11月25日,市場研究公司總裁羅伯特·卡斯特拉諾(Robert Castellano)表示:“過去三年來,應用材料一直在晶圓制造前段工序(WFE)的設備市場上失去市場份額,而 ASML卻將憑借其價格高昂的EUV光刻設備大批出貨實現超越,取代應用材料成為最大的半導體設備公司。”
據了解,應用材料在2018年的市場份額為19.2%(低于2015年的23.0%),今年小幅增長到了19.4%。而ASML的市場份額今年有望從2018年的18.0%增長到21.6%。
卡斯特拉諾還表示,到2020年,整個WFE市場將迎來5%的小幅增長,再加上半導體制造商原先計劃的資本支出,ASML的市場份額有望進一步提高到22.8%,而應用材料將保持其19.3%的份額。
根據集微網此前報道,ASML稱,第3季度售出了7套EUV系統,僅EUV設備就帶來了7.43億歐元的營收。另外,第3季度還接到了23套EUV系統的訂單。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關注
關注
52文章
4842瀏覽量
127797 -
EUV
+關注
關注
8文章
604瀏覽量
85968
發布評論請先 登錄
相關推薦
HyperLith軟件 EUV光刻交流
nm光刻機中的光學系統稱為反折射系統。該術語意味著它同時使用透鏡(折射)和反射鏡(反射)元件來引導和調節來自激光器的光。
極紫外光刻
正在開發的EUV光刻,以滿足特征尺寸低于22 n
發表于 11-24 22:06
美投資8.25億美元建設NSTC關鍵設施,重點發展EUV光刻技術
拜登政府已宣布一項重大投資決策,計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設國家半導體技術中心(NSTC)的核心設施。據美國商務部透露,奧爾巴尼的這一基地將特別聚焦于極紫外(EUV)光刻技術的研發。
今日看點丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉;三星將于2025年初引進High NA EUV光刻機
1. 三星將于2025 年初引進High NA EUV 光刻機,加快開發1nm 芯片 ? 據報道,三星電子正準備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)光刻機設備,這標
發表于 10-31 10:56
?782次閱讀
日本與英特爾合建半導體研發中心,將配備EUV光刻機
英特爾將在日本設立先進半導體研發中心,配備EUV光刻設備,支持日本半導體設備和材料產業發展,增強本土研發能力。 據日經亞洲(Nikkei Asia)9月3日報導,美國處理器大廠英特爾已
日本大學研發出新極紫外(EUV)光刻技術
近日,日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)發布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術。這一創新技術超越了當前半導體制造業的標準界限,其設計的光刻設備
日企大力投資光刻膠等關鍵EUV材料
日本在EUV光刻領域保留著對供應鏈關鍵部分的控制,例如半導體材料。 據了解,芯片制造涉及19種關鍵材料,且多數都具有較高技術壁壘,而日本企業在其中14種關鍵材料中占據全球超過50%的市場份額。由于
替代EUV光刻,新方案公布!
們有一個共同點,那就是它們所依賴的極紫外 (EUV) 光刻技術極其復雜、極其昂貴,而且操作成本極高。主要原因是,該系統的 13.5 納米光的來源是使用地球上最強大的商用激光器噴射飛散的熔融錫滴的精確且昂貴的過程。 但一種非常規替代方案正在醞釀之
阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用
數值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術即將進入大批量生產階段,預計將在2025至2026年間實現廣泛應用。該實驗室的核心設備是一臺名為TWINSCANE
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意,未采用高NA EUV光刻機
在全球四大先進制程代工巨頭(包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus)中,只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進行大規模生產。
ASML考慮推出通用EUV光刻平臺
范登布林克指出,更高的數值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說,Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產流程,避免因使用 High NA 光刻機進行雙重圖案化導致的額外步驟及風險。
臺積電A16制程采用EUV光刻機,2026年下半年量產
據臺灣業內人士透露,臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑(High-NA)EUV光刻機,而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下,英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
英特爾率先推出業界高數值孔徑 EUV 光刻系統
來源:Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業界首個高數值孔徑(高NA)極紫外(EUV)光刻系統。 新設備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能擴展,使英特爾代工廠能夠繼續超越英特爾 18A
英特爾突破技術壁壘:首臺商用High NA EUV光刻機成功組裝
英特爾的研發團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作,以確保其能夠順利融入未來的生產線。
ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息,光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝,新機型將帶來更高的生產效率。 ▲ ASML 在 X 平臺上的相關動態
佳能推出5nm芯片制造設備,納米壓印技術重塑半導體競爭格局?
佳能近日表示,計劃年內或明年上市使用納米壓印技術的光刻設備FPA-1200NZ2C。對比已商業化的EUV光刻技術,雖然納米壓印的制造速度較傳統方式緩慢,但由于制程簡化,耗電僅為
評論