在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中,當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無法放入片上閃存或SRAM時,開發(fā)者通常考慮使用SDRAM。
別問我為什么你的MCU不支持SDRAM
SDRAM是同步動態(tài)隨機存取存儲器的縮寫。在微控制器應(yīng)用中,微控制器通過使用外部存儲控制器(EMC)操作訪問SDRAM ,SDRAM時鐘頻率通常為100MHz或133MHz。
外部存儲控制器通常不支持DDR SDRAM, 數(shù)據(jù)只是單邊沿采樣,即并行數(shù)據(jù)總線可以接受一個命令并在每個時鐘周期傳輸一個數(shù)據(jù)字。
在SDRAM中執(zhí)行程序是使用SDRAM的一種典型用法, 小編這里就介紹一下SDRAM中執(zhí)行程序的方法和SDRAM執(zhí)行程序的性能基準。
SDRAM初始化 SDRAM必須在使用前進行配置,SDRAM初始化分為6個步驟。
配置EMC寄存器的SDRAM時鐘頻率、字節(jié)順序和時序參數(shù)。
SDRAM的時序比較復(fù)雜,用戶需要通過查閱相關(guān)SDRAM芯片的手冊獲得時序參數(shù)(如刷新周期、預(yù)充電命令周期、自刷新退出時間、寫恢復(fù)時間等等)。
發(fā)送NOP命令
發(fā)送預(yù)充電命令
發(fā)送兩次自動刷新命令
設(shè)置SDRAM模式
發(fā)送正常運行命令
系統(tǒng)啟動時,SDRAM尚未初始化。理論上,程序在系統(tǒng)啟動后的任何時刻都可以進行SDRAM初始化。然而,由于SDRAM初始化過程比較復(fù)雜,使用的系統(tǒng)資源較多,SDRAM初始化必須在所需的系統(tǒng)資源初始化完成后再進行。
具體上講,開發(fā)者在芯片剛剛啟動時(如Reset_Handler中)初始化SDRAM需要留心以下細節(jié):
由于SDRAM初始化函數(shù)使用系統(tǒng)堆棧或全局變量,開發(fā)者必須確保系統(tǒng)堆棧或全局變量所在的物理內(nèi)存上電及時鐘使能。
在程序跳轉(zhuǎn)到主程序啟動之前,全局變量未清零或初始化,如果在主函數(shù)之前執(zhí)行SDRAM初始化,開發(fā)者必須手動初始化變量。
舉個例子,在LPC5460x中,開發(fā)者需要在SystemInit函數(shù)中初始化SDRAM,該函數(shù)(SystemInit)由Reset_Handler調(diào)用。在調(diào)用系統(tǒng)初始化之前,要通過設(shè)置AHBCLKCTRLSET0寄存器將SRAM時鐘使能。
Reset_Handler PROC EXPORT Reset_Handler
[WEAK] IMPORT SystemInit IMPORT __main ; clock control SRAM1/SRAM2/SRAM3 for stack LDR
r0, = 0x40000220 ; AHBCLKCTRLSET0 MOV
r1, #0x38 STR
r1, [r0] LDR
r0, =SystemInit BLX
r0 LDR r0, =__main BX
r0 ENDP
SDRAM存儲器布局 當(dāng)使用SDRAM時,外部存儲控制器(EMC)分配SDRAM一定的地址空間。開發(fā)者可以使用鏈接描述文件將代碼或數(shù)據(jù)分配到SDRAM中。值得注意的是,鏈接器腳本編程在不同IDE之間是不同的。 以LPC5460x系列微控制器為例,SDRAM支持4個片選區(qū),每個片選區(qū)最大支持256MB空間。
SDRAM片選 |
地址范圍 |
0 |
0xA0000000 - 0xA7FFFFFF |
1 |
0xA8000000 - 0xAFFFFFFF |
2 |
0xB0000000 - 0xB7FFFFFF |
3 |
0xB8000000 - 0xBFFFFFFF |
當(dāng)SDRAM的硬件連接使用SDRAM片選0的情況下,在KEIL平臺下,將加載在SPI FLASH的Coremark基準測試程序拷貝到SDRAM中執(zhí)行需要以下幾步。(coremark基準測試程序包括core_list_join.c,core_matrix.c,core_state.c及core_util.c)。
定義SDRAM區(qū)域,從0xA0000000開始,大小為0x80000。定義SPI FLASH區(qū)域,大小為0x80000(SPI FLASH存儲器的起始地址為0x10000000)。
在C源碼中使用“SDRAM_Data” 和 “SDRAM_Function”屬性,標記放在SDRAM區(qū)域中的數(shù)據(jù)或程序。(SDRAM_Data和SDRAM_Function只是文本名字)。
也可以將整個目標文件的數(shù)據(jù)和程序段配置到SDRAM
#define m_spifi_start
0x10000000 #define m_spifi_size
0x800000 #define m_sdram_start
0xA0000000 #define m_sdram_size
0x80000 LR_m_text2 m_spifi_start m_spifi_size { ; load to SPIFI LR_m_sdram_text m_sdram_start m_sdram_size { *(SDRAM_Data) *(SDRAM_Function)
core_list_join.o core_matrix.o core_state.o core_util.o }
配置MPU 在SDRAM中運行程序,開發(fā)者可能需要配置ARM內(nèi)核內(nèi)存保護單元(MPU)。 內(nèi)存保護單元(MPU)是一個可編程單元,用于定義內(nèi)存訪問權(quán)限。當(dāng)MPU沒有使能時,內(nèi)存地址空間具有默認的訪問權(quán)限。 如ARM Cortex-M4器件通用用戶指南中所述,當(dāng)程序執(zhí)行SDRAM中的代碼且SDRAM內(nèi)存影射地址的默認屬性為禁止執(zhí)行時, 內(nèi)核就會產(chǎn)生HARDFAULT異常,且指令訪問沖突標志SCB->CFSR為 1,該異常表示處理器嘗試從不允許執(zhí)行的位置獲取指令。
因此,當(dāng)SDRAM被影射到默認不可執(zhí)行的地址空間時(如在LPC5460x中,SDRAM影射到0xA0000000起始的地址),開發(fā)者必須配置并使能MPU才能在SDRAM中執(zhí)行代碼。如下例中,代碼配置并使能MPU,允許從0xA0000000到0xA0100000的內(nèi)存區(qū)域是可執(zhí)行的。
MPU->RNR = 0;
//Region number 0 MPU->RBAR = 0xA0000000; //Region base address /* Full Access | TEX: 000 | S: 0 | C: 0 | B:0 (No cacheable, no shareable)| 1M SIZE | ENABLE */ MPU->RASR = (0 << 28) | (0x3 << 24) | (0x0 << 19) | (0 << 18) | (0 << 17) | (0 << 16) | (0xFF < 8) | (0x13 << 1) | (1 << 0); //Region size and enable MPU->CTRL = MPU_CTRL_ENABLE_Msk | MPU_CTRL_PRIVDEFENA_Msk;
SDRAM性能基準
最后,小編在LPC5460x經(jīng)過程序運行CoreMark性能基準測試,總結(jié)了一點點經(jīng)驗,分享給大家
SDRAM(16位帶寬)中的代碼執(zhí)行效率僅為在內(nèi)部SRAM中執(zhí)行效率性能40%,大約是內(nèi)部FLASH中運行代碼性能的50%;
代碼在SDRAM中運行時,較高的CPU頻率(CPU沒有Cache)不能改善執(zhí)行效率,這時SDRAM帶寬成為系統(tǒng)性能的瓶頸。
基于這樣的測試結(jié)果,建議大家在要求較高性能時,把程序代碼放在內(nèi)部SRAM執(zhí)行,而用片外大容量的SDRAM存放海量的數(shù)據(jù)。
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原文標題:MCU怎么在擴展的SDRAM上運行程序?
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