目前正在研發(fā)、將來終將成為主流射頻收發(fā)器的CMOS射頻電路的體系結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計，設(shè)計實例將展示CMOS射頻電路的良好性能，并預(yù)示CMOS射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路實現(xiàn)系統(tǒng)集成。
2014-10-09 14:02:55
1910 
5月18日，杭州地芯科技有限公司新品發(fā)布會在上海順利舉行，全球范圍內(nèi)率先發(fā)布基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——地芯云騰GC0643。地芯云騰是地芯科技完全自主創(chuàng)新的CMOS工藝
2023-05-19 09:39:53234 
SOI可以實現(xiàn)器件堆疊（device stacking），從而同時提高了功率與能效比；再次，RF SOI工藝采用的襯底降低了寄生效應(yīng)，這樣制造出來的射頻芯片品質(zhì)因數(shù)更高、損耗更低、噪聲系數(shù)更好，同時
2017-07-13 08:50:15
波濾波器全部采用CMOS單片器件。此RFeIC設(shè)計用于802.11b/g/n/ac應(yīng)用程序工作頻率2.4GHz。性能優(yōu)越，靈敏度高而且效率高，噪音低，體積小，成本低RFX2402E是單天線應(yīng)用的理想
2019-11-08 17:07:27
CMOS射頻電路的發(fā)展趨勢如何？
2021-05-31 06:05:08
`CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計`
2015-10-21 15:06:35
CMOS射頻集成電路功率放大器設(shè)計，CMOS射頻集成電路功率放大器設(shè)計，CMOS射頻集成電路功率放大器設(shè)計
2013-06-15 23:28:18
CMOS是一個簡單的前道工藝，大家能說說具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
問:為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區(qū)別啊？答:為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
CMOS工藝鋰電池保護電路圖的實現(xiàn)
2012-08-06 11:06:35
。NMOS器件的ft參數(shù)將逐漸接近NPN器件的ft。??盡管多年前就展開了一些有關(guān)采用CMOS工藝的射頻設(shè)計研究，但直到最近幾年人們才真正關(guān)注實現(xiàn)該技術(shù)的可能性。目前，業(yè)界有幾個研究組正從事該主題的研究
2021-07-29 07:00:00
CMOS電源模塊，為什么需要自帶一個3.6V的電池？某品牌冗余電源模塊，其冗余機制是采用CMOS來分配主備電源，但其帶有一個3.6V的電池，官方說明說該電池是為CMOS的存儲提供能量。在此，我想了
2018-06-16 12:19:40
`2.4 GHz CMOS工藝 高效單芯片射頻前端集成芯片 產(chǎn)品介紹 AT2401C 是一款面向Zigbee，無線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片
2018-07-28 15:18:34
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
各射頻模塊將逐步被集成到標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS或CMOS集成電路中，但還是有幾類射頻元件的集成不太容易做到，其中就包括射頻濾波器。所有的移動電話都需要射頻濾波器以保護敏感的接收（Rx）信道，使之免受其他用戶
2019-06-21 08:02:22
全球知名的半導(dǎo)體廠商羅姆(ROHM)公司推出了采用CMOS工藝的具有超低電流消耗特性的高精度監(jiān)控IC，它們符合汽車應(yīng)用的AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，在整個工作溫度范圍內(nèi)釋放電壓精度為±50 mV。電壓監(jiān)控
2019-03-18 05:17:04
采用CC1100的無線射頻模塊電路圖
2019-10-16 09:11:43
采用印刷臺手工印刷焊膏的工藝看完你就懂了
2021-04-25 07:06:44
。 ADC0809是美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的CMOS工藝8通道，8位逐次逼近式A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器。其內(nèi)部有一個8通道多路開關(guān)，它可以根據(jù)地址碼鎖存譯碼后的信號，只選通8路模擬輸入信號中的...
2021-07-20 06:30:02
公司的TD射頻芯片：“射頻方面，銳迪科和鼎芯都強調(diào)CMOS工藝的先進性(我想主要是低成本優(yōu)點，廣晟的RS1012采用BiCMOS工藝)；廣晟和銳迪科采用TD/GSM雙模方案，對于未來2年~3年雙模方式將并存
2019-07-05 06:53:47
產(chǎn)品介紹AT2401C 是一款面向Zigbee，無線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片。AT2401C 是采用CMOS 工藝實現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成
2019-07-17 12:22:28
Autolabor ROS驅(qū)動模塊包含哪些？Autolabor ROS驅(qū)動模塊的節(jié)點有何功能？
2021-09-23 08:08:43
.H文件有何作用？C語言模塊化中的.C文件和.H文件有何關(guān)系？
2021-11-02 07:18:06
KM3模塊是什么？KM3模塊的鍵盤有何功能呢？如何去測試KM3模塊的鍵盤功能？
2022-02-24 07:48:04
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何區(qū)別？MOSFET是MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體) 做柵極MODFET/MESFET 是用金屬-半導(dǎo)體接觸(肖特基二極管)，用二極管做柵極，速度比
2022-01-25 06:48:08
Pcb的哪些工藝要求會影響射頻的發(fā)射距離
2019-09-28 21:39:45
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
`目錄：1 范圍 2 規(guī)范性引用文件 3 術(shù)語和定義 4 印制板基板 5 PCB設(shè)計基本工藝要求 6 拼板設(shè)計 7 射頻元器件的選用原則 8 射頻板布局設(shè)計 9 射頻板布線設(shè)計 10 射頻PCB設(shè)計的EMC 11 射頻板ESD工藝 12 表面貼裝元件的焊盤設(shè)計 13 射頻板阻焊層設(shè)計 下載鏈接：`
2018-03-26 17:24:59
功率放大器模塊多采用將GSM和DCS兩個頻段的單頻射頻功率放大器管芯以及對應(yīng)的輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和CMOS控制器封裝至一個芯片模塊，從而實現(xiàn)雙頻工作。SP4T射頻開關(guān)模塊多采用將GSM/DCS雙頻濾波器
2019-07-08 08:21:18
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
最近幾年，我們已經(jīng)開始看到一些有關(guān)射頻(RF)CMOS工藝的參考文獻和針對這些工藝的RF模型參考文獻。本文將探討這類RF所指代的真正含義，并闡述它們對RF電路設(shè)計人員的重要性。我們可以從三個角度
2019-06-25 08:17:16
，已經(jīng)投資350 億美元擴展其基于CMOS 的射頻功率放大器業(yè)務(wù)。目前絕大多數(shù)功率放大器采用鍺硅（SiGe）或GaAs 技術(shù)，而非CMOS。但根據(jù)報告可知，基于CMOS 工藝有助于實現(xiàn)低成本、高性能
2020-12-14 15:03:10
二極管的主要參數(shù)有哪些？單相電風(fēng)扇采用電子式調(diào)速器有何優(yōu)點？
2021-09-27 08:39:55
模式下有非常低的噪聲系數(shù)和非常強的功率處理能力· 非常低的直流靜態(tài)功耗· 發(fā)射模式下非常低的工作電流· 全集成射頻輸入輸出端口的阻抗匹配電路，電阻均為 50Ω· 只需要非常少的外圍器件· 僅使用了可靠的 CMOS 工藝制作· 采用 16 管腳的 QFN 封裝(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
基于stm32的0.96寸 OLED驅(qū)動架構(gòu)模塊代碼有何特點？基于stm32的0.96寸 OLED驅(qū)動架構(gòu)模塊代碼有何功能？
2022-02-21 06:47:40
引言
隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓
2019-06-27 06:58:23
本文采用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了一種適用于TI-ADC的高速、低功耗開環(huán)T&H電路。
2021-04-20 06:58:59
三角波信號發(fā)生器的原理是什么？三角波信號發(fā)生器的設(shè)計約束是什么？如何采用CMOS工藝去設(shè)計三角波信號發(fā)生器？
2021-04-13 06:26:12
本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計的單片集成超高速4：1復(fù)接器。
2021-04-12 06:55:55
如何利用0.18μm CMOS工藝去設(shè)計16:1復(fù)用器？以及怎樣去驗證這種復(fù)用器？
2021-04-09 06:39:47
怎么在O.5μm CMOS工藝條件下設(shè)計一種采用電流反饋實現(xiàn)遲滯功能的旁路電壓控制電路？
2021-04-14 06:53:08
作用是控制整個收發(fā)機芯片的接收與發(fā)射狀態(tài)的切換(如圖1所示)，它連接著收發(fā)天線、低噪聲放大器和 功率放大器，是收發(fā)芯片中的關(guān)鍵模塊。傳統(tǒng)射頻收發(fā)開關(guān)的制造工藝有很多，目前市場常見的產(chǎn)品絕大部分采用
2019-07-31 06:22:33
、功率消耗方面努力。RF CMOSRF CMOS工藝可分為兩大類：體硅工藝和SOI（絕緣體上硅）工藝。由于體硅CMOS在源和漏至襯底間存在二極管效應(yīng)，造成種種弊端，多數(shù)專家認為采用這種工藝不可能制作高
2016-09-15 11:28:41
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40
本文選擇了SoC芯片廣泛使用的深亞微米CMOS工藝，實現(xiàn)了一個10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設(shè)計中的IP硬核，在多種不同應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)設(shè)計中實現(xiàn)復(fù)用。
2021-04-14 06:22:33
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個射頻功率放大器實現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開關(guān)采用高隔離開關(guān)設(shè)計，使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14
手機在向雙模/多模發(fā)展的同時集成了越來越多的RF技術(shù)。手機射頻模塊有哪些基本構(gòu)成？它們又將如何集成？RF收發(fā)器，功率放大器，天線開關(guān)模塊，前端模塊，雙工器，SAW濾波器……跟著本文，來一一認識手機射頻技術(shù)和射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧！
2019-08-12 06:44:47
處理的模擬部分提出了更高的要求，例如：在光電子接口通信場合，從OC-48到新的OC- 192,要求有能夠處理GHz以上信號的能力。 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝技術(shù)在高速電路中的地位受到懷疑，各種新型工藝發(fā)展迅速
2018-11-26 16:45:00
`CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計`
2017-01-20 18:11:40
【作者】：張科營;郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來源】：《原子能科學(xué)技術(shù)》2010年02期【摘要】：采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從亞微米到超深亞微米級7種
2010-04-22 11:50:00
結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，如圖1所示。圖1、GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊示意圖。
2019-07-30 07:50:06
cmos射頻集成電路設(shè)計這本被譽為射頻集成電路設(shè)計指南的書全面深入地介紹了設(shè)計千兆赫(GHz)CMOS射頻集
2008-09-16 15:43:18
312 RDA6205 是一款使用CMOS 工藝設(shè)計的GSM 射頻收發(fā)器，它體積小、集成度高，可以和多種常用基帶芯片配合。通過高超的射頻電路設(shè)計技巧和采用前瞻性的發(fā)射鏈路結(jié)構(gòu)，保證了芯片很高
2009-12-11 09:18:5130 射頻濾波器是無線通信系統(tǒng)的關(guān)鍵部件之一。本文根據(jù)射頻SoC的需求，設(shè)計了一種基于Q-增強型射頻有源CMOS LC型濾波器。該濾波器利用負阻抗增強電路品質(zhì)因數(shù)，可有效地解決射頻
2009-12-14 10:34:0729 本文介紹目前正在研發(fā)、將來終將成為主流射頻收發(fā)器的CMOS射頻電路的體系結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計，設(shè)計實例將展示CMOS射頻電路的良好性能，并預(yù)示CMOS射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路
2010-06-05 11:43:1819 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0.35-m CMOS工藝設(shè)計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計的功率放大器采用
2011-04-28 10:42:2366 近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利
2012-05-21 10:06:191850 
可植入、可消化、可互動、可互操作以及支持因特網(wǎng)，這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來獨特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性（bipolar）與CMOS工藝進
2012-07-16 17:54:572874 
CMOS工藝，具體的是CMOS結(jié)構(gòu)對集成電路設(shè)計有幫助，謝謝
2016-03-18 15:35:5221 CMOS射頻集成電路設(shè)計介紹。
2016-03-24 17:15:113 手機射頻技術(shù)和手機射頻模塊解讀
2017-01-12 21:57:3466 據(jù)麥姆斯咨詢報道，NANUSENS的NEMS傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝和掩膜技術(shù)制造而成。在NANUSENS的工藝中，使用HF蒸汽（vHF）通過鈍化層中的焊盤開口蝕刻金屬層間介電質(zhì)（IMD），以獲得納米傳感器的傳感結(jié)構(gòu)。
2017-10-19 15:04:046836 
（硅鍺）BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代該結(jié)束了，純CMOS工藝RF前端 IC將在未來十年內(nèi)主宰移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時代。 業(yè)界對CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通（Qualcomm）并購CMOS PA供應(yīng)商Black Sand，借以強化其RF360方案競爭力；而在2013
2017-11-09 16:35:510 硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數(shù)器件都采用體硅CMOS工藝（硅 的原材料是沙子）制造，但有一個部分卻難以實現(xiàn)，那就是射頻前端。目前射頻前端主要采用GaAs或SiGe工藝制造，但由于材料
2017-11-14 10:06:384 隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說
2017-11-23 06:29:23880 
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2017-11-25 11:07:014629 
供應(yīng)商，漢天下計劃使用其提供的RFSOI工藝設(shè)計和制造用于射頻前端（FEM）和天線開關(guān)模塊（ASM）中的開關(guān)芯片。相比傳統(tǒng)的GaAs和SOS工藝，RFSOI可以同時提供優(yōu)良的性能和低廉的成本。 RFSOI工藝非常適合用來做射頻開關(guān)的設(shè)計，基于這種先進的工藝，我們可以將MI
2017-12-05 13:22:37557 低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段，由于CMOS工藝能實現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝，因而是RF電路首選工藝，通常RF-CMOS不會與數(shù)字CMOS集成在同一個芯片上。在低頻段最重要的系統(tǒng)
2017-12-07 18:45:02446 
及工藝的復(fù)雜性，射頻前端芯片的良率并不高，而RFaxis公司采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的bulk CMOS技術(shù)制造射頻前端芯片，能夠提升射頻前端芯片生產(chǎn)水平，并降低成本。
2018-04-13 12:16:004252 
對于射頻集成電路而言，產(chǎn)品的設(shè)計周期與上市時間的縮短都是依賴仿真精確預(yù)測電路性能的設(shè)計環(huán)境的功能。為了使設(shè)計環(huán)境體現(xiàn)出高效率，精確的器件模型與互聯(lián)模型是必須要具備的，在設(shè)計工具中非常重要，對于射頻與模擬技術(shù)，器件模型決定了仿真的精度。
2019-06-04 08:13:003284 
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，選擇
2020-09-25 10:44:002 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 CMOS射頻集成電路原理和設(shè)計課件免費下載。
2021-06-08 10:05:0450 CMOS工藝流程介紹，帶圖片。
n阱的形成 1. 外延生長
2022-07-01 11:23:2027 Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成，帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:435876 CMOS 集成電路的基礎(chǔ)工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個區(qū)域，即n-MOS和p-MOS 有源區(qū)
2022-11-14 09:34:516646 CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。
2023-07-06 14:25:011788 
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41187 
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