資料來源:Kioxia Kioxia(原為東芝存儲)有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品,與QLC NAND閃存相比,該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據(jù)DigiTimes的消息人士報道,NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源,最有可能是SK Hynix,美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時,選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅V匾?閃存控制器還必須足夠靈活,以進行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455 與內(nèi)存有關(guān)的錯誤,屬于那種最令人驚恐的錯誤。在時間和空間上,經(jīng)常在距離錯誤源一段距離之后才表現(xiàn)出來。將錯誤的數(shù)據(jù)寫到錯誤的位置,你的程序可能在最終失敗之前運行了一段時間。 下面列舉并分析了與內(nèi)存有關(guān)的幾種錯誤:
2023-06-20 10:41:50549 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 該行業(yè)非常重視單個ECC代碼的強度:但經(jīng)常被忽視的是錯誤預(yù)防的強度,這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實現(xiàn)最低的故障率?您可能已在工程團隊或存儲系統(tǒng)供應(yīng)商之間進行過
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
K9F5608UOA閃存塊的大小為16K,每頁的大小是512字節(jié),每頁還16字節(jié)空閑區(qū)用來存放錯誤校驗碼空間(有時也稱為out-of-band,OOB空間);在進行寫操作的時候NAND閃存每次將一個字節(jié)的數(shù)據(jù)放入
2014-04-23 18:24:52
的大小為16K,每頁的大小是512字節(jié),每頁還16字節(jié)空閑區(qū)用來存放錯誤校驗碼空間(有時也稱為out-of-band,OOB空間);在進行寫操作的時候NAND閃存每次將一個字節(jié)的數(shù)據(jù)放入內(nèi)部的緩存區(qū)
2013-04-02 23:02:03
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表,斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI(高達x4)和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是,如果它支持NAND閃存,我不太清楚嗎?我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺,我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
目前,針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛的大家,任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板,并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr?我走對路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性,您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺,由于速度需求,不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
嗨,我們想用Spartan 6汽車級FPGA(XA6SLX100-2FGG484Q-ND)設(shè)計一種新的PCB。請為設(shè)計指定SPI配置閃存,因為Xilinx(間接編程簡介 - SPI或BPI閃存)中列出的所有SPI閃存都是合法的。請建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動U-BOOT的設(shè)計思路
2021-04-27 07:00:42
你好,使用未被配置數(shù)據(jù)占用的配置閃存的剩余內(nèi)存有哪些規(guī)則?我在我的8Mb閃存的最后16個地址放置了一個16字節(jié)的哈希值,它配置了一個Spartan 6 LX25。配置數(shù)據(jù)僅占用大約4/5的地址。謝謝
2019-06-26 08:41:22
我在我的設(shè)計中使用Xilinx XCF128X-FTG64C平臺閃存?,F(xiàn)在我正在嘗試使用Virtex-6 FPGA進行PCB布局和布線存儲器。我還沒有找到有關(guān)內(nèi)存跟蹤長度匹配的任何信息。但我在
2019-09-03 09:33:44
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器,主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:0326
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年
2010-08-30 15:48:01183 韓國三星電子公司周一說,它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36389 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報道,日本爾必達公司表態(tài)計劃收購美國Spansion(飛索半導(dǎo)體)旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲器,這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后,內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報,盡管超級本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤(SSD)不斷增加,但與NAND閃存供應(yīng)商相比,專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14807 東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%,為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 內(nèi)存市場日益擴大,研調(diào)機構(gòu) IC Insights 最新報告預(yù)測,DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復(fù)合增長率(CAGR)可達 7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴增至 1,099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 本來這幾天有關(guān)于華為P10閃存造假的問題已經(jīng)沒有前幾天那么火熱了,可是,今天貼吧再曝光華為旗下兩款手機閃存有問題。
2017-04-25 10:09:1013874 目前,東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片,即QLC閃存,這也意味著QLC SSD將要來臨。那么,它與TLC閃存又有什么區(qū)別,能否取代TLC成為SSD主流閃存之選?
2017-08-01 10:21:1393396 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼,完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡,為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境,如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等,其功能類似于PC機的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以來,NAND閃存價格一直在下滑,市場供需情況已經(jīng)變了,本來預(yù)計Q3季度會有蘋果新機拉貨導(dǎo)致的需求提升,藉此提振下NAND價格,不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了,Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑,這種情況持續(xù)下去,不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片,國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以啟動或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機/發(fā)射機(UART)。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價格低,速度快,壽命長,許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 據(jù)外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后,NAND閃存(flash)市場在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了,從而導(dǎo)致價格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570 。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中,并且是非易失性存儲器技術(shù)的典范,但關(guān)于嵌入式閃存技術(shù)仍有一些錯誤的觀念,這正是我想要努力澄清的。
2018-09-16 10:43:13806 為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存,如果能在微處理器上的NAND 閃存中實現(xiàn)U-BOOT的啟動,則會給實際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器,也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01485 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元(SLC)NAND閃存,并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能(ECC)。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2018-10-25 17:37:1818 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26582 2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價,迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 NAND閃存與機械存儲設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非?!笨煽康?。服務(wù)器通常具有錯誤檢測(并且可能是校正)電路,但消費者和商業(yè)機器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類型。最常見的兩種是NOR閃存和NAND閃存。
2019-12-05 11:54:343576 我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲介質(zhì),所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分,其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞,而我們目前常見的NAND閃存主要有四種類型:Single
2020-01-01 09:31:003412 任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 NAND Flash是目前閃存中最主要的產(chǎn)品,具備非易失,高密度,低成本的優(yōu)勢,其陣列內(nèi)部包含由晶體管構(gòu)成的行列單元。
2020-02-24 17:57:302242 2020年4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522653 的投資額就達8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資,以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力,此次再度大舉投資擴產(chǎn),或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進,再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會期間,NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安(Andy Hsu)進行了詳細(xì)的演講,介紹了該公司全新 X-NAND 閃存架構(gòu),該架構(gòu)有望將 SLC 閃存的速度
2020-11-15 09:27:402041 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 電流互感器應(yīng)用中的一個錯誤觀念: 電流互感器適用范圍廣泛,在電路檢驗電流量、與電度表互相配合接線計量檢測功率因素、無功負(fù)荷耗電量。進行二次繼電保護裝置設(shè)備電動機的維護保養(yǎng)等方面許多運用。租賃廠房
2021-02-19 16:13:23330 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存,加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:002580 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 本文檔重點介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲器控制器(Static Memory Controller,SMC)的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么?
2021-04-01 17:50:562894 EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 NAND 閃存內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET(金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效應(yīng)晶體管), 與普通場效應(yīng)晶體管的不同之處在于,在柵極(控制柵)與漏極/源極之間存在浮置柵,利用該浮置柵存儲數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 內(nèi)存控制器的未來與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣,它們受摩爾定律的約束。雖然存儲類存儲器 (SCM) 可能會因新架構(gòu)而獲得關(guān)注,但存儲器控制器市場仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27694 本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415 在NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲時,他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無需直接設(shè)計預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 與內(nèi)存有關(guān)的錯誤屬于那種最令人驚恐的錯誤。在時間和空間上,經(jīng)常在距離錯誤源一段距離之后才表現(xiàn)出來。將錯誤的數(shù)據(jù)寫到錯誤的位置,你的程序可能在最終失敗之前運行了一段時間。
2023-06-20 10:41:14250 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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