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電子發燒友網>存儲技術>美日韓對決96層3D NAND 全球DRAM仍處于寡占狀態

美日韓對決96層3D NAND 全球DRAM仍處于寡占狀態

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2018-08-22 16:25:462115

隨著3D NAND產出的增加,2018年全球SSD出貨量有望沖刺2億臺

隨著64層/72層3D NAND產出的增加,以及原廠QLC和963D技術快速發展,NAND Flash在經歷2年漲價后,2018年市場行情從缺貨轉向供應過剩,再加上成本下滑,以及供需雙方博弈刺激下,預計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺,甚至有望沖刺2億臺。
2018-08-31 16:15:002324

SK海力士計劃明年增產963D NAND閃存

SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產963D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043196

3D工藝的轉型步伐較慢,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態

今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態,主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢,低于預期。
2018-09-16 10:38:14509

關于3D超級DRAM技術簡單剖析

就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低,NAND快閃存儲已經成功地由平面轉為3D,而DRAM還是維持2D架構;在此同時,DRAM制程的微縮也變得越來越困難,主要是因為儲存電容的深寬比(aspect ratio)隨著元件制程微縮而呈倍數增加。
2018-10-28 10:17:134781

聯蕓科技對外發布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

11月15日, 國產知名SSD主控芯片原廠聯蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對外宣布MAS0902固態硬盤主控芯片已全面支持最新963D TLC NAND 閃存顆粒,并對外提供搭載聯蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838

IDTechEX預測:到2028年,全球柔性電子市場有望達 3010億美元

美日韓等國已戰略布局柔性電子項目,其在高精尖領域將長期保持高速增長態勢,也是我國應該盡量抓住的歷史機遇。
2019-04-24 14:08:1512518

楊曦:兼具超寬和極簡的5G微波回傳解決方案已快速融入5G時代

微波作為移動回傳的重要方式之一,全球基站微波回傳占比高達約70%(中美日韓除外),因此微波回傳能力極大影響著5G準備成熟度和部署進展。
2019-05-10 17:29:2214967

日韓貿易爭端引7月份DRAM現貨價反彈 研調單位仍保守看合約市場

6月東芝停電事件,加上7月開始日韓貿易戰延燒,推動了已跌到虧損流血的NAND Flash現貨價率先反彈,結束了2年多來的空頭走勢,此波存儲器價格由NAND Flash先起漲,接下來日韓貿易戰加入下,DRAM在7月份現貨價也開始反彈。
2019-08-16 17:03:482126

中國終結了美日韓領先通信領域時代

高通服了!中國5G發展之快超出想象,美日韓領先通信領域時代結束
2019-08-24 09:52:132472

中國首款64層三維閃存芯片發布 中國邁出打破美日韓壟斷的關鍵一步

層三維閃存芯片,將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內,被視為中國打破美日韓壟斷關鍵一戰。
2019-10-08 09:19:53906

NAND進入美日韓壟斷局面 3D NAND市場競爭加劇

3D NAND的出現也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進步,厚度開始不斷降低
2019-11-14 15:52:18765

受5G的影響 DRAMNAND將迎來增長

12 月 22 日訊,據韓媒報道,市場研究公司預測,基于固態硬盤密度和性能提升,明年全球 NAND 閃存需求將增加,5G 通信、人工智能、深度學習和虛擬現實將引領明年全球 DRAMNAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647

DRAMNAND的有什么樣的區別

DRAM是目前常見的存儲之一,但DRAM并非唯一存儲器件,NAND也是存儲設備。那么DRAMNAND之間有什么區別呢?DRAMNAND的工作原理分別是什么呢?如果你對DRAMNAND具有興趣,不妨繼續往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036

如何看待3D DRAM技術?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應該能夠快速量產。
2023-05-31 11:41:58358

dramnand的區別

dramnand的區別? DRAMNAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921

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