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電子發燒友網>存儲技術>厲害了我的國!!首個自主研發DRAM芯片有望在合肥誕生

厲害了我的國!!首個自主研發DRAM芯片有望在合肥誕生

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2019-06-14 10:46:2818062

厲害了!“清華女生們”了解一下兩位“叱咤風云的清華女生”

恭喜清華94級鄭甜教授擔任哥倫比亞大學統計系系主任,清華93級紀平教授擔任紐約城市大學研究生院(CUNY Graduate Center) 計算機系系主任。當年在學校里就叱咤風云的清華女生們太厲害了
2019-07-18 09:32:2714092

長鑫存儲亮相閃存技術峰會 引領中國DRAM技術突破

作為中國DRAM產業的領導者,長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變,用自主研發DRAM技術和專利,引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463

合肥微納即將發布一款高性能的MEMS微熱板芯片

合肥微納基于自主研發的MicroHEAT技術制造的高可靠HHC1000型微熱板芯片,采用懸膜式結構,功耗低,可靠性高,可廣泛應用于半導體式氣體傳感器。芯片同時集成微型加熱器和叉指電極,微型加熱器用于為氣體傳感器提供合適的工作溫度,叉指電極用于檢測氣敏材料的電阻變化。
2019-08-29 08:54:274344

中國將自主研發DRAM存儲器

業內研究人員表示,中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現自給自足。
2019-09-20 16:53:011653

我國成功研發出首個自主可控的高性能高可靠FPGA

有媒體報道稱,北京微電子技術研究所日前成功研制出國內首個自主可控的宇航用千萬門級高性能高可靠FPGA(現場可編程門陣列)芯片
2019-09-29 11:43:23771

蘋果自主研發5G Modem芯片,將在2022年實現生產

北京時間10月11日消息,據國外消息報道,蘋果公司正在自主研發5G Modem芯片,最快將于2022年用于iPhone和iPad中。
2019-10-12 16:07:323357

我國自主研發首個31.25kW鐵-鉻液流電池電堆“容和一號”成功下線

11月5日,國家電投中央研究院自主研發首個31.25kW鐵-鉻液流電池電堆“容和一號”,成功下線并通過了檢漏測試。該電堆是目前全球最大功率的鐵-鉻液流電池電堆。
2019-11-12 15:05:093143

國產紫光DDR4內存亮相,年底完成DDR4內存研發并推向市場

隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內存行業,國產自主DRAM芯片未來也會迎來一波爆發。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內存芯片研發,他們將在集邦科技的2020存儲產業趨勢峰會上公開展示自研的內存,包括最新的16GB DDR4內存等。
2019-11-19 14:54:143029

南亞科10納米級DRAM技術自主研發完成

據悉,全球DRAM內存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他們的份額高達95%以上,關鍵原因就在于這三家的技術專利形成了極高的門檻,其他公司突圍起來很難。
2020-01-13 11:19:212332

南亞科李培瑛宣布已完成自主研發10納米級DRAM技術 預計2020下半年陸續進入產品試產

南亞科總經理李培瑛近日宣布,已完成自主研發10納米級DRAM技術。
2020-01-13 15:16:102164

合肥長鑫的DDR4內存對外供貨 進軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內存

嚴格來說,合肥長鑫的內存不是第一款國產DRAM內存芯片,紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內存研發,也曾少量用于國產的服務器等產品中,但是紫光國微沒有生產能力,DDR內存無法大量供應。
2020-03-01 10:15:112744

我國首個5G微基站射頻芯片成功流片

近日,我國首個5G微基站射頻芯片YD9601,在南京宇都通訊科技有限公司經過自主研發流片成功,目前正在進行封裝測試。
2020-03-03 15:40:394507

我國自主研發首個5G微基站射頻芯片YD9601正在進行封裝測試

記者3日從南京經濟技術開發區獲悉,我國首個5G微基站射頻芯片YD9601,在南京宇都通訊科技有限公司經過自主研發流片成功,目前正在進行封裝測試。
2020-03-05 09:35:211020

聚芯微電子發布國內首顆自主研發ToF傳感器芯片

2020年3月9日,聚芯微電子正式發布國內首顆自主研發、背照式、高分辨率、用于3D成像的飛行時間(Time-of-Flight, ToF)傳感器芯片SIF2310。
2020-03-10 16:37:333669

國內首顆自主研發,聚芯微電子發布ToF傳感器芯片

昨天聚芯微電子發布了國內首顆自主研發、背照式、高分辨率、用于3D成像的飛行時間(ToF)傳感器芯片
2020-03-11 14:40:244750

合肥微納MEMS紅外溫度傳感器芯片性能指標精度達到0.1℃ 日產量將提升至日產10萬顆以上

合肥高新集團報道,合肥微納傳感技術有限公司通過科研攻關,自主研發MEMS紅外溫度傳感器芯片。該芯片可以完成進口替代,是疫情防控利器額溫槍的核心部件。
2020-04-10 15:57:034559

兆易創新DRAM芯片自主研發及產業化項目完成資金募集

公告顯示,兆易創新DRAM芯片研發及產業化項目計劃投資總額約40億元,擬投入募集資金33億元。兆易創新擬通過本項目,研發1Xnm級(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術,設計和開發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片
2020-08-17 16:44:292983

蔚來正在規劃自主研發自動駕駛計算芯片

10月21日,有報道稱蔚來正在規劃自主研發自動駕駛計算芯片,該計劃尚處于早期,主要由蔚來汽車董事長兼CEO李斌推動。
2020-10-21 16:45:281033

洛微科技自主研發的純固態LiDAR硅光子相控陣芯片獲獎

洛微科技(LuminWave)自主研發的純固態LiDAR硅光子相控陣芯片榮獲2020年度最具潛力IC設計企業獎。 11月3日,2020年度硬核中國芯領袖峰會暨評選頒獎盛典在深圳隆重舉辦,作為半導體
2020-11-05 10:50:201492

洛微科技自主研發芯片獲“2020年度最具潛力IC設計企業”獎

洛微科技(LuminWave)自主研發的純固態LiDAR硅光子相控陣芯片榮獲2020年度最具潛力IC設計企業獎。 11月3日,2020年度硬核中國芯領袖峰會暨評選頒獎盛典在深圳隆重舉辦,作為半導體
2020-11-04 16:52:132795

合肥將打造全市首個量子計算創新創業平臺

據《合肥晚報》報道,合肥市公共資源交易中心表示,合肥將打造全市首個量子計算創新創業平臺。
2020-11-23 10:59:391287

SK電訊發布自主研發的AI芯片SapeonX220

Telecompaper 11月25日消息,SK電訊推出了其自主研發的AI芯片SapeonX220,同時公布了其AI半導體業務戰略。
2020-11-27 09:32:221910

蘋果已啟動首個內部基帶芯片研發

據外媒消息,蘋果硬件技術部門高級副總裁約翰尼·斯魯吉在員工會議上披露,蘋果已經啟動了首個內部基帶芯片研發。雖然未透露產品出貨時間或搭載iPhone產品的代際,不過,蘋果自研基帶芯片顯然是籌謀已久的行動。
2020-12-14 10:39:031271

合肥長鑫加速開發17nm工藝內存研發

在量產國內首個8Gb DDR4芯片之后,合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開發17nm工藝的DDR5內存研發及生產。
2020-12-18 09:53:144084

美光1αDRAM芯片工藝可提升密度40%

美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術有望DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產DDR4和LPDDR4內存,未來或將但覆蓋美光所有類型的DRAM
2021-01-29 15:03:442202

新成果有望解決自主研發光刻機的“卡脖子”難題

芯片制造的產業鏈中,光刻機是必不可少的精密設備,是集成電路芯片制造中最復雜和關鍵的工藝步驟。“我國EUV光刻機的自主研發還有很長的路要走,基于SSMB的EUV光源有望解決自主研發光刻機中最核心的‘卡脖子’難題。”唐傳祥說。
2021-03-10 15:45:512908

新思科技為馬里亞納 MariSilicon X芯片研發提供大力支持

日前OPPO正式發布了首個自主設計、自主研發芯片——馬里亞納 MariSilicon X,搭載這款影像專用NPU芯片的OPPO Find X系列新機將于2022年第一季度上市銷售。
2021-12-24 09:39:271389

全球首個2nm芯片是哪個國家的

全球首個2nm芯片是哪個國家的?全球首個研發出2nm芯片的國家亦不是臺積電,也不是三星,更不是聯發科,而是來自美國的IBM。
2022-06-29 16:34:144184

商湯掛牌首個AR全國產業運營中心,賦能合肥元宇宙產業建設

近日,商湯科技首個AR全國產業運營中心在合肥包河區中國視界大樓正式掛牌。
2023-02-24 11:29:31631

國產首個量子芯片設計工業軟件“本源坤元”正式上線

4月30日,合肥本源量子計算科技有限責任公司(后簡稱“本源量子”)正式發布首個國產量子芯片設計工業軟件(以下簡稱“Q-EDA”)——本源坤元(OriginUnit)。全球用戶可通過本源量子云平臺直接
2022-05-10 17:17:05462

DRAM的技術研發趨勢

在2023年2月在國際學會ISSCC上,三星電子正是披露了公司研發的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:58784

三星正在研發新型LLW DRAM存儲器

近日,三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282

國產內存條量產,DRAM芯片產業發展提速!

近兩年,國內存儲產業發展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產、DDR4內存芯片量產,實現從0到1的突破。 今年,基于長江存儲64
2020-07-14 09:26:5710613

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