LED正裝芯片

正裝結(jié)構(gòu)，上面通常涂敷一層環(huán)氧樹(shù)脂，下面采用藍(lán)寶石為襯底，電極在上方，從上至下材料為：P-GaN、發(fā)光層、N-GaN、襯底。

正裝結(jié)構(gòu)有源區(qū)發(fā)出的光經(jīng)由P型GaN區(qū)和透明電極出射，采用的方法是在P型GaN上制備金屬透明電極，使電流穩(wěn)定擴(kuò)散，達(dá)到均勻發(fā)光的目的。

LED倒裝芯片

倒裝芯片（filp chip）技術(shù)，是在芯片的P極和N極下方用金線焊線機(jī)制作兩個(gè)金絲球焊點(diǎn)，作為電極的引出機(jī)構(gòu)，用金線來(lái)連接芯片外側(cè)和Si底板。LED芯片通過(guò)凸點(diǎn)倒裝連接到硅基上。這樣大功率LED產(chǎn)生的熱量不必經(jīng)由芯片的藍(lán)寶石襯底，而是直接傳到熱導(dǎo)率更高的硅或陶瓷襯底，再傳到金屬底座。

制作方式：制備具有適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時(shí)制備相應(yīng)尺寸的硅底板，并在其上制作共晶焊接電極的金導(dǎo)電層和引出導(dǎo)電層（超聲波金絲球焊點(diǎn)）。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與硅底板焊在一起。

LED正裝與倒裝區(qū)別

（1）固晶：正裝小芯片采取在直插式支架反射杯內(nèi)點(diǎn)上絕緣導(dǎo)熱膠來(lái)固定芯片，而倒裝芯片多采用導(dǎo)熱系數(shù)更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連，且本身支架基座通常為導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅材；

（2）焊線：正裝小芯片通常封裝后驅(qū)動(dòng)電流較小且發(fā)熱量也相對(duì)較小，因此采用正負(fù)電極各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金線與支架正負(fù)極相連即可；而倒裝功率芯片驅(qū)動(dòng)電流一般在350mA以上，芯片尺寸較大，因此為了保證電流注入芯片過(guò)程中的均勻性及穩(wěn)定性，通常在芯片正負(fù)級(jí)與支架正負(fù)極間各自焊接兩根φ1.0～φ1.25mil的金線；

（3）熒光粉選擇：正裝小芯片一般驅(qū)動(dòng)電流在20mA左右，而倒裝功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用過(guò)程中各自的發(fā)熱量相差甚大，而現(xiàn)在市場(chǎng)通用的熒光粉主要為YAG， YAG自身耐高溫為127℃左右，而芯片點(diǎn)亮后，結(jié)溫（Tj）會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于此溫度，因此在散熱處理不好的情況下，熒光粉長(zhǎng)時(shí)間老化衰減嚴(yán)重，因此在倒裝芯片封裝過(guò)程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉；

（4）膠體的選擇：正裝小芯片發(fā)熱量較小，因此傳統(tǒng)的環(huán)氧樹(shù)脂就可以滿足封裝的需要；而倒裝功率芯片發(fā)熱量較大，需要采用硅膠來(lái)進(jìn)行封裝；硅膠的選擇過(guò)程中為了匹配藍(lán)寶石襯底的折射率，建議選擇折射率較高的硅膠（》1.51），防止折射率較低導(dǎo)致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內(nèi)部被全反射而損失掉；同時(shí)，硅膠彈性較大，與環(huán)氧樹(shù)脂相比熱應(yīng)力比環(huán)氧樹(shù)脂小很多，在使用過(guò)程中可以對(duì)芯片及金線起到良好的保護(hù)作用，有利于提高整個(gè)產(chǎn)品的可靠性；

（5）點(diǎn)膠：正裝小芯片的封裝通常采用傳統(tǒng)的點(diǎn)滿整個(gè)反射杯覆蓋芯片的方式來(lái)封裝，而倒裝功率芯片封裝過(guò)程中，由于多采用平頭支架，因此為了保證整個(gè)熒光粉涂敷的均勻性提高出光率而建議采用保型封裝（Conformal-Coating）的工藝；

（6）灌膠成型：正裝芯片通常采用在模粒中先灌滿環(huán)氧樹(shù)脂然后將支架插入高溫固化的方式；而倒裝功率芯片則需要采用從透鏡其中一個(gè)進(jìn)氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來(lái)填充，填充的過(guò)程中應(yīng)提高操作避免烘烤后出現(xiàn)氣泡和裂紋、分層等現(xiàn)象影響成品率；

（7）散熱設(shè)計(jì)：正裝小芯片通常無(wú)額外的散熱設(shè)計(jì)；而倒裝功率芯片通常需要在支架下加散熱基板，特殊情況下在散熱基板后添加風(fēng)扇等方式來(lái)散熱；在焊接支架到鋁基板的過(guò)程中 建議使用功率《30W的恒溫電烙鐵溫度低于230℃，停留時(shí)間《3S來(lái)焊接；