近期中國半導(dǎo)體業(yè)要發(fā)展自己的存儲器，包括DRAM及3D NAND閃存，有些西方評論發(fā)表很直接的看法，其中如美EE Times的論點有三條：

?中國能否自行設(shè)計和制造存儲芯片？

?如果沒有，中國能否收購擁有存儲技術(shù)的全球芯片公司？

?如果美國外國投資委員會（CFIUS）不允許此類并購，中國將向誰購買尖端存儲技術(shù)的專利技術(shù)？

這是一套西方熟悉的聲音，總是在質(zhì)問中國存儲器業(yè)的技術(shù)從那里來?在他們的邏輯之中，“技術(shù)必須向他人購買”。例如1983年三星電子在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠時曾向當(dāng)時遇到資金問題的美光公司購買64K DRAM技術(shù)，然后依賴自身的研發(fā)與迅速擴大投資，最終超過日本而奪得存儲器霸主地位。

但是西方卻千方百計阻撓中國獲得存儲器技術(shù)，如之前紫光試圖花230億美元兼并美光等，人家不同意，萬般無奈之下中國只能依靠自己的力量進行突破，也只是讓中國恢復(fù)應(yīng)有的尊嚴和地位。

中國發(fā)展存儲器的必要性

首先是必要性，存儲芯片是電子系統(tǒng)的糧倉，數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)據(jù)的安全，其市場規(guī)模足夠大，約占半導(dǎo)體總體市場的三分之一。其次是緊迫性，據(jù)統(tǒng)計中國市場消耗了全球DRAM產(chǎn)值的48%，及消耗了全球NAND Flash產(chǎn)值的35%，年進口總額高達880億美元，對外依賴度超過90%。最后是安全性，存儲芯片非常重要，但目前存儲芯片中DRAM、NAND的自給率幾乎為零。

對于國產(chǎn)廠商來說，首先中小容量存儲芯片是其中的一個市場機會。據(jù)業(yè)內(nèi)預(yù)計，中小容量存儲芯片市場規(guī)模將保持在120億-200億美元，其中低容量NAND有60億-100億美元，NOR約30億美元，及低容量DRAM約70億美元，隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能終端的快速發(fā)展，將不斷擴大對中小容量存儲芯片的需求，行業(yè)格局的演變，因此中國存儲器業(yè)的首要目標可以從中小容量的存儲芯片開始，待站穩(wěn)腳跟之后再向高容量存儲芯片邁進。

為什么西方不能理解中國

西方站在完全市場化角度來觀察中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，可能是無法理解的。加上其中確有極少數(shù)人是從骨子里根本不希望中國半導(dǎo)體業(yè)有任何的進步。

1)，DRAM及3D NAND閃存是中國市場需求量最大類芯片，而西方釆用封鎖，打壓等手段欺負中國，如將晉華、華為等列入實體清單之中，阻止我們發(fā)展及獲得芯片，所以是被逼無奈的必然結(jié)果。

2)，現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須依靠國家資金等投入為主，所以重點在于要加強研發(fā)，積累IP，首先做出產(chǎn)品，然后逐漸國產(chǎn)替代。

3)，存儲器業(yè)的特點，它的設(shè)計并不難，如NAND閃存基本上有兩種結(jié)構(gòu)類型，一種是Floating Gate浮柵式結(jié)構(gòu)，美光，英特爾采用，另一種是Charge Trap電荷捕獲型結(jié)構(gòu)，在3D NAND閃存中成為主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在內(nèi)的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結(jié)構(gòu)。

DRAM量產(chǎn)關(guān)鍵在于生產(chǎn)線的質(zhì)量控制以及持續(xù)的投資，擴大產(chǎn)能，最終以數(shù)量與價格取勝。而中國在巨大市場以及國家資金為主的支持下發(fā)展，相信一定有能力自主做出產(chǎn)品，但是困難的是產(chǎn)能爬坡速度，及在存儲器的下降周期中能堅持下去。中國做存儲器并不是想稱霸，也缺乏條件。在很大程度上試圖滿足部分國內(nèi)的需求。

韓國獨霸存儲器業(yè)

以2019 Q2計，在DRAM方面，三星市占45%，Hynix市占29%，及在NAND閃存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可見韓國壟斷全球存儲器業(yè)。這種局面長久下去并不利于產(chǎn)業(yè)進步。

因此站在美光、東芝等立場它們具有兩重性，一方面也害怕中國存儲器業(yè)的崛起，動了它們的“奶酪”，然而在另一方面，它們也愿意希望利用中國的崛起能削弱韓國壟斷的局面。所以中國存儲器業(yè)發(fā)展中要充分認識目前的格局，找到適合于我們生存與發(fā)展的支點。

千萬不要低估中國半導(dǎo)體業(yè)的決心與韌性

中國是全球僅次于美國的GDP大國，但是決不是全球第二大半導(dǎo)體強國，與世界先進水平尚有很大差距。據(jù)IC Insight數(shù)據(jù)，2018年國產(chǎn)半導(dǎo)體自給率為15.3%，2019年將可望提升至17%左右，但預(yù)計到2023年才可望拉升至20%自給率。

在貿(mào)易戰(zhàn)的格局下，美方把中興，華為，晉華等列入“實體清單”之中，竭力阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展，而存儲器是中國半導(dǎo)體進口金額最大類之一。如與發(fā)展CPU相比較，現(xiàn)階段存儲器作為中國半導(dǎo)體業(yè)的突破口是合乎理性的。中國不會謀求存儲器的霸權(quán)地位，也不可能，僅是希望能部分替代進口之用，而且這樣的過程用時不會太短。

另外，中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)現(xiàn)階段以國家資金投入為主，它不是補貼，而是以股權(quán)加入，這也是唯一可能的選擇，相比全球其它半導(dǎo)體業(yè)者在初始時的路徑是相似的，僅是中國半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)落后了近20年。

中國要發(fā)展自已的半導(dǎo)體業(yè)是正確的選擇，也是生存的需要，所以決心是不會動搖的，加上它是集中國家的力量。觀察上世紀80年代，韓國半導(dǎo)體能在存儲器業(yè)中的成功，后來居上，一條非常成功的經(jīng)驗，就是持續(xù)投資，用虧損和時間最終打敗了競爭對手。因此在國家資金等支持下，懷疑中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的決心與信心是注定要失敗。

顯然中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中一定會尊重與保護知識產(chǎn)權(quán)，并準備好迎接有關(guān)專利糾紛的訴訟，它也是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的必修課之一。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展一定能取得成功，不是空穴來風(fēng)，而是有充分理由的，一個是中國擁有全球最大的終端電子市場，而且在不斷增長之中，以及另一個是現(xiàn)階段以國家資金等投入為主，有足夠能力與實力迎接來自各方面的挑戰(zhàn)。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的韌性可以體現(xiàn)在：1)，西方一直在壓制與打擊中國半導(dǎo)體業(yè)的進步的同時，與在中國市場中繼續(xù)謀求利益之間調(diào)節(jié)平衡，它不太可能讓中國半導(dǎo)體業(yè)“徹底停擺”，對它也未必有好處；2)，如打擊華為時，與打擊中興，晉華等大不同，華為的任正非，它是嘴不硬，事扎實，讓美方感覺有些進退兩難。所以對于此次貿(mào)易戰(zhàn)的復(fù)雜性與長期性一定要有充分的認識；3)，中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不但是可能打亂既有的“平衡格局”，同時對于全球半導(dǎo)體的增長有實質(zhì)性的推動作用，如中國可能成為全球半導(dǎo)體最大的投資地區(qū)之一。

結(jié)語

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有自身的特點，有優(yōu)勢方面，也有不足之處。在貿(mào)易戰(zhàn)下需要付出更多的努力與代價。在存儲器業(yè)中，對手已經(jīng)積累20年以上的經(jīng)驗，因此要進行突破是不易的，可能最關(guān)鍵是信心不可動搖及要堅持到底。

美國可以繼續(xù)阻擋與壓制我們，但是在全球化的浪潮下它是不可能成功的，因為中國始終堅持改革開放，走全球化合作道路，任何面對中國的大市場而不顧，只可能是暫時的。同時在貿(mào)易戰(zhàn)下一定會加速國產(chǎn)化的推進步伐，這樣的好時機是千載難逢。盡管中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不可能一帆風(fēng)順，未來還可能會經(jīng)歷一些曲折，要尊重“學(xué)習(xí)曲線”的規(guī)律，但是相信中國半導(dǎo)體業(yè)最終一定能夠取得成功。

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