德淮不斷在技術、專利授權等方面投入大量人力物力，目前已經在高端影像傳感器上具備了較強的競爭力。

據報道，國內首家專注于CMOS圖像傳感器的半導體公司——德淮半導體成立后，不斷在技術、專利授權等方面投入大量人力物力，目前已經在高端影像傳感器尤其是CMOS圖像傳感器上具備了較強的競爭力。

在半導體制造領域，CMOS圖像傳感器作為一種將光學圖像轉換為電信號的器件，時刻出現在人們的日常生活中，并廣泛應用于智能終端制造產業，如智能手機、安防攝像機、醫用微型照相機等等。相對于電荷耦合器件（CCD）傳感器，CMOS圖像傳感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等優點。在目前的環境中，存在大量電磁波，如γ射線，微波等，而目前的傳感器中并沒有在微透鏡到感光元件的光路區形成有效防護電磁波的結構，因此圖像傳感器的成像質量和靈敏度會受到較大影響。

針對這一問題，德淮半導體公司在2019年月19日申請了一項名為“圖像傳感器及其制作方法”的發明專利（申請號：201910766674.5），申請人為德淮半導體有限公司。

此發明專利介紹了一種圖像傳感器及其制作方法，通過在傳感器的微透鏡與絕緣結構光路中形成電磁波吸收層，從而避免電磁波進入圖像傳感器，以提高圖像傳感器的成像質量。

圖1 圖像傳感器結構示意圖

圖1是此專利提出的一種圖像傳感器工藝結構圖，其中感光元件110、隔離結構120、絕緣結構130均位于半導體襯底100之上，電磁波吸收層140a位于絕緣結構上，上面的遮光膜160部分覆蓋電磁波吸收層，并隔離濾色層150以及鈍化層170，同時微透鏡180位于鈍化層之上。電磁波吸收層可以設置在圖像傳感器的不同位置，只需起到阻擋電磁波進入感光元件的作用，并且不影響圖像傳感器成像性能即可。

此專利提到，圖1所示的半導體襯底100采用P型硅，即在硅襯底中摻雜P型離子以注入或者滲透的工藝來實現。感光元件110可采用光電二極管，并排列成所需的陣列結構，其在硅襯底中的離子摻雜類型相反。隔離結構120用于實現半導體器件有源區之間的隔離，防止光線在感光元件110之間的干擾，其材料可以為氧化硅或者氮氧化硅。

電磁波吸收層是此專利提出的核心創新點，置于絕緣結構130的表面，利用材料性質反射或者吸收圖像傳感器的電磁波，降低干擾，提高圖像傳感器的性能，可以采用本征型導電高分子材料，如聚碳酸酯或者聚乙炔等，在具有良好的電磁屏蔽性能以及導電性能的同時，還具有良好的透光性，并反射和吸收電磁波。

濾色層150與感光元件位置相對應，用于通過特定波長范圍的光，并進入感光區，通常采用添加有機顏料的樹脂做成。遮光膜160用于隔離濾色層150，防止不同像素區域的光線進入其他像素區間的光電二極管。鈍化層170用于圖像傳感器表面的平感化，常采用氧化硅、氮化硅或絕緣材料構成的復合材料層構成。微透鏡180則是針對各個像素單元聚集光，與現有工藝相似。

經濟全球化的今天，一個國家對未來的科技掌控力取決于現有各個科技領域的發展力度，尤其是在半導體芯片領域，國內企業必須緊跟潮流，不斷發展創新才能在未來取得良好的競爭力，也希望德淮半導體通過自身在這一領域的積淀與能力，可以促進國有產業的發展，實現我國半導體領域的技術革命創新。