12月3日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。

英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生

在演講中劉鋼先生指出，隨著海量數(shù)據(jù)洶涌而至，當前的數(shù)據(jù)量基本以每三年兩倍的速度快速增長。同時，Redis、Spark等新的應用對數(shù)據(jù)的存儲能力也提出更高要求，早期“存儲金字塔”中的DRAM、NAND、HDD存儲介質(zhì)由于容量、時延和帶寬三個層面的問題已經(jīng)無法滿足新應用及海量數(shù)據(jù)存儲需求。基于此，英特爾?傲騰?技術(shù)和英特爾QLC NAND技術(shù)旨在通過彌合內(nèi)存與存儲層級結(jié)構(gòu)中成本和性能差距，擴大內(nèi)存容量并提升NAND響應速度，幫助企業(yè)消除制約數(shù)據(jù)流動和數(shù)據(jù)處理方面的瓶頸。此外，英特爾將于明年在業(yè)內(nèi)率先推出用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC（四級單元）NAND，以進一步提升數(shù)據(jù)響應速度，滿足以數(shù)據(jù)為中心的計算需求。

在堅定推動內(nèi)存與存儲技術(shù)創(chuàng)新之外，英特爾亦不斷深化與本地合作伙伴在存儲領(lǐng)域的合作。近日，英特爾和浪潮便聯(lián)合宣布雙方將共同開發(fā)以傲騰最新的雙端口NVMe SSD作為高速緩存的全閃存儲平臺，以提高整體存儲平臺的性能，提升用戶應用的效率。此外，雙方還將基于金融、交通、政府、能源等不同行業(yè)背景聯(lián)合推出行業(yè)場景化解決方案，共同推動以英特爾?傲騰?SSD為代表的創(chuàng)新存儲技術(shù)在企業(yè)級存儲系統(tǒng)中的應用與推廣。

內(nèi)存與存儲作為英特爾六大技術(shù)支柱的重要組成部分，當前已成為英特爾面向以數(shù)據(jù)為中心時代的戰(zhàn)略性基礎(chǔ)設(shè)施。面對未來海量數(shù)據(jù)不斷爆發(fā)的趨勢，英特爾將不斷通過內(nèi)存和存儲層級結(jié)構(gòu)中的突破性創(chuàng)新，幫助企業(yè)更加高效地處理數(shù)據(jù)，并提升從數(shù)據(jù)中獲取洞察的能力，從而讓數(shù)據(jù)真正發(fā)揮價值。
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