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關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

cROa_英飛凌 ? 來源:djl ? 2019-09-24 14:22 ? 次閱讀

CoolMOS CFD7是英飛凌最新的具有集成快速體二極管高壓技術,補全了CoolMOS 7系列。它是高功率SMPS應用(如服務器、電信設備和EV充電站等)中的諧振拓撲結構的理想選擇。

伴隨5G物聯網時代的到來,全球市場的智能終端數量在急劇攀升,而為了確保高帶寬、高質量的5G通信傳輸,基站等電信設備的大規模鋪設成為了必要的措施。同時,云端的服務器需求也在增加,源于云計算、大數據、AI等前沿技術都與通信產業密不可分。更不用說無人駕駛新能源興起帶來的EV充電站發展機遇。在一名電源工程師的眼中,這些場景都離不開高功率的SMPS應用。于是小編忍不住要馬上公開一個秘訣……

究竟是什么秘訣呢?

英飛凌高性能CoolMOS CFD7 系列,在高功率SMPS應用的諧振拓撲結構設計中搶占先機!

英飛凌最新推出的CoolMOS CFD7系列是CoolMOS CFD2系列的后繼產品。與競爭對手相比,CoolMOS CFD7 降低了門極電荷(Qg),大大改善了關斷行為,反向恢復電荷(Qrr)降低了高達69%,而且反向恢復時間(trr)在業內上是最短的。由于這些特性,CoolMOS CFD7 在諸如LLC和ZVS相移全橋之類的軟開關拓撲中提供了最高的效率和一流的可靠性。此外,由于優化了的RDS(on),CoolMOS CFD7可實現更高的功率密度。

這些最新的快速體二極管系列通過將快速開關技術的優點與卓越的換向穩健性結合在一起,并保持在設計過程中的易實現性,因此與競爭對手產品相比,具有明顯的優勢。

600V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET——英飛凌給諧振拓撲的解決方案

1主要特性

超快速體二極管

一流的反向恢復電荷 (Qrr)

改進的反向二極管dv/dt和dif/dt耐久性

極低的FOM RDS(on)x Qg和Eoss

一流的RDS(on)/封裝結合

2主要優勢

流的硬換向穩健性

在于諧振拓撲結構中具有最高可靠性

高效率與杰出的易用性/性能的平衡

提升的功率密度解決方案

都說英飛凌技術水平節節高,除了上邊提及的主要特性與優勢外,600VCoolMOS CFD7 SJ MOSFET將之前CoolMOS CFD2系列世界領先的反向恢復電荷(Qrr)水平再降低32%,實現了裸開關拓撲領域的最高可靠性,避免了特定情況下可能發生的整流問題,能夠面向目標市場提供最優匹配效率。

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

170 mΩ CFD與190 mΩ范圍內的競爭對手產品的Qrr比較

以600V的IPW60R070CFD7為例,我們從下圖顯示的應用測量結果也可以看出,最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關拓撲結構中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上的主要競爭對手相比,能效可增加高達1.45%,而且超出目標應用的要求,這就是英飛凌業界領先技術的BIGGER所在。

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

CoolMOS CFD7系列與競爭對手產品的能效比較

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

600V CoolMOS CFD7產品系列全家福

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