根據臺積電在第二十四屆年度技術研討會中的說明，SoIC是一種創新的多芯片堆疊技術，是一種晶圓對晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術，這是一種3D IC制程技術，可以讓臺積電具備直接為客戶生產3D IC的能力。

讓外界大感驚艷的是，SoIC技術是采用硅穿孔（TSV）技術，可以達到無凸起的鍵合結構，可以把很多不同性質的臨近芯片整合在一起，而且當中最關鍵、最神秘之處，就在于接合的材料，號稱是價值高達十億美元的機密材料，因此能直接透過微小的孔隙溝通多層的芯片，達成在相同的體積增加多倍以上的性能，簡言之，可以持續維持摩爾定律的優勢。

據了解，SoIC是基于臺積電的CoWoS（Chip on wafer on Substrate）與多晶圓堆疊（WoW）封裝技術開發的新一代創新封裝技術，未來將應用于十納米及以下的先進制程進行晶圓級的鍵合技術，被視為進一步強化臺積電先進納米制程競爭力的利器。2018年10月，臺積電在第三季法說會上，已針對萬眾矚目的SoIC技術給出明確量產時間，預期2020年開始挹注臺積電的營收貢獻，至2021年將會大量生產，挹注臺積電更加顯著的營收貢獻。

六月，臺積電赴日本參加VLSI技術及電路研討會發表技術論文時，也針對SoIC技術揭露論文，論文中表示SoIC解決方案將不同尺寸、制程技術及材料的裸晶堆疊在一起。相較于傳統使用微凸塊的三維積體電路解決方案，臺積電的SoIC的凸塊密度與速度高出數倍，同時大幅減少功耗。此外，SoIC能夠利用臺積電的InFO或CoWoS的后端先進封裝至技術來整合其他芯片，打造強大的3D×3D系統級解決方案。

外界咸認，從臺積電最初提出的2.5版CoWoS技術，至獨吃蘋果的武器InFO（整合型扇型封裝）技術，下一個稱霸晶圓代工產業的，就是SoIC技術。

攤開臺積電公布的2019年第一季財報，10納米及以下納米制程的營收貢獻，已大大超越16納米制程的營收貢獻，凸顯出未來十納米及以下先進制程已勢不可當。

也因此，2019年，電子設計自動化（EDA）大廠，如益華電腦（Cadence）、明導國際（Mentor）、ANSYS皆已相繼推出支援臺積電SoIC的解決方案，并已通過臺積電認證，準備迎接SoIC輝煌時代的來臨。