德州儀器公司正在準備基于新工藝技術的第一批元件，該公司認為這將使數字邏輯與模擬功能的集成度提高20倍。

第二季度推出，BiCom-II工藝將進行TI先進模擬產品技術人員的高級成員Jim Quarfoot表示，能夠將高性能雙極性模擬與CMOS邏輯集成，從而以更低的功耗提高混合信號器件的性能。

是我們模擬和混合信號處理發展的下一步，“Quarfoot說。 “過去，模擬和數字技術仍然是世界分開的.TI的BiCom-II工藝將這些世界結合在一起，未來的工藝開發將使它們更加接近?！?/p>

新工藝有望受益諸如有線和數字用戶線驅動器和接收器，運算放大器和可編程增益放大器等產品。

BiCom-II工藝是TI三年前推出的BiCom-I工藝的擴展。雖然BiCom-I基于30V工藝，并且生產的器件主要工作在15V，但BiCom-II的模擬部分是15V工藝，工作電壓為5V。還增加了一個5 V CMOS功能的掩模。

“我們現在可以在任何設備上放置非常緊湊的高密度邏輯，以及高速模擬，”Quarfoot說。

片上CMOS邏輯功能比傳統雙極邏輯需要更少的硅面積，成本更低，功耗更低，他說。這將使BiCom-II制造的器件能夠支持CMOS邏輯功能，其柵極密度是之前工藝的20倍。他說，它將使標準數字功能庫與模擬模塊集成，以及使用標準數字設計工具。

該過程還使用薄膜電阻，晶體管的介質隔離用于提高模擬和數字電路與激光可調金屬鏈路之間的抗噪性。