)的六管單元(6T)SRAM 對于邏輯工藝有著很好的兼容性。
2011-03-04 09:58:162011 
同步突發(fā)式SRAM的內(nèi)部框圖如圖所示，它與同步管道突發(fā)式SRAM基本相同，不同之處只是在輸出緩沖器中沒有配置鎖存器。
2011-05-30 11:01:391457 
設(shè)計(jì)了一種靜態(tài)隨機(jī)讀寫存儲器( SRAM ) 的B iCMOS 存儲單元及其外圍電路。HSp ice仿真結(jié)果表明, 所設(shè)計(jì)的SRAM 電路的電源電壓可低于3 V 以下, 它既保留了CMOS SRAM 低功靜態(tài)存儲器和便攜式數(shù)
2011-08-18 17:35:0132 STM32單片機(jī)上的SRAM 中的數(shù)據(jù)丟失
2015-11-25 14:49:270 ISSI-SRAM選型,有需要的下來看看。
2016-12-11 21:39:2636 基于TDICE單元的SRAM抗SEU加固設(shè)計(jì)_孫敬
2017-01-07 18:39:171 基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)
2017-01-19 21:22:5415 stm32的外設(shè)SRAM
2017-08-04 15:22:3318 SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
2017-10-10 08:58:4211 SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)（2.5 周期讀延遲
2017-10-10 09:00:5116 sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
2017-11-03 18:17:562668 SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時(shí)給與補(bǔ)充，所以動態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度
2017-11-03 18:26:435231 3.2.3 SRAM文件匯總
2018-04-10 10:08:2713 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能
2018-05-30 07:18:0019347 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4232437 SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:479614 外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲器也有很多種類。對于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234 外部SRAM注意事項(xiàng) 為使外部SRAM器件達(dá)到出最佳性能，建議遵循以下原則： 使用與連接的主系統(tǒng)控制器的接口數(shù)據(jù)帶寬相同的SRAM。 如果管腳使用或板上空間的限制高于系統(tǒng)性能要求，可以使用較連接
2020-04-03 15:58:441088 SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多
2020-04-28 14:16:361185 半導(dǎo)體存儲器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲信息,而半導(dǎo)體存儲器DRAM則是靠電容存儲，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管
2020-05-10 10:10:547053 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對
2020-05-26 14:17:231428 
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng)，力求節(jié)約能源，因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化，SRAM要求低電壓供電。因而近年來研究低電壓供電技術(shù)活動十分活躍。在高速
2020-05-27 15:40:27790 SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲器。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則就會出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會消失，因此SRAM存儲器具有較高的性能。SRAM雖然只是存儲器
2020-06-22 13:36:091116 SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個(gè)改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns
2020-06-29 15:40:1212300 
SRAM六管結(jié)構(gòu)的工作原理
2020-07-15 17:00:1444914 
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM存儲器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高
2020-07-16 14:07:445228 
普通的存儲器器件為單端口，也就是數(shù)據(jù)的輸入輸出只利用一個(gè)端口，設(shè)計(jì)了兩個(gè)輸入輸出端口的就是雙端口sram。雖然還具有擴(kuò)展系列的4端口sram，但雙端口sram已經(jīng)非常不錯了。雙端口sram經(jīng)常應(yīng)用于
2020-07-23 13:45:021927 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲器存儲器（SRAM）是隨機(jī)存儲器存儲器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對性下，動態(tài)性隨機(jī)存儲器存儲器（DRAM）里邊所存
2020-08-10 16:43:2413590 SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應(yīng)管組成一個(gè)存儲bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0018044 
SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM功耗取決于它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM
2020-09-19 09:43:502563 SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)，因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快
2020-09-19 11:42:256552 嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性，隨著系統(tǒng)吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:413473 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，F(xiàn)LASH MEMORY。這里討論
2021-01-11 16:44:201714 前言：MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-10-25 13:36:0914 自2016年智能穿戴新興行業(yè)的崛起及火爆程度,一度將所有有關(guān)于智能穿戴產(chǎn)品中的零件推進(jìn)了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存儲器中，SRAM是用作外部高速緩存的首選對象.原因在于它與
2021-10-28 16:17:171102 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SRAM在MCU中的作用.pdf》資料免費(fèi)下載
2021-11-16 09:21:0430 STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強(qiáng)型系列,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM) ,豐富的外設(shè)資源足以滿足大部分的一般應(yīng)用,但對
2021-11-26 19:51:0618 隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512 SRAM不存在刷新的問題。一個(gè)SRAM基本存儲單元融個(gè)晶體管和兩個(gè)電阻器構(gòu)成,它并不利用電容器來存儲數(shù)據(jù)，而是通過切換晶體管的狀態(tài)來實(shí)現(xiàn)...
2022-01-25 19:54:222 當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...
2022-02-07 12:37:562 FRAM與SRAM的比較。 并口FRAM vs SRAM 具有并行接口的FRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。通過用FRAM代替SRAM，客戶可以期望以下優(yōu)勢。 1、降低總成本 使用SRAM的系統(tǒng)需要持續(xù)檢查電池狀態(tài)。如果用FRAM替換后，客戶可以從維護(hù)電池檢查的負(fù)擔(dān)中解放出來。
2022-03-15 15:43:44741 靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲器存儲器（SRAM）是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲存它內(nèi)部儲存的數(shù)據(jù)信息。SRAM具備較高的特性。SRAM顯而易見速度
2022-04-18 17:37:331840 平面到FinFET的過渡對SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對更大的片上SRAM容量的需求不斷增長，這樣做的時(shí)機(jī)不會更糟。離SRAM將主導(dǎo)DSA處理器大小的局面并不遙遠(yuǎn)。
2022-11-24 16:07:13713 
AN035 從SRAM中啟動程序
2023-02-27 18:19:482 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51589 
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:406 本期開發(fā)筆記由費(fèi)神編寫主要會為大家介紹HPM6000系列的各類片上SRAM并結(jié)合SeggerEmbeddedStudio的linker文件介紹，提供了如何使用這些SRAM的建議，趕快來了解吧~簡介
2022-09-19 11:02:111092 
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM
2023-09-18 16:29:50922 
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39501 如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16190 
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