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關于華虹半導體90納米嵌入式閃存工藝平臺的介紹和應用

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-21 08:42 ? 次閱讀

持續創新,為全球客戶制造“芯”夢想

全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」,股份代號:1347.HK)今天宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺已成功實現量產,基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點,具有很強的市場競爭優勢。

??工藝平臺??

華虹半導體自主研發的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺,是國內最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術,可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎上,提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫,與0.11微米eFlash工藝相比,門密度提升30%以上。基于這些優點,華虹半導體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺,減小30%以上,再加上較低的光罩成本優勢,能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及MCU產品提供極佳性價比的芯片制造技術解決方案。

華虹半導體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰略工藝平臺之一,從0.35微米、0.18微米、0.11微米,到現在的90納米,一路走來,始終保持著業界領先地位,穩定可靠的工藝平臺為多家客戶提供了優質產品,受到客戶廣泛認可。同時,公司通過持續在該技術領域的深耕發展,已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士 ?????????????????表示,???????????????

華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術方面的專家,能夠在相對更小的芯片上發揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產將推動新一代應用的快速發展。公司將通過進一步縮小Flash基本存儲單元、提升基本單元庫的集成度、并減少光罩層數,持續追求具有更小芯片和更低成本的解決方案,繼續成為智能卡及微控制器等多種快速發展的嵌入式非易失性存儲器應用的首選半導體代工公司。

華虹半導體(股份代號:1347.HK)是全球具領先地位的200mm純晶圓代工廠,主要專注于研發及制造專業應用的200mm晶圓半導體,尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。集團的技術組合還包括RFCMOS、模擬及混合訊號、電源管理MEMS等若干其他先進工藝技術。根據IHS的資料,按2015年銷售收入總額計算,集團是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團生產的半導體被應用于不同市場(包括電子消費品、通訊、計算機、工業及汽車)的各種產品中。利用自身的專有工藝及技術,集團為多元化的客戶制造其設計規格的半導體。通過位于上海的三座晶圓廠,集團目前的200mm晶圓加工能力在中國名列前茅,截至2015年12月31日合計約為每月146,000片。同時,考慮到工藝的性能、成本及制造良率,集團亦提供設計支持服務,以便對復雜的設計進行優化。

華虹半導體有限公司現時主要業務透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(「華虹宏力」)開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設合并而成。

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