電腦升級內(nèi)存混插

　　如果你無法忍受自己那臺老牛拉破車的電腦時，那就動手來升級吧。升級的最簡單方式不外乎多加一條內(nèi)存，電腦性能將由此獲得提升。不過當你將新買的內(nèi)存加插在電腦上開機時，可能意外地出現(xiàn)了藍屏，難道是新加內(nèi)存的問題？

　　很多用戶在升級購買內(nèi)存時，只看重了內(nèi)存的容量，并沒有太在意它的規(guī)格參數(shù)，甚至連品牌都沒有太在意，一味追求便宜的價格，因此有時就會出現(xiàn)新內(nèi)存和老內(nèi)存無法兼容的問題。當然，最妥當?shù)霓k法是將電腦抱到電腦城去現(xiàn)場升級，但不是所有用戶都愿意那樣當“搬運工”的，因此最好可以先把內(nèi)存參數(shù)了解一下再購買，或者是將買回的內(nèi)存設置一下再使用。

　　在BIOS中調(diào)整內(nèi)存參數(shù)

　　通常新買的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會比原來的老內(nèi)存高一些，例如老內(nèi)存規(guī)格為宇瞻DDR3 1333 2GB，延遲時序CL=9，而新買的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對內(nèi)存的超頻設置選項，我們可以利用它們來對內(nèi)存參數(shù)進行設置，從而能讓它們和平相處，協(xié)同工作（如圖1）。

　　開機后按下DEL鍵進入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂達A75T魔固主板，使用其他品牌型號主板的用戶需要自己找到相應的界面。可以看到BIOS自動識別了內(nèi)存，將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”，“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級模式選項都被設為“Auto”自動。一般來說，如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時候，1600MHz的內(nèi)存將被默認降頻到1333MHz的主頻來運行，不會對硬件造成任何影響，但是在高級參數(shù)中，一些雜牌內(nèi)存在混用時時序規(guī)格會出現(xiàn)問題，因此需要將它們設置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。

　　取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項的“Auto”的設置，將前者設為“1333MHz” （如圖2），而這時在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào)，將它們設為9-9-9-30。然后保存重新開機，即可正常進入系統(tǒng)了。雖然并沒有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能，但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了，混用變得更為穩(wěn)定。

　　小提示：有的時候在兩條內(nèi)存混插后，開機會出現(xiàn)點不亮的情況，這樣就進不了BIOS進行設置了。這個時候只有短接CMOS電池清除BIOS信息。在一些主板上會有一些貼心的設計，如本例這款主板上有一個Memory OK按鍵（如圖3），按下它后，就可以將內(nèi)存的頻率及參數(shù)下調(diào)到能正常開機的水平，接著繼續(xù)進入BIOS再對它進行設置。

　　其實內(nèi)存的所有規(guī)格參數(shù)都是記錄在SPD芯片，在開機電腦會根據(jù)其中的參數(shù)運行內(nèi)存。對于一些在BIOS中沒有提供內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項的老主板，那么我們就只能用軟件來修改參數(shù)，也就是把參數(shù)寫入到SPD芯片中去，覆蓋掉原有的參數(shù)。

　　在這里使用SPD tool軟件，其修改內(nèi)存的參數(shù)比較多，但風險比較大，需要事先做好備份工作。首先只將新內(nèi)存插在電腦上，開機打開SPD tool，點擊菜單欄“File”→“Read”→“Module 0：Installed” （如圖4），讀取該內(nèi)存的SPD信息。當讀取完后點擊“File”→“Save”，將它保存到電腦硬盤中，注意備份的文件名。

　　接著開始手動修改界面下方的各個選項，其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency（內(nèi)存支持的最大CAS潛伏周期），這里的值是1.25ns（800MHz），改為1.50ns（666MHz）。接下來改Minimum Clock Cycle at CLX-1（最小CAS潛伏周期1）和Minimum Clock Cycle at CLX-2（最小CAS潛伏周期2），把1.50ns（666MHz）和1.67ns（592MHz）分別改為1.67ns（592MHz）和1.93ns（518MHz）。向下找到Minimum Row Precharge Time（tRP）和Minimum RAS to CAS delay（tRCD）都改為30ns。

　　如果感覺這樣的設置比較麻煩，那么可以將老內(nèi)存的SPD參數(shù)讀出來，將其直接寫入到新內(nèi)存中（如圖5）。點擊菜單欄“File”→“Write”→“Module 0：Installed”，在出現(xiàn)提示時點“是”，在寫入成功后重啟電腦。

　　當然這還不能保證內(nèi)存刷新完全成功了，還需要使用MemTest軟件進行測試，它的測試原理就是不停地對內(nèi)存進行讀寫，從而發(fā)現(xiàn)內(nèi)存中存在錯誤的區(qū)域。具體方法請看2012年第1期《電腦報》E6版《內(nèi)存問題有木有 巧用閃存來測試》一文。與SPDtool功能類似的軟件還有Thaiphoon Burner等，大家可以舉一反三。在修改時建議電腦上只插一條內(nèi)存，這樣不容易出現(xiàn)誤操作。

　　內(nèi)存混插應該注意什么

　　通過加大內(nèi)存可以更好地利用已有的內(nèi)存資源，提高計算機性能。但由于新舊內(nèi)存的型號、容量或品牌可能都不同，混插時就會出現(xiàn)各種問題，因此在混插時要注意以下幾點：

　　就低原則。

　　一般情況下，應該將低規(guī)范、低標準的內(nèi)存插入內(nèi)存插槽中的第一位置DIMM l上，而將高標準的內(nèi)存依次插入后面的內(nèi)存插槽中。

　　如果不同內(nèi)存混插造成不能正常開機，可以這樣解決：第一，更換內(nèi)存條的位置，這是最簡單且最常用的一種方法；第二，在基本能開機的前提下，進入BIOS設置，將內(nèi)存的相應項（包括CAS等）設置為低規(guī)范的相應值；第三，使用其中的一根內(nèi)存，將計算機啟動，進入BIOS設置，強行將內(nèi)存的相應項設置為低規(guī)范的相應值，經(jīng)確定無誤后，再關機插入第二根內(nèi)存。

　　不要混插不同類型的內(nèi)存。

　　一般來說，不同類型的內(nèi)存之間，工作電壓、電氣接口都不相同，所以不能將不同類型的內(nèi)存進行混插。即使主板上提供了兩種或兩種以上不同類型的內(nèi)存插槽，除非主板中擁有特殊設置項。如果將不同類型的內(nèi)存混插，由于電壓等多種因素的存在，可能會縮短內(nèi)存的使用壽命，甚至燒毀內(nèi)存。

　　不要混插同類型不同電壓的內(nèi)存。

　　即使是同類型的內(nèi)存，它們的工作電壓也有區(qū)別，如果不同電壓的內(nèi)存混插，不僅會造成計算機不穩(wěn)定現(xiàn)象的出現(xiàn)，而且也會加速低電壓內(nèi)存的老化甚至是燒毀。若一定要混插同類型不同電壓的內(nèi)存，要先看主板是否支持內(nèi)存電壓可調(diào)，如果支持，就在主板上或BIOS中強行設置內(nèi)存的電壓為所有混插內(nèi)存中的電壓最低值，盡量避免不同電壓的內(nèi)存混插造成內(nèi)存溫度過高，引起計算機運行不穩(wěn)定。

　　注意內(nèi)存負載。

　　任何主板芯片組都對DIMM內(nèi)存插槽（或是其他形式的內(nèi)存插槽）進行最大輸出功率的限制，這也就是同時使用多根雙面內(nèi)存將所有內(nèi)存插槽插滿，而內(nèi)存總?cè)萘坎]有達到主板芯片組所支持的內(nèi)存上限時，計算機無法識別內(nèi)存總?cè)萘浚踔翢o法啟動的一個重要原因。一般來說，在進行內(nèi)存混插時，如果將兩個以上的內(nèi)存插槽插滿，其中一根至少應該使用單面內(nèi)存條。

　　升級后的計算機，最好也升級操作系統(tǒng)，因為新的操作系統(tǒng)具有更好的管理機制，能更好地用和調(diào)配不同型號的硬件，也能更好地避免出現(xiàn)硬件不兼容等問題。