源極跟隨器的特點

特點是輸入阻抗特別高、輸出阻抗低、電壓放大倍數近似為1。

場效應管源極跟隨器的特點

與雙極型晶體管（三極管）的射極跟隨器相比，源極跟隨器的輸出阻抗非常低，特別適合于電動機、揚聲器等重負載（阻抗低的負載）的驅動，同時MOSFET普遍功率比較大，具有很好的抗熱擊穿性能。

場效應晶體管（縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型（junctionFET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

源極跟隨器的電路

所示為一種源極跟隨器（緩沖放大器），該電路采用差動輸入緩的運算放大器電路，可用于阻抗轉換電路。

電路中采用場效應晶體管（VTl）構成源極跟隨器，類似于晶體管的射極跟隨器，場效應晶體管的輸入阻抗非常高，在場效應晶體管的源極接有一個晶體管VT2，該晶體管的基極由分壓電阻器確定，構成一個恒流電路。為了使電路的增益盡量接近于1．需要選用跨導的場效應晶體管和較大的負載電阻，采用這種電路結構，+用VT2接在源極電路中，相當于增大了負載電阻器，滿足電路的要求。