7月20日，東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達(dá)1.33Tb，預(yù)計(jì)將在2018下半年開始批量出貨，并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費(fèi)級(jí)閃存產(chǎn)品。

QLC制造工藝相比TLC具有更高的要求，TLC需要8種電壓范圍，而QLC則需要16種電壓范圍。西部數(shù)據(jù)硅技術(shù)和制造執(zhí)行副總裁Siva Sivaram表示：“96層QLC是建立在64層QLC的基礎(chǔ)上而實(shí)現(xiàn)的，得益于西部數(shù)據(jù)的硅處理、器件工程和系統(tǒng)集成能力，全新的QLC利用16個(gè)不同的電壓狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，是西部數(shù)據(jù)第二代4bits/cell產(chǎn)品。”

西部數(shù)據(jù)表示，在96層QLC先進(jìn)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)下，將滿足客戶在零售、移動(dòng)、嵌入式、數(shù)據(jù)中心/企業(yè)等領(lǐng)域的存儲(chǔ)需求，預(yù)計(jì)未來(lái)QLC NAND將在這些應(yīng)用中占據(jù)主流地位，猶如當(dāng)初TLC取代MLC成為主流應(yīng)用一樣。

西部數(shù)據(jù)96層3D QLC面世，3D NAND技術(shù)進(jìn)入新高度，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇

2018上半年三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等紛紛提高64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，導(dǎo)致市場(chǎng)由缺貨轉(zhuǎn)為供過(guò)于求，NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下滑。為了進(jìn)一步優(yōu)化成本，提高在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力，5月份美光和英特爾宣布量產(chǎn)64層3D QLC，7月份三星宣布量產(chǎn)96層3D技術(shù)，且單顆Die容量均可達(dá)到1Tb，拉開了新一輪技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的序幕。

今日，西部數(shù)據(jù)和東芝宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），現(xiàn)在已進(jìn)入送樣階段，預(yù)計(jì)將在2018下半年量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)和東芝96層QLC NAND的單Die容量最高可達(dá)1.33Tb，是目前業(yè)界最高密度的3D NAND。隨著3D NAND技術(shù)發(fā)展進(jìn)入新的高度，原廠之間的競(jìng)爭(zhēng)加劇。

9月19日在深圳舉辦的CFMS2018峰會(huì)上，西部數(shù)據(jù)、三星、美光、英特爾等將進(jìn)行3D NAND技術(shù)、市場(chǎng)應(yīng)用、全球戰(zhàn)略等主題演講。

2019年1Tb容量有望成為主流應(yīng)用，將助力SSD向TB級(jí)推進(jìn)

2018年64層3D NAND單顆Die容量以256Gb和512Gb為主，隨著3D NAND供貨增加，以及容量增大，使得SSD市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下滑。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket最新報(bào)價(jià)，240GB TLC SSD價(jià)格已下滑至41美金，2018年累計(jì)跌幅超過(guò)30%，并跌破歷史低點(diǎn)，而高容量?jī)r(jià)格的持續(xù)下滑，有望刺激市場(chǎng)主流需求由128GB向240GB升級(jí)，并刺激市場(chǎng)需求增加。

隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，各家原廠聚焦新一代QLC和96層3D NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，且單顆Die容量提高到1Tb以上，相較于64層3D NAND技術(shù)容量翻倍。為了搶占市場(chǎng)先機(jī)，主控廠Marvell、慧榮、群聯(lián)、聯(lián)蕓、得一、點(diǎn)序科技等紛紛針對(duì)QLC或96層3D NAND技術(shù)進(jìn)行控制芯片的布局，預(yù)計(jì)2019年96層1Tb容量將逐步增加在市場(chǎng)上的應(yīng)用，且將SSD容量向TB級(jí)推進(jìn)，迎來(lái)大容量需求爆發(fā)。