，隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開始下降，跟隨這一趨勢(shì)的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來(lái)的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:00
8643 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522187 具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實(shí)際上更像LPDDR4，DDR5帶來(lái)9個(gè)變化。
2021-05-19 09:56:404227 
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37434 
JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），為全球計(jì)算機(jī)拉開新時(shí)代序幕。 簡(jiǎn)言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番
2020-07-16 10:00:056976 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:442591 近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時(shí)序40-40-40? 1.1V ，容量16G（單面）/32G（雙面
2021-04-27 09:00:0013496 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:073570 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-25 08:00:004032 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
，全球7nm智能座艙芯片市場(chǎng)規(guī)模（CAGR）2019 VS 2023 VS 2030（萬(wàn)元）
表 3：7nm智能座艙芯片行業(yè)發(fā)展主要特點(diǎn)
表 4：7nm智能座艙芯片行業(yè)發(fā)展有利因素分析
表 5：7nm
2024-03-16 14:52:46
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長(zhǎng)的時(shí)間才能出來(lái)。就當(dāng)我們都對(duì)DDR5不報(bào)希望的時(shí)候，結(jié)果它就悄悄的來(lái)了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說(shuō)JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 08:19:59
國(guó)產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
高速先生成員--姜杰
大家都在關(guān)注DDR5跑的有多快，高速先生卻在關(guān)心它為什么能夠跑的穩(wěn)……
內(nèi)存的穩(wěn)定性，離不開RAS功能。提起RAS，熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號(hào)（Row
2023-06-28 09:09:11
國(guó)內(nèi)的通富微電成為AMD 7nm芯片的封測(cè)廠商之一
2020-12-30 07:48:47
Platform重新定義了傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)工具界限，將最佳邏輯綜合和布局布線、行業(yè)金牌signoff與新一代可測(cè)性設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行整合，提供最可預(yù)測(cè)的7nm全流程收斂方案，最大程度上減少了迭代次數(shù)。新思科
2020-10-22 09:40:08
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
，DDR5 CAC信號(hào)的ODT閃亮登場(chǎng)！我猜最激動(dòng)還是Layout攻城獅：DDR5的CAC信號(hào)有了ODT功能，PCB布線約束可以放寬松了嗎？畢竟，哪里信號(hào)質(zhì)量差就可以端接哪里，So easy。帶著這個(gè)
2022-12-28 14:47:13
4 RDIMMs的四倍，內(nèi)存和電源效率也有所提高。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗(yàn)，Rambus以其信號(hào)完整性（SI）/電源完整性（PI）方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這種專長(zhǎng)大大有利于DDR5內(nèi)存接口芯片確保從主機(jī)內(nèi)存控制器發(fā)送到RDIMM的命令/地址和時(shí)鐘信號(hào)具有出色的信號(hào)完整性。
2023-02-22 10:50:46
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
2、DDR3、DDR4、DDR5，然后是正在研發(fā)的DDR6。從DDR技術(shù)和JEDEC規(guī)范的演進(jìn)過程中，我們可以看到，為了配合整體行業(yè)對(duì)于性能、內(nèi)存容量和功耗的不斷追求，規(guī)范的工作電壓越來(lái)越低，芯片容量
2022-10-26 16:37:40
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，南科14廠和18廠分別專注于12nm和16nm制程技術(shù)，以及5nm和 3nm技術(shù)，而中科15廠則負(fù)責(zé)28nm和7nm制程技術(shù)。臺(tái)積電的5nm晶圓廠從2018年開始啟動(dòng)，有5000
2020-03-09 10:13:54
作者：一博科技高速先生自媒體成員 黃剛上篇文章我們介紹了DDR5的一些總體特點(diǎn)，也到了很多網(wǎng)友的關(guān)注，文章獲得了很多的點(diǎn)擊和閱讀量。因此高速先生也應(yīng)廣大網(wǎng)友的要求，在本期增加關(guān)于DDR5的仿真技術(shù)
2021-08-19 17:33:47
模型里面去了。我們打開這個(gè)AMI模型，的確能看到DFE模塊存在4tap的均衡參數(shù)可以調(diào)節(jié)。好，本文最重點(diǎn)的部分來(lái)了！那就是我們通過在這個(gè)提取的DDR5數(shù)據(jù)通道上傳輸不同的速率，來(lái)看看接收端的結(jié)果，尤其
2021-08-27 16:39:08
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
DDR5 RAM具有哪些新功能？
2021-06-21 06:21:20
目前的GS464V升級(jí)到LA664，因此單核性能有較大提升，達(dá)到市場(chǎng)上主流設(shè)計(jì)。至于未來(lái)的工藝，龍芯表示目前公司針對(duì)7nm的工藝制程對(duì)不同廠家的工藝平臺(tái)做評(píng)估，不過他們沒有透露什么時(shí)候跟進(jìn)7nm工藝
2023-03-13 09:52:27
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 您可能剛把計(jì)算機(jī)升級(jí)到DDR4的內(nèi)存，也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣，DDR5內(nèi)存要來(lái)了。 2017年3月，JEDEC協(xié)會(huì)宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR5
2017-11-15 16:36:0340425 
日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:082998 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:244664 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:382779 
美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
據(jù)外媒報(bào)道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。
2020-03-28 10:41:293982 
中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計(jì)會(huì)有不少?gòu)S商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 Alchip 5nm設(shè)計(jì)將利用高性能計(jì)算IP產(chǎn)品組合，其中包括一級(jí)供應(yīng)商提供的“同類最佳” DDR5，GDDR6，HBM2E，HBM3，D2D，PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552140 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716372 近幾個(gè)月來(lái)，有關(guān)下一代DDR內(nèi)存的討論一直沸沸揚(yáng)揚(yáng)，因?yàn)橹圃焐虃円恢痹谡故靖鞣N各樣的測(cè)試模塊，為推出完整的產(chǎn)品做準(zhǔn)備。計(jì)劃使用DDR5的平臺(tái)也在迅速興起，在消費(fèi)者中廣泛使用之前，預(yù)計(jì)將在企業(yè)端首次
2020-10-23 15:11:012699 
第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:075502 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖，擁有光威（Gloway）、阿斯加特（Asgard）兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。 目前，嘉合勁威正在
2020-12-02 12:12:581800 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組，有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示，正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:361735 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552251 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份，JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:393946 繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對(duì) DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924 繼十銓（TEAMGROUP）之后，威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
2021-01-06 17:04:552025 CES 2021期間，存儲(chǔ)大廠威剛“拿”出了他們的下一代DDR5內(nèi)存，不過不是實(shí)物，只是渲染圖。
2021-01-15 09:44:332353 去年底，TEAMGROUP（十銓）宣布正開發(fā)DDR5內(nèi)存條（U-DIMM，用于臺(tái)式機(jī)）。現(xiàn)在，SO-DIMM形態(tài)的DDR5內(nèi)存也官宣了，筆記本、迷你機(jī)、NAS等將因此受益。 十銓稱已成功開發(fā)
2021-01-26 16:43:212616 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái)，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來(lái)了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰，但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:393279 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203265 回顧2020年，在新基建的驅(qū)動(dòng)下，數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代，國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14
2021-05-01 09:31:002057 ，根據(jù)去年7月JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)公布DDR5內(nèi)存行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)頻率必須在4800MHz及以上，只有達(dá)到了這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)才能稱之為DDR5內(nèi)存模組，但這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)并不容易達(dá)到。目前各高端
2021-05-08 14:03:23455 
算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上，卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341391 韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 HBM3 IP解決方案可為高性能計(jì)算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104 2020年，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開始。進(jìn)入2021年，多家存儲(chǔ)企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:432494 
近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142114 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 “慢而寬”的內(nèi)存技術(shù)，用于減少芯片外內(nèi)存中的信號(hào)傳輸延遲，但現(xiàn)在HBM3正變得越來(lái)越快，越來(lái)越寬。在某些情況下，甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示：“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達(dá)到更高水平，而且更多設(shè)計(jì)可以使用
2021-11-01 14:30:506492 
行業(yè)客戶以及廣大用戶對(duì)產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望，早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-DIMM內(nèi)存條產(chǎn)品，并率先進(jìn)行實(shí)際測(cè)試。 目前Longsys DDR5內(nèi)存條順利開發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM
2021-11-02 10:09:392769 
2021年10月9日北京訊，全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺(tái)認(rèn)證，這是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過英特爾DDR5平臺(tái)兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161134 隸屬于SGH (Nasdaq： SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊，這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:471607 主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:25
19 即4800MHz；集成PMIC電源管理芯片，電壓降至1.1V，功耗更低；加入On-dieEcc糾錯(cuò)功能，運(yùn)行更加穩(wěn)定等。 除了一線品牌外，老牌存儲(chǔ)廠商朗科也在積極布局這一領(lǐng)域，繼絕影RGB DDR5之后，朗科又將推出越影Ⅱ DDR5內(nèi)存，和絕影系列一樣，越影ⅡDDR5同樣定位中高
2022-05-24 16:29:38955 
DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分，SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合，能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5計(jì)算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件，可以感知并報(bào)告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。
2022-09-23 10:49:531995 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592 內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計(jì)算中非常重要，在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景下尤為如此。在不久的將來(lái)，DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進(jìn)，同時(shí)可以長(zhǎng)期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級(jí)內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用，使其成為DDR5發(fā)展過程中的一個(gè)重要里程碑。
2023-02-23 09:29:58630 DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332 由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價(jià)格和需求不斷增長(zhǎng)。
2023-07-21 18:13:27415 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512822 來(lái)源：EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗(yàn)證，該方案采用臺(tái)積電5納米工藝技術(shù)。該平臺(tái)在臺(tái)積電2023北美技術(shù)研討會(huì)合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50250 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42752 
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40214 
為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來(lái)演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:06329 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885 
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測(cè)，這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01194 
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來(lái)了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061166 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中，展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長(zhǎng)勢(shì)頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)了4倍和5倍以上，成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24352 7月15日，JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，劍指下一代高性能計(jì)算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱，DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計(jì)的，不僅包括客戶端系統(tǒng)，還有高性能服務(wù)器，為未來(lái)的數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:516669
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