根據2017年的存儲器市場來看，價格的大幅度上漲，內存市場面臨著激烈的競爭，市場供不應求的局面，致使三星計劃將加大投入擴大芯片產能，但是外界人士認為內存廠商大規模的擴大芯片產能，將會帶來供給過度的危機。

據外電報道，剛被任命為三星電子聯席首席執行官、負責旗下芯片業務的金奇南（Kim Ki-nam）日前表示，今年是全球芯片產業增長的關鍵時期，整個行業會面臨更激烈的競爭。

金奇南在韓國媒體采訪時表示，今年芯片產業會面臨嚴峻的形式，暗示技術創新會遇到困難，并對供給過度的問題感到擔憂。“芯片產業在空前的繁榮期正面臨著嚴峻的現實。因為技術的快速變革，預測市場格局將如何變化變得相當困難，”他說。

市場觀察人士預計，今年全球芯片市場會繼續保持繁榮，但增長速度預計會低于去年。市場調研公司IHS Markit提供的數據顯示，2017年全球DRAM存儲芯片市場的規模達到722億美元，較上年增長了72%；預計該市場今年的規模更是會達到844億美元，但增速將滑落至16.9%。

目前，DRAM存儲芯片業務也是三星電子盈利最多的業務。因為數據中心業務需求的增長，三星電子預計DRAM存儲芯片的供求關系仍將緊張，該公司如今已通過在韓國平澤新工廠增加生產線，來擴大DRAM存儲芯片的產品。

業內預計，三星電子這座新工廠的制造能力將達到6萬塊晶片，為現有整體DRAM芯片產能的大約六分之一。因為對供求問題的擔憂，在三星電子去年11月發布擴張產能的消息后，DARM芯片的售價在一周時間中曾暴跌了21.4%。“為保持世界頂級芯片制造商的地位，我們將不斷努力創新技術和應對挑戰，”金奇南說。

三星電子在去年第三季度的財報電話會議中曾表示，通過把公司年度投資預算的60%部署到NAND閃存業務當中，該公司尋求對3D閃存芯片進行創新。不過在全球NAND閃存芯片市場增長46.2%，產值達到538億美元之后，該市場增速也會在今年放緩。業內人士預計，全球NAND閃存市場今年的規模將達到592億美元，較去年增長10%。

業內觀察人士預計，三星電子今年的投資計劃可能會通過影響供求關系來改變市場格局。“NAND市場已經開始放緩，而DARM市場仍可能會因為三星電子的進一步投資而受到影響，”韓國券商HI Investment & Securities分析師Song Myung-seob在研報中表示。“投資人需要更密切的關注三星電子在今年宣布的投資計劃。”

根據市場調研公司IC Insights的預測，三星電子去年的投資總額達到260億美元，占據了全球芯片制造商總資本投入的20%以上。其中，該公司為3D NAND閃存業務投入了140億美元，為DRAM和代工業務分別投入了70億美元和50億美元。