Transphorm是首家發布出廠器件現場故障數據的高電壓 GaN FET 供應商。該數據用于計算以百萬分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現場故障率，以顯示這項技術的可靠性。現場數據的可用性是功率系統中高電壓GaN重要的新指標，因為它表明技術的成熟性。

對于高電壓GaN來說，2018是顛覆行業格局的一年。Transphorm出貨的超過25萬件650V GaN FET將在客戶的批量生產、高性能電源轉換器和變頻器產品中部署。這些產品通過各種渠道供應，甚至包括亞馬遜。根據迄今為止的產量，能夠保守地估計現場運行小時數超過13億，現場FIT率控制在較低的個位數內，以及在大量的操作和加速可靠性測試運行條件下的故障前平均時間超過10億小時。

Transphorm十年專注引領技術創新

Transphorm公司是一家全球化的半導體公司，為高壓功率轉換應用開發了完整認證的650 V GaN功率器件。十年來，Transphorm公司一直專注于將高壓（HV）GaN FET（場效應晶體管）推向市場。致力于為電力電子市場（數據中心服務器、PV轉換器、感應/伺服電機、工業及汽車等商業供電市場）設計、制造和銷售業內頂級品質和可靠性的GaN技術產品。2013年，Transphorm公司推出了業內唯一經過JEDEC認證的GaN器件。2017年3月，又推出了市場上僅有的一款經過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。

Transphorm公司經AEC-Q101認證的FET器件TPH3205WSBQA

Transphorm的TP65H035WSQA是符合汽車級AEC-Q101標準的GaN FET，在鑒定測試期間的溫度高達175°C。該器件采用標準TO-247封裝，典型導通電阻為35mΩ。與其前代產品49mΩ GenII TPH3205WSBQA一樣，該器件適用于插入式混合動力電動汽車和電池電動汽車的AC/DC OBC，DC/DC轉換器和DC/AC逆變器系統，可實現交流/直流無橋圖騰柱PFC設計。

目前，Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術。該技術的閾值將提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，無需負柵極驅動，并且相比上代產品降低了整體成本。新一代GaN技術可提供傳統的通孔封裝（through-hole packages, TO-XXX），以及表面貼裝分立封裝（SMD）。與此同時，Transphorm正在基于常閉共源共柵GaN FET——金屬絕緣高電子遷移晶體管（Metal Insulated High Electron Mobile Transistor）D-Mode器件，開發一種E-Mode技術。這種GaN器件的結構將有別于目前市場上其它供應商的E-Mode器件。

優勢互補，技術整合共同應對GaN需求增長市場

在許多電力系統中，氮化鎵（GaN）是替代硅材料的合適候選者。正如Yole在《功率GaN：外延、器件、應用及技術趨勢-2018版》報告中所闡述，GaN與傳統的硅基MOSFET相比具有驚人的技術優勢。盡管與32.8億美元的硅基功率半導體市場相比，目前功率GaN市場仍然很小，但GaN器件擁有較好的前景。

事實上，Transphorm在2013年就與富士通半導體的功率器件業務部進行業務合并，從而獲得了GaN功率元件大規模代工制造能力，雙方于2014年2月在日本成立了Transphorm日本公司，通過雙方公司的合作，使之能夠滿足全球對氮化鎵功率轉換產品不斷增長的需求。Transphorm公司符合JEDEC認證的制程與富士通半導體的基礎技術進行整合，并導入富士通半導體福島會津的CMOS產線，為高產量的硅芯片制造提供多項關鍵功能提升。在未來，預計該工廠內受歡迎的50兆歐姆產品的年裝機量基數當量為1500萬個部件，并可輕松擴展處理2至5倍的量。此外，當需求有保證時，技術和制造工藝可以從當前制造的6英寸晶片擴展到制造8英寸或可能更高尺寸的晶片。

Transphorm公司的獨特優勢包括： ·業內唯一能夠供應經JEDEC和AEC-Q101認證的技術和產品； ·擁有業內規模最大的GaN技術專利組合； ·最豐富的器件/封裝解決方案供應能力； ·終端客戶產品已經量產的GaN供應商之一； ·擁有較完整的外延（EPI）、設計和器件制造工藝價值鏈。