9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295044 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451457 在未來(lái)規(guī)劃中，這一存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目將被打造成湖北省調(diào)結(jié)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型發(fā)展的千億高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。
2016-03-29 08:09:581561 武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動(dòng)，瞄準(zhǔn)記憶體，目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬(wàn)片的半導(dǎo)體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Flash，對(duì)武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢(mèng)，一個(gè)躋身記憶體大廠的夢(mèng)。
2016-04-18 14:33:324550 紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在存儲(chǔ)器搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
2016-05-10 09:56:541190 
近日中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計(jì)劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計(jì)劃。
2016-05-24 10:29:501322 武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲(chǔ)器。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)出任
2016-08-02 17:57:401620 隨著國(guó)家存儲(chǔ)器基地落戶湖北，該省的產(chǎn)業(yè)鏈條也在加速完善，以沖擊中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)第四極。
2016-10-27 10:13:00598 正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，由紫光參與投資總額達(dá)240億美元的武漢存儲(chǔ)器芯片廠將于12月初動(dòng)工。這項(xiàng)投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無(wú)力生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的局面，完工后預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能達(dá)30萬(wàn)片，2030年躍升至100萬(wàn)片，成世界級(jí)存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:59996 要做好3D打印材料這篇大文章，縮小與國(guó)際差距。 2016年3D打印線材迭代更新 打破產(chǎn)業(yè)瓶頸指日可待 近幾年來(lái)，3D打印行業(yè)的發(fā)展可謂是如火如荼，但在發(fā)展過程中，其限制因素也逐漸暴露3D打印材料。
2016-11-26 09:08:11789 今日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式動(dòng)工，預(yù)計(jì) 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，初期計(jì)劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品
2016-12-31 01:52:113786 工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要集中在存儲(chǔ)器測(cè)試方面。另外，近期總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式開工，中芯國(guó)際40nm ReRAM高端存儲(chǔ)芯片已經(jīng)出樣。可見，集成電路領(lǐng)域研發(fā)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。
2017-01-18 09:31:39760 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:24863 近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529 通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái)，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
作為國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)項(xiàng)目基地，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資金額達(dá)240億美元。預(yù)計(jì)項(xiàng)目一期建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
2018-04-12 13:59:2519859 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
3D打印將精準(zhǔn)的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復(fù)性和工匠的設(shè)計(jì)自由結(jié)合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對(duì)當(dāng)下3D打印技術(shù)帶來(lái)便利的總結(jié)，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實(shí)》一書。虎嗅會(huì)繼續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
NAND FLASH就是通過die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲(chǔ)容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲(chǔ)密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
區(qū)域，這3個(gè)塊可用于擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器，比如 SRAM，NORFLASH 和 NANDFLASH 等Block2 這片區(qū)域是用來(lái)設(shè)計(jì)片上外設(shè)的片上外設(shè)區(qū)分為四條總線，根據(jù)外設(shè)速度的不同，不同總線掛載著
2021-01-14 17:37:08
存儲(chǔ)器可劃分為哪幾類？存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的？
2021-09-16 07:12:10
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
文章目錄前言一、存儲(chǔ)器類型二、探究S3C2440啟動(dòng)地址1.為什么nand啟動(dòng)地址是4096？2.為什么nor啟動(dòng)地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文記錄的是S3C2440啟動(dòng)
2022-02-15 07:30:08
成功，認(rèn)真投入3D技術(shù)研發(fā)，而且正要進(jìn)入量產(chǎn)的一個(gè)工廠--武漢存儲(chǔ)基地，原本計(jì)劃的是一個(gè)10萬(wàn)片產(chǎn)能的平面一層工廠，現(xiàn)在可以做15萬(wàn)，2019年這個(gè)廠也將真正進(jìn)入量產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個(gè)示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個(gè)自建庫(kù)后的pcb預(yù)覽。在沒加3D元件時(shí)。自定義庫(kù)是可以用，可預(yù)覽的。加了3D元件后，工程文件使用了后預(yù)覽并沒有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
X-ray(2D&3D)X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對(duì)于樣品無(wú)法以外觀方式觀測(cè)的位置，利用
2021-12-16 11:28:17
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
，以綠色（默認(rèn)顏色）來(lái)顯示大于最小厚度的所有面。同時(shí)，浩辰3D可基于最大懸垂角度，計(jì)算驗(yàn)證3D打印時(shí)所需的支撐區(qū)域（面），并以高亮色區(qū)分顯示大于、小于最大懸垂角度的區(qū)域（面）。此外，通過浩辰3D的打印
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
，國(guó)信證券預(yù)計(jì)，下半年電力建設(shè)投資將繼續(xù)增加，勢(shì)必將帶動(dòng)電纜、變壓器產(chǎn)量增幅在20%～30%。電線電纜產(chǎn)量的上升，將有效的刺激銅價(jià)，有色金屬銅突圍指日可待。全球銅缺口擴(kuò)大（內(nèi)有乾坤） “資源品價(jià)格主要
2011-07-19 10:02:11
些類型的系統(tǒng)中 ， pcm 可以做代碼執(zhí)行存儲(chǔ)器.以其可位變性特性. PCM可以轉(zhuǎn)換該種系統(tǒng)中所滿的一些或杏所食的 DKAM ,如閣1所示《SnD 存儲(chǔ)器系統(tǒng)中， PCM 在滿足 NAND 閃存密度滿
2018-05-17 09:45:35
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲(chǔ)器如圖 3 所示，AND閃速存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場(chǎng)上銷售的閃速存儲(chǔ)器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲(chǔ)器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111032 
存儲(chǔ)介質(zhì)革命是當(dāng)今“雙輪驅(qū)動(dòng)”存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新源泉之一，未來(lái)是閃存的時(shí)代，3D NAND被寄予厚望，投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目日前也在武漢動(dòng)工，無(wú)不表明3D NAND制造在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的重要性。
2017-01-09 17:29:12599 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠，另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:401970 我國(guó)雖然在半導(dǎo)體芯片行業(yè)中落后世界先進(jìn)水平太多，但也在一步一個(gè)腳印地前進(jìn)，不斷取得新突破。據(jù)報(bào)道，4月11日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。
2018-06-12 09:33:004078 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計(jì)今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國(guó)產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時(shí)2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:003750 NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001858 萬(wàn)勇透露，武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地計(jì)產(chǎn)能10萬(wàn)片/月的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房，首個(gè)芯片會(huì)在2018年點(diǎn)亮，明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國(guó)務(wù)院批復(fù)的武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563 4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280 位于湖北武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)4月11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-04-27 11:52:004923 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)”為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739 在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（國(guó)家存儲(chǔ)器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:145523 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。
2018-09-17 16:30:301863 再投240億美元，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地成又一個(gè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)！ 繼2016年12月30日，紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資為240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家
2018-10-15 17:07:02783 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365 對(duì)于紫光來(lái)說，在10月最大的一筆投資莫過于10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工。
2018-10-22 16:59:501946 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164 據(jù)中新網(wǎng)8月3日?qǐng)?bào)道， 國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）二階段工程項(xiàng)目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功，終端機(jī)臺(tái)的電力供給得到保證，芯片的目標(biāo)量產(chǎn)指日可待。
2019-08-05 15:48:302814 在存儲(chǔ)領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)廠商一直沒有太多發(fā)言權(quán)，但如今隨著中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)的不斷發(fā)展，已經(jīng)取得了相當(dāng)不俗的成就，近日根據(jù)報(bào)道，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)二階段工程項(xiàng)目中低壓配電系統(tǒng)日前已受電成功，終端機(jī)臺(tái)的電力供給得到保證，芯片的目標(biāo)量產(chǎn)指日可待。
2019-08-06 16:25:30687 據(jù)武漢發(fā)布報(bào)道，面對(duì)建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地、打造“一芯驅(qū)動(dòng)”引擎的新使命，武漢東湖高新區(qū)正在謀劃完善頂層設(shè)計(jì)，其中就包括籌劃光谷集成電路產(chǎn)業(yè)基金，規(guī)模10億元。
2019-08-23 16:00:384064 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長(zhǎng)楊道虹表示，2019 年，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:02905 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 據(jù)通用技術(shù)集團(tuán)消息，經(jīng)過前期科學(xué)有序的疫情防控和復(fù)工復(fù)產(chǎn)準(zhǔn)備，日前武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地施工生產(chǎn)加速推進(jìn)，現(xiàn)場(chǎng)300余名工人已經(jīng)投入到各項(xiàng)工作。
2020-04-15 16:20:421705 隨著武漢重啟，新興建設(shè)承建的國(guó)家級(jí)高科技重點(diǎn)項(xiàng)目武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地，經(jīng)過前期科學(xué)有序的疫情防控和復(fù)工復(fù)產(chǎn)準(zhǔn)備，日前，項(xiàng)目施工生產(chǎn)加速推進(jìn)，現(xiàn)場(chǎng)300余名工人已經(jīng)投入到各項(xiàng)工作。
2020-04-16 10:06:403784 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 6月20日，紫光集團(tuán)發(fā)布消息，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，達(dá)產(chǎn)后與一期項(xiàng)目合計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)30萬(wàn)片。
2020-06-23 10:10:082987 近日，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開工，據(jù)悉，國(guó)家存儲(chǔ)器基地的項(xiàng)目是由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，這項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:182533 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:132330 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05998 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39279 
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