與中端千元機在閃存上拉開了較大差距，UFS 2.2的出現(xiàn)將有助于改善這一現(xiàn)狀。 相比UFS 2.1，UFS 2.2最大的特點是加入了WriteBooster寫入加速，而寫入速度的提升可以帶來應用更快的啟動
2020-08-22 08:55:00
11655 所謂閃存事件是指由于有網(wǎng)友測試華為P10閃存讀寫速度有低檔為300MB/s左右，中檔為600MB/s左右，高檔為800MB/s三檔，后猜測華為P10內存有EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三種使用情況。
2017-05-18 06:00:003484 寫入速度是之前的512GB eUFS 3.0的三倍，達到每秒1200 MB。三星表示，與使用固態(tài)硬盤或MicroSD卡的傳統(tǒng)個人電腦相比，這將大大加快智能手機的數(shù)據(jù)傳輸速度。新一代閃存的串行讀取速度
2020-03-18 11:33:374512 全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存，可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1MB的片上SRAM。
2020-04-08 08:03:001897 對于 MB96F346RSBPMC，我不知道如何向閃存讀取/寫入數(shù)據(jù)。
有人可以指定用于讀/寫編程的編程引腳和接口嗎？
2024-01-19 06:27:39
可達800MB/s，寫入速度最高可達550MB/s?汽車質量和可靠性：具有先進的存儲管理固件和硬件，包括ECC，符合JEDEC47，ISO26262和AEC-Q100 3級和2級標準?為OEM提供擴展
2022-02-02 08:17:42
，符合UFS 2.1協(xié)議規(guī)范，及西部數(shù)據(jù)iNAND SmartSLC 5.1架構，可提供高達550MB/s的連續(xù)寫入性能，尺寸大小為11.5x13x1.0mm，能夠為智能手機、平板電腦和PC筆記本電腦
2022-02-02 08:45:13
S25FL064LABBHA020閃存S25FL064LABBHV020西部數(shù)據(jù)宣布率先基于UFS 3.1規(guī)范協(xié)議推出iNAND MC EU521嵌入式閃存產(chǎn)品，新增多項功能，并進一步提高速度、容量
2022-01-28 15:23:27
的連續(xù)寫入速度和4K IOPS的隨機寫入速度，西部數(shù)據(jù)新的8521系列EFD利用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技術提供加倍的連續(xù)寫入速度（達500MB/s），以及最高可達10倍的隨機寫入速度
2022-02-03 11:32:41
Generation 6，助力寫入速度高達750MB/s，可在3.6秒內完成2小時的電影下載，連續(xù)讀取速度幾乎是其前代產(chǎn)品的兩倍。2019年5G爆發(fā)，2月21日三星已率先發(fā)布了Galaxy S10 5G手機
2022-02-01 22:50:14
如何避免套路，幫助大家選擇到適合自己的手機？UFS2.1比UFS2.0快？實際上真是如此嗎？
2021-06-18 06:27:23
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
總的來說，UFS3.0的綜合性能，特別是持續(xù)讀寫速度有著秒殺UFS2.1前輩的表現(xiàn)，只是在隨機讀寫和SQLite性能上，卻依舊和雙通道的UFS2.1持平，有些小遺憾。最后，咱們再來科普一下eMMC
2021-07-22 07:17:09
ufs3.1和ufs2.1區(qū)別是什么？ufs3.0和ufs3.1區(qū)別是什么？
2021-06-18 08:00:29
編輯-ZMB6S在MBS-4 (SOP-4)封裝里采用的4個芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小方橋、貼片整流橋堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍為
2021-11-06 15:17:29
編輯-ZASEMI整流橋MB10S參數(shù)：型號：MB10S最大重復峰值反向電壓（VRRM）：1000V最大有效值電壓（VRMS）：700V最大直流阻斷電壓（VDC）：1000V最大平均正向輸出整流
2022-01-20 16:40:49
編輯-ZASEMI整流橋MB6S參數(shù)：型號：MB6S最大重復峰值反向電壓（VRRM）：600V最大RMS電橋輸入電壓（VRMS）：420V最大直流阻斷電壓（VDC）：600V最大平均正向整流輸出電流
2022-01-10 17:14:03
。性能方面，這兩款型號的硬盤的持續(xù)讀取速度最高可達540MB/s，寫入速度最高可達520MB/s。此外，F(xiàn)ixstars表示兩款硬盤內置溫度控制系統(tǒng)，監(jiān)控硬盤運轉的溫度，從而避免溫度過高損壞硬盤。價格
2016-01-15 16:35:19
手機參數(shù)為什么都是8GB+128GB？手機的這些參數(shù)是越大越好嗎？這些數(shù)字代表什么？LPDDR4X是什么？UFS2.1又是什么？LPDDR4X與UFS2.1有什么差別？
2021-06-18 07:54:29
22MB/s 的寫入速度，以 HS200 運行。然而，將一個 8MB 的文件發(fā)送到 eMMC，它被分成 16 個 512kB 的數(shù)據(jù)包，寫入速度約為 12.5MB/s（每個 512kB 需要 40ms
2023-03-16 08:55:58
測試出來才到0.5MB/S的速率。芯片自帶的測試程序可以測的速度7MB/S，和理論速度差不多。求問，VISA中有沒有更高級的讀取方法以提高讀取速度？已解決！方法見后面回復。
2015-09-08 18:21:30
, 18.5 MB/s測試完成發(fā)現(xiàn)讀速度只有200mb/s 寫入速度是18.5mb/s寫入的速度太慢了，我又使用了bonnie++去測試發(fā)現(xiàn)速度更慢寫入23mb/s 讀取138mb/sVersion
2022-07-12 16:50:24
全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開發(fā)和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
臺標稱高速機器2.0實測的：SLC 約27~35MB/S，3.0接口下寫160~199MB/S閃存:雙通道閃存是原裝全新INTEL DDR SLC， 大部分是0壞塊和11年周期。量產(chǎn)功能:可以量產(chǎn)
2012-06-16 10:09:48
？1 如果是接口速度：實際上400MB/S2 如果是移動硬盤速度：現(xiàn)階段設備實際寫入110M/S左右，讀取130M/S實例問題：u***3.0 傳輸速度為什么超慢？問：我買了一個希捷睿品2.5寸
2012-12-02 16:41:07
與 UFS 速度比較:eMMC 目前spec. 已進版至 eMMC5.1 , 理想速度達到 400 ~ 600MB/sUFS 目前為UFS2.1 , 理想速度已達 1200MB/s以傳輸速度來說
2019-09-18 09:05:14
。之前emmc幾乎統(tǒng)治了移動市場，這一標準從emmc4.3一路發(fā)展到現(xiàn)在的5.1，傳輸速度也從50MB/S一路狂飆600MB/S的速度。后來更強大的ufs就登場了，同樣都是閃存芯片，讀寫速度確高不少，ufs2.0理論速度達到780MB/S、UFS 2.1更是高達1.5GB/S。UFS協(xié)議雖然是三星主
2021-07-22 09:07:47
上是天價了！如果搭配一部低端普通的手機使用，簡直就是“門不當戶不對”嘛！那這么高端昂貴的存儲卡到底有何特殊之處呢？據(jù)三星官方解釋道，該存儲卡的讀取傳輸速度最快可達95MB/s，寫入傳輸速度最高可達
2015-12-16 11:31:26
什么是閃存？eMMC和UFS之間的區(qū)別在哪里？UFS2.0和2.1之間有何不同？
2021-06-18 09:20:44
使用AD2S1210并行讀取角度和速度，在普通模式下讀取位置和速度，出現(xiàn)如下問題：
1.位置讀取完全正確，在電機不轉時，速度寄存器的值卻在-1和768之間跳變。
請問這是怎么回事，位置讀取正確，速度卻出現(xiàn)問題？
2023-11-20 07:14:18
的eMMC默認運行于HS200 模式，工作位寬為8。下面簡單測試eMMC的讀寫速度，這里我們以讀寫ext4 文件系統(tǒng)為例。寫入測試：讀取測試：通過以上可以看到，eMMC的寫入速度為67.1MB/s
2022-06-14 10:38:02
，因此實際接口帶寬為23.2Gbps，可換算為2.9GB/s。并且電壓也比前代UFS2.1更低，對降低設備的功耗和發(fā)熱有著強大效果，實現(xiàn)了性能再翻倍！那么，UFS3.0有什么用呢？最直觀的便是采用
2019-11-26 11:21:07
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 09:26 編輯
大家好。我們用L138，ARM側linux寫入ssd，測試速度只有不到2MB/s(100MB/64s)，可能是什么原因？讀取
2018-06-21 17:23:22
C6748NAND FLASH讀寫速度能達到多少呢？我測得寫入速度4.5MB/S左右，有點慢，請問這是正常速度嗎？
2019-09-10 10:05:42
當我嘗試將文件加載到 28 MB 的 spiffs 分區(qū)時，只有 16 MB 閃存被訪問，之后它拋出錯誤提示“文件寫入失敗”，所以請告訴我如何使用總共 32MB 閃存？
2023-03-01 07:05:25
Spansion LLC近日推出64Mb串行外設接口(SPI)器件樣品，作為其串行閃存系列產(chǎn)品之一。通過該器件，設計人員可以將此低成本簡化接口收益帶給如打印機這
2006-03-13 13:03:08791 閃存卡的存取速度 存取速度是指閃存卡在被寫入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)時的數(shù)據(jù)傳輸速度。不同類型的閃存卡采用
2010-01-09 15:03:29973 新型SDHC UHS-I存儲卡是全世界首款完全符合SD 3.0--UHS104標準的存儲卡，其將NAND閃存卡超快的讀取和寫入速度提升到了一個新臺階：最大讀取速度達每秒95MB，寫入速度達每秒80MB
2010-09-13 08:52:124037 Spansion近日日宣布推出讀取速度達66MB/s的65nm FL-S NOR 閃存 系列，存儲密度為128Mb至1Gb。與目前市場上的同類競爭方案相比，F(xiàn)L-S系列的DDR讀取速度提高了20%，編程速度快了3倍，擦除速度快
2011-09-29 09:22:391676 
閃存設備制造商Centon日前推出了一款基于SandForce 2281主控的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，該產(chǎn)品被命名為Diamond VVS1。符合SATA III傳輸規(guī)范，擁有400MB/s的讀取速度和300MB/s的寫入速度。
2012-03-28 10:02:151435 Buffalo最近發(fā)布了HD-GDU3系列外置硬盤，竟然整合了多達1GB DRAM緩存，寫入速度也超過了驚人的400MB/s。
2013-02-28 14:09:403814 UFS存儲卡在多媒體資料傳輸上具有優(yōu)勢，其連續(xù)讀取速度可達每秒530MB，與SATA固態(tài)硬碟相當，是一般microSD卡的5倍，連續(xù)寫入速度則是高階microSD卡的2倍。以讀取5GB的Full HD電影時，UFS卡只要10秒，而microSD則需50秒。
2016-07-11 10:08:051412 華為Mate 9身上有很多亮點，雙曲面屏幕、麒麟960處理器、二代徠卡雙攝、4.5V/5A快充等等不一而足，在存儲方面其實也有個全球首發(fā)，那就是第一個用上了新一代UFS 2.1存儲技術。
2016-11-08 09:34:285728 
的，三星在推出使用MLC閃存高性能的960 PRO系列的同時還推出了采用TLC閃存的960 EVO系列，速度看起來也比現(xiàn)在的M.2產(chǎn)品強得多，價格也較平易近人，今天我們就來一睹三星960系列M.2 SSD的強大之處。
2017-02-10 17:05:014499 華為P10是近期發(fā)布的一款新款高端手機，在其發(fā)布后背網(wǎng)友測試發(fā)現(xiàn)其手機閃存讀寫速度有較大差異，最高可以達到800MB/s，最低則只有300MB/s，因此被質疑其可能將EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三種標準的閃存混著用。
2017-04-19 23:29:57941 昨晚測試了我手上的榮耀V9 6GB+128GB版本的閃存速度，結果意外的發(fā)現(xiàn)閃存速度772MB/s，這明顯非常高，也證實榮耀V9 6GB+128GB版本使用的是UFS2.1。
2017-04-23 11:11:1712274 
最近手機圈備受關注的一件事，就是華為P10閃存規(guī)格eMMC和UFS混用的問題！小米6發(fā)布會上，雷軍只字不提閃存規(guī)格的事，只在官網(wǎng)標注了UFS閃存，具體是2.0還是2.1成為了一個謎，但早期拿到工程機的大神測試，讀寫速度達到了UFS2.1的標準！
2017-04-26 09:34:4817512 
emmc5.1以及ufs2.0閃存是因為ufs2.1的產(chǎn)量問題之外，今日有媒體爆料三星將在國內市場上銷售的所有的S8系列都標配ufs2.1規(guī)格的閃存，根本不給大家抽獎的機會。
2017-05-04 10:21:353752 華為p10閃存門令不少國人唏噓，一款P10的閃存竟然分成了EMMC5.1，UFS2.0和UFS2.1三個版本，而三個版本閃存的速度分別為280MB/S，560MB/S，760MB/S三者差距之大，讓不少消費者感覺自己買虧了。
2017-05-04 10:26:093540 
正在華為被P10“閃存門”事件困擾得頭大之時，老對手三星又來補刀了。據(jù)多次曝光三星新品消息的微博博主“i冰宇宙”表示，國行S8/S8+將一律采用UFS2.1，不給你抽獎的機會。
2017-05-05 11:02:141283 近日閃存門可謂是愈演愈烈，而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當然之前三星之前就在閃存描述下面指出，“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗證，部分美版的Galaxy S8/S8+手機使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54551 
隨著UFS的普及，多數(shù)人可能更關心UFS2.0/UFS2.1之間的具體區(qū)別，下面小編就帶各位讀者一探究竟。
2017-05-09 15:21:309606 
華為P10閃存門事件是不少用戶發(fā)現(xiàn)自己的P10手機用的并不是最新版本的閃存UFS2.1，有的是UFS2.0，有的干脆是上一代閃存eMMC5.1，這三者的數(shù)據(jù)讀取速度分布是700MB/s，500MB
2017-05-10 11:16:2110891 華為閃存門什么意思？華為P10系列的閃存疑似采用MIC顆粒和TLC顆粒混用，造成不同手機閃存速度差異巨大，速度最差的竟然只有200MB/s只能達eMMC5.1的標準，與官方宣傳的UFS2.1的傳輸速度相差甚遠。
2017-05-12 16:04:142994 華為P10閃存門事件后，手機閃存規(guī)格的使用成為熱門關注對象。索尼官方表示，新旗艦Xperia XZ Premium將標配UFS2.1閃存。 5月17日，5月17日（明天），索尼將在北京正式發(fā)布
2017-05-16 14:26:314149 這是HTC對新旗艦U11的一個宣傳海報：全部都是UFS2.1閃存存儲，HTC U11玩轉暢快品質保證。
2017-05-23 15:05:291505 華為P10閃存混用事件絕對是今年手機圈的大事，其影響力不容小噓！小米6發(fā)布會上，雷軍沒有詳細介紹閃存規(guī)格，而且官網(wǎng)參數(shù)也只顯示UFS閃存。另外，三星也在旗艦機S8上混用閃存，并且國行版全部采用UFS 2.1版本！
2017-05-24 00:46:276184 了一個質疑華為P10的帖子“如何看待華為P10使用UFS2.1、UFS2.0和EMMC5.1三種不同規(guī)格閃存？”。帖子中稱，實際測試華為P10讀取速度有三個檔次，分別是700、500、250MB
2017-05-30 21:26:238215 
的eMMC閃存，性能有非常大的提高。然而在論壇和貼吧中，有用戶反映，華為P10采用不同級別不同規(guī)格的閃存芯片，疑似將UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1在P10手機上混用。華為P10用戶對閃存讀寫速度的測試：讀寫速率大概有300MB/s、500MB/s、800MB/s三檔。
2021-11-02 11:36:4414275 512GB和1TB的版本均采用TLC閃存，走PCIe 3.0 x4通道，最高連續(xù)讀取3200MB/s，最高寫入2400MB/s；4K隨機最寫入440K IOPS，最高讀取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:253326 據(jù)媒體Benchlife報道，知名主控廠商群聯(lián)電子已經(jīng)研制出了第二代UFS2.1主控，并且已經(jīng)通過了華為和高通的認證測試，這意味著這款閃存距離上市不遠了，而搭載麒麟處理器和高通處理器的產(chǎn)品，都能夠用上這塊閃存，會為手機帶來更好的系統(tǒng)流暢性，特別是在應用安裝、游戲讀寫等方面。
2017-11-17 15:33:553012 三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機存儲卡。
2017-12-05 14:21:281450 據(jù)報道最大容量512GB的microSD存儲卡終于開始發(fā)售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標準，滿足10MB/s寫入速度，可用于一般的電子移動設備。
2018-01-23 16:06:441378 UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機狀態(tài)。
2018-02-20 10:13:002688 儲器是新產(chǎn)品，普及還要一段時間，目前 3D TLC 快閃存儲器如何發(fā)展，依然是關鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲器首發(fā)，讀取
2018-07-26 18:01:002026 經(jīng)過測試，三星UFS存儲卡（1TB）的隨機讀取速度達到了126.4MB/s，順序讀取速度達到了510.82MB/s，表現(xiàn)遠遠超過了傳統(tǒng)MicroSD卡。
2019-09-10 15:01:002329 改善電池續(xù)航。Aura Pro X2 SSD 的最高讀取速度為 3200MB/s，寫入速度為 2400MB/s，最高容量為 2TB 版本。
2019-04-18 16:21:321972 
有外媒通過Blackmagic Disk Speed Test測試，2019款的MacBook Air可以達到1.3GB/s的讀取速度和1GB/s的寫入速度，而上一代的MacBook Air則可
2019-07-16 16:20:492577 驍龍855 Plus還支持UFS 3.0高速閃存。與UFS?2.1相比，UFS 3.0讀取速度提升67%，寫入速度提升31%，是目前行業(yè)最高存儲標準，經(jīng)過實際測試，UFS 3.0順序讀取達到
2019-09-04 13:21:00417 美光科技股份有限公司發(fā)布針對汽車應用的新型 UFS 2.1 托管型NAND 產(chǎn)品。該產(chǎn)品組合滿足了車載信息娛樂系統(tǒng)和儀表板對快速系統(tǒng)啟動和更高帶寬的需求，從而增強了駕駛體驗。Micron
2019-08-19 01:10:002921 采用UFS 3.0閃存的iQOO Neo 855版順序讀取速度可以達到1479MB/s，比UFS 2.1快90%，順序寫入速度更是提升160%.
2019-10-22 10:21:001928 2019進入第四季度手機圈突然活躍起來，一眾新品紛紛登場，其中不少是高性能代表作。而在主打性能表現(xiàn)的新旗艦中，除了搭載規(guī)格更高處理器之外，UFS 3.0閃存也逐漸成為標配，甚至可以說無UFS 3.0不旗艦。
2019-09-29 09:49:5577713 性能是否夠用與能否滿足用戶心理一直是兩個事情，畢竟任何人都會追求極致的性能體驗。首先，我們要弄清楚UFS2.1規(guī)格的讀寫速度是否能夠滿足5G網(wǎng)絡使用需求。
2019-10-14 15:45:466891 Pmod SF3通過使用Micron的NOR閃存（N25Q256A）為用戶提供32MB的外接非易失性存儲器。通過使用SPI協(xié)議，用戶可以對閃存進行寫入和讀取。
產(chǎn)品特點：
2019-11-28 14:32:401127 
自從一加7Pro推出之后，除了90Hz的屏幕，另一個亮點就是UFS3.0閃存顆粒，其傳輸速度達到了1.5GB/S，可以說是UFS2.1標準的兩倍，而這并不是UFS 3.0的理論速度，其理論速度可以達到3GB/S，也就是一部高清電影可以輕松一秒傳輸。
2019-11-18 16:13:3246130 不久前，OEM廠商OWC為Mac Pro 2019推出了RAM升級包，8 x 128 GB，售價約 98000元，比蘋果官方便宜一點。現(xiàn)在，OWC又為Mac Pro 2019推出了PCIe SSD，8TB容量，6000MB/s。
2019-12-25 16:25:533704 如果你仍不滿足讀取速度為3500MB/s的M.2固態(tài)硬盤，那么威剛（Adata）最新推出的XPG Sage或許能達到你的苛刻要求。
2020-01-08 17:06:313423 日前創(chuàng)見(Transcend)公司發(fā)布了MTE662T系列SSD產(chǎn)品，這是全球首款針對商業(yè)和工業(yè)環(huán)境的96層3D TLC NVMe SSD，順序讀取速度高達3400 MB/s。
2020-02-04 10:37:54920 小米有品上架了威剛SE800移動SSD，采用Type-C接口，讀取速度可達1000MB/s。
2020-09-17 09:30:321291 讀取速度平均約為 1800MB/s 左右，順序寫入速度約為 700MB/s 左右，隨機寫入約在 200-300M/s 范圍中。在華為 Mate 40 Pro 的測試結
2020-11-03 11:37:373116 近日，有多位數(shù)碼博主實測，華為Mate40 Pro的閃存讀寫速度堪稱“恐怖”。小白測評實測顯示，華為Mate40 Pro的持續(xù)讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s。
2020-11-03 13:56:1035706 。 基準測試結果表明，新款 MacBook Air 固態(tài)硬盤的寫入速度約為以前型號的兩倍，寫入速度為 2190 MB/s，讀取速度為 2675 MB/s。 IT之家了解到，蘋果在發(fā)布時便提及了這方
2020-11-17 14:09:302625 存儲可管理1280MB/s的順序寫入速度和548MB/s的隨機寫入速度，這明顯比普通的UFS3.1存儲芯片高近兩倍（順序讀取速度平均約為1800MB/s左右，順序寫入速度約為700MB/s左右，隨機寫入約在200～300M/s范圍中）。
2020-11-18 10:56:2821404 ，盡管沒有 UFS 3.0、UFS 3.1 規(guī)格高，但是寫入速度的巨大提升也非常可觀。根據(jù)微博用戶 @數(shù)碼閑聊站 的實測，Redmi Note 9 Pro 順序讀取速度為 996.11MB/s，順序寫入速度
2020-11-30 09:53:007880 昨天，技嘉官方視頻介紹了新品固態(tài)黑雕 PCIe 4.0 SSD ，其順序讀取速度達到了 5000MB/s。 在設計方面，技嘉黑雕 PCIe 4.0 SSD PCB 雙面都有芯片，閃存顆粒來自東芝
2020-12-24 09:04:343192 據(jù)此前消息，vivo將于明日（12月29日）正式發(fā)布全新的vivo X60系列手機。根據(jù)博主@數(shù)碼閑聊站的最新爆料，該系列將搭載滿血版的UFS 3.1閃存技術，順序讀取達1900MB/s±，順序寫入
2020-12-28 17:43:315047 上，又一次反超小米11。 具體來說，數(shù)碼博主宅數(shù)碼Kael測得，零售版Mate40 Pro的閃存順序讀取速度為2012MB/s、順序寫入速度為1190MB/s，隨
2021-01-04 09:49:542485 本教程演示了如何使用Menta OS提供的BlockDevice API使用Portenta H7的板載閃存來讀取和寫入數(shù)據(jù)。由于內部存儲器的大小有限，我們還將...
2022-01-25 18:25:20
0 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序寫入速度也提升到2800MB
2022-05-05 10:45:273249 
4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。這也是首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產(chǎn)品，號稱可以給智能手機提供更強性能。 美光新一代的UFS 4.0模塊能夠
2023-07-19 19:02:21865 全球領先的存儲解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業(yè)界首款[2]面向汽車應用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃存器件樣品。這些性能更高的新型器件封裝小巧
2024-01-31 18:19:00137
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