在電源電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT（隔離式柵極驅(qū)動器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。

然而，快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，需要為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還需要執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器時(shí)，某些特性也是至關(guān)重要的。

圖1：隔離式柵極驅(qū)動器ADuM4135的簡化原理圖

電流驅(qū)動能力

在開關(guān)期間，晶體管會處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將導(dǎo)致一定的損耗，具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間（參見圖2）。柵極驅(qū)動器的一個(gè)目標(biāo)是要盡可能縮短這些時(shí)間段。此處的主要影響因素是晶體管的柵極電容，為實(shí)現(xiàn)開關(guān)必須對其進(jìn)行充電/放電。增大瞬態(tài)電流會加速此過程。

圖2：晶體管各個(gè)損耗分量的簡化表示

因此，能夠在更長時(shí)間內(nèi)提供更高柵極電流的驅(qū)動器對開關(guān)損耗更能起到積極作用。例如，ADuM4135可以提供高達(dá)4A的電流。取決于不同的IGBT，這可能會使開關(guān)時(shí)間處于很小的幾ns范圍內(nèi)。

時(shí)序

開關(guān)時(shí)間最小化的決定性因素是輸出上升時(shí)間（tR）、下降時(shí)間（tF）和傳播延遲（tD）。傳播延遲定義為輸入沿到達(dá)輸出所需的時(shí)間，并取決于驅(qū)動器輸出電流和輸出負(fù)載。傳播延遲通常伴隨脈沖寬度失真（PWD），其為上升沿時(shí)延和下降沿時(shí)延之間的差值：

因?yàn)轵?qū)動器通常具有多個(gè)輸出通道，所以盡管采用相同的輸入驅(qū)動，但仍會具有不同的響應(yīng)時(shí)間，因此會產(chǎn)生小的附加偏置，即傳播延遲偏斜（tSKEW）。

圖3：具有多個(gè)輸出的柵極驅(qū)動器的時(shí)序行為

圖4：具有多個(gè)輸出的柵極驅(qū)動器的簡單原理圖

隔離耐受電壓

在電力電子中，出于功能和安全考慮需要進(jìn)行隔離。由于采用了柵極驅(qū)動器（例如在驅(qū)動技術(shù)中采用半橋拓?fù)湫问剑虼藭c較高的總線電壓和電流接觸，必須進(jìn)行隔離。

功能方面，進(jìn)行隔離的原因是功率級的驅(qū)動通常發(fā)生在低壓電路中，因此無法驅(qū)動半橋拓?fù)涞母叨碎_關(guān)，因?yàn)榈投碎_關(guān)同時(shí)打開時(shí)，高端開關(guān)的電位較高。同時(shí)，隔離代表著發(fā)生故障時(shí)高壓部分與控制電路可靠隔離，從而可以進(jìn)行人為接觸。隔離式柵極驅(qū)動器的Viso（隔離耐壓等級）通常為5kV（rms）/min或更高。

抗擾度

惡劣的工業(yè)環(huán)境要求其中的應(yīng)用對干擾源具有優(yōu)異的抗擾度或抗干擾性。例如，RF噪聲、共模瞬變和干擾磁場是關(guān)鍵性因素，因?yàn)樗鼈兛梢?a href="http://www.nxhydt.com/tags/耦合/" target="_blank">耦合到柵極驅(qū)動器中，并且會激勵功率級，使其在不希望的時(shí)間內(nèi)做出開關(guān)動作。隔離式柵極驅(qū)動器的共模瞬變抗擾度（CMTI）定義了抑制輸入和輸出之間共模瞬變的能力。例如，ADuM4121具有出色的大于150kV/μs的規(guī)格值。

本文提到的參數(shù)僅代表柵極驅(qū)動器規(guī)格的一部分，并不代表完整列表。其他決定性因素包括工作電壓、電源電壓、溫度范圍以及附加集成功能（如米勒箝位和去飽和保護(hù)）。因此，可根據(jù)應(yīng)用需求選擇各種不同的柵極驅(qū)動器。