GaN功率電子器件的技術路線
目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐GaN襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。GaN基垂直和平面導通型器件的結構簡圖如圖表2所示。
(a)垂直導通型GaNMOSFET
(b)平面導通型GaNMOSFET
圖表2基于GaN自支撐襯底的垂直導通型MOSFET 和基于Si襯底的平面導通型GaNMOSFET的結構圖
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
142文章
6943瀏覽量
211776 -
GaN
+關注
關注
19文章
1884瀏覽量
71110
原文標題：GaN（氮化鎵）推動電源新解決方案
文章出處：【微信號：gh_030b7610d46c，微信公眾號：GaN世界】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
報名 | 寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電
發表于 07-11 14:06
功率電子器件的介紹
改進控制技術來降低器件功耗，比如諧振式開關電源。總體來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件
發表于 05-08 10:08
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
發表于 11-05 09:51
電力電子器件試卷
1.電力電子器件一般工作在________狀態。 2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當器件開關頻率較高時，功率
發表于 01-12 11:31
?63次下載
《中國光電子器件產業技術發展路線圖》正式發布
隨著中國制造2025、互聯網+等國家戰略出臺,今年《中國光電子器件產業技術發展路線圖》也已經正式發布，“光電器件超精密激光焊接技術與裝備”啟
發表于 01-04 18:24
?1441次閱讀
gan基電力電子器件
該GaN功率器件可以應用在快速充電設備中, 令其避免出現受高溫熔斷的情況，進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。
SiC和GaN功率電子器件的優勢和應用
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙
發表于 02-05 14:25
?965次閱讀
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN
CGD推出高效環保GaN功率器件
近日，無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子
工商網監
評論