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大功率可控硅觸發電路

姚小熊27 ? 來源:xx ? 2019-10-28 08:52 ? 次閱讀

可控硅觸發電路

* 以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。* 鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。

* 整流變壓器、調功機(純電感線圈)、電爐變壓器一次側、直流電機控制。

* 單相電焊機、電阻焊機、點焊機控制等各種調場合。

* 單相風機水泵調速節能控制

* 電壓、電流、功率、燈光等無級平滑調節。用單結晶體管構成的晶閘管觸發電路如圖第一個圖所示,觸發電路的有關電壓波形如下第二個圖所示。與單結晶體管構成弛張振蕩電路相比較,電路的振蕩部分相同,同步是通過對電源電路的改進實現的。取自主電路的正弦交流電通過同步變壓器T 降壓,變為較低的交流電壓,然后經二極管整流橋變成脈動直流。穩壓管VW 和電阻RW的作用是“削波”,脈動電壓小于穩壓管的穩壓值時,VW 不導通,其兩端的電壓與整流輸出電壓相等;如果脈動電壓大于穩壓管的穩壓值,將使VW 擊穿,其兩端電壓保持穩壓值,整流橋輸出電壓高出穩壓值的部分降在電阻RW上。這樣VW 兩端的電壓波形近似于一個梯形波,用這個電壓取代弛張振蕩電路中的直流電源,起到同步作用。

大功率可控硅觸發電路
大功率可控硅觸發電路

由于振蕩電路的電源為梯形波,在主電路正弦波每一半波結束和開始的一段時間,振蕩電路的電源電壓很小,電路不振蕩,同時電容電壓釋放到0。當電源電壓接近梯形波的頂部時,振蕩電路開始工作,當電容充電使兩端的電壓達到單結晶體管峰點電壓Vp時,單結晶體管導通電容放電,放電電流流過R1與被觸發晶閘管的門極的并聯電路形成輸出,為晶閘管提供觸發脈沖,使晶閘管導通。然后電路進入下一振蕩周期,但晶閘管一經導通門極就失去控制作用,一個電源電壓半周中振蕩電路輸出的脈沖只是第一個起到觸發作用,后面的脈沖是無效的。在主電路電壓的半周接近結束時,振蕩電路的電源電壓進入梯形波的斜邊并迅速下降,振蕩電路停振,同時電容電壓釋放到0。因此在主電路的每一個半波中,電容總是從0開始充電,保證了觸發脈沖與主電路電壓的同步。

大功率可控硅觸發電路

大部分的書籍當中,有關大功率的可控硅觸發電路的結構都是較為復雜的,并且不容忽略的事實是,這些電路中所需的遠見都非常難以購買,總的來說并不具備一定的實用性。 本文將為大家介紹一種擁有較高實用性的大功率可控可控硅觸發電路,感興趣的朋友快來看一看吧。

大功率可控硅觸發電路

電路見圖。將兩只單向可控硅SCRI、SCR2反向并聯再將控制板與本觸發電路連接,就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負載與本電路串聯后接通電源,兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生,調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角,增大R2的阻值到一定程度便可使兩個主可控硅阻斷,因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通,一個的正向壓降就是另一個的反向壓降,因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時,SCR1、SCR2會誤導通,導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路,其原理這里從略。

SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊(110A/1000V) , SCR3選用BTI36 ,即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負載,應增加R4 , C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護,防止負載斷開和接通瞬間產生很高的感應電壓損壞可控硅。

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