根據(jù)消息報道，長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過3年的建設已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)介紹，楊道虹表示，當前以及今后一段時間他們目前的任務是如期達成月產(chǎn)能10萬片，在二期項目中將會達到30萬片／月產(chǎn)能。

根據(jù)之前的介紹，長江存儲科技有限責任公司早在2018年就公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking，該技術將大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。

根據(jù)官方的說明，采用Xtacking技術，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking 技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道）將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

現(xiàn)在，長江存儲已成功將Xtacking 技術應用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，大規(guī)模量產(chǎn)之后，預計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片。

楊道虹還透露稱，不僅64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，更高層的三維閃存產(chǎn)品研發(fā)也取得階段性成果，進一步縮短了與國際龍頭企業(yè)的差距。

據(jù)悉，長江存儲科技有限責任公司于2016年7月26日在武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)登記成立，公司經(jīng)營范圍包括半導體集成電路科技領域內的技術開發(fā)；集成電路及相關產(chǎn)品的設計等。

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