搶攻DRAM市場商機，三星電子（Samsung Electronics）宣布量產其第二代10奈米等級（1y-nm） 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統（Cell Data Sensing System）及「空氣間隔」（Air Spacer）解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。

DRAM市場表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別，產值高達720億美元。

為迎合市場龐大需求，三星內存事業部門總裁Gyoyoung Jin表示，第二代DDR4 DRAM的電路設計與制程新技術，讓該公司突破DRAM擴展性的主要障礙;三星將加速新產品的量產，同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量。

據悉，三星第二代10奈米制程所生產的8Gb DDR4 DRAM，比第一代在生產效率上提高了近30%。 同時，為提升DRAM效能，該組件使用全新技術，分別為高敏感度的單元數據感測系統及「空氣間隔」方案，而非過往的EUV技術。

三星指出，透過高敏感度的單元數據感測系統，可更精準確定每個內存單元內儲存的數據，提升電路整合度以及制造生產力;而在字符線（Bit Lines）周遭放置空氣間隔，可降低寄生電容，達到更高等級的微縮及快速的單元運作。

新技術的加持讓第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省電效益分別提高了約10%和 15%;且每個引腳能以每秒3，600Mbit/s的速度運行，比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3，200Mbit/s速度，提升10%以上。

三星指出，在第二代10奈米等級DRAM所采用的創新技術，將讓該公司能加速未來DRAM芯片的問世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5與GDDR6，用于企業服務器、超級計算機、高性能運算系統，以及行動設備等。

目前三星已和CPU制造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模塊的驗證，接下來計劃將與全球IT企業緊密合作，開發更高效的運算系統。 未來三星除迅速增加第二代10奈米DRAM產量外，也將持續生產更多第一代DDR4 DRAM的產量，以滿足日益增長的DRAM市場。