三星6nm和7nm EUV開(kāi)始批量生產(chǎn)
IT之家2月20日消息今天晚間，三星宣布其位于韓國(guó)華城的V1工廠已開(kāi)始批量生產(chǎn)基于EUV（極紫外）光刻工藝的6nm和7nm芯片。
根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線(xiàn)的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開(kāi)始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
據(jù)IT之家了解，V1生產(chǎn)線(xiàn)于2018年2月破土動(dòng)工，并于2019年下半年開(kāi)始測(cè)試晶圓生產(chǎn)，其第一批產(chǎn)品將于今年第一季度交付給客戶(hù)。
韓國(guó)華城三星工廠
三星于2018年5月開(kāi)啟了7nm芯片的里程碑，并于2019年8月推出了基于7nm EUV工藝構(gòu)建的Exynos 9825芯片組，即韓版Galaxy Note10上的那款處理器。
展望未來(lái)，三星將專(zhuān)注于其4nm和5nm芯片開(kāi)發(fā)，并著眼于在未來(lái)幾年內(nèi)突破3nm的壁壘。
據(jù)IT之家了解，隨著V1生產(chǎn)線(xiàn)的投入使用，三星現(xiàn)在在韓國(guó)和美國(guó)共有6條生產(chǎn)線(xiàn)，其中5條位于韓國(guó)，1條位于美國(guó)（德克薩斯州奧斯汀），后者為高通公司，英特爾和英偉達(dá)等提供服務(wù)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15855瀏覽量
180923 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
604瀏覽量
85968
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
三星加速2nm及1.4nm制程投資
三星正加速其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的投資步伐，計(jì)劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線(xiàn)建成一條月產(chǎn)能達(dá)7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線(xiàn)。此舉標(biāo)志著三星在推進(jìn)其技術(shù)路線(xiàn)圖方面邁出了重要一步。
三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)積電
據(jù)媒體報(bào)道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電，并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同時(shí)，展望未來(lái)五年，該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)
所謂的7nm芯片上沒(méi)有一個(gè)圖形是7nm的
最近網(wǎng)上因?yàn)楣饪虣C(jī)的事情，網(wǎng)上又是一陣熱鬧。好多人又開(kāi)始討論起28nm/7nm的事情了有意無(wú)意之間，我也看了不少網(wǎng)上關(guān)于國(guó)產(chǎn)自主7nm工藝的文章。不過(guò)這些文章里更多是抒情和遐想，卻很少
消息稱(chēng)三星電子再獲2nm訂單
三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域再下一城，成功獲得美國(guó)知名半導(dǎo)體企業(yè)安霸的青睞，承接其2nm制程的ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）芯片代工項(xiàng)目。
英特爾3nm制程工藝“Intel 3”投入大批量生產(chǎn)
據(jù)外媒最新報(bào)道，全球知名的處理器大廠英特爾在周三宣布了一個(gè)重要的里程碑：其先進(jìn)的3nm級(jí)制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠正式投入大批量生產(chǎn)。這一技術(shù)的突破，無(wú)疑將為英特爾在超高性能計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)顯著優(yōu)勢(shì)。
傳三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成
近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局
消息稱(chēng)三星第二代3nm產(chǎn)線(xiàn)將于下半年開(kāi)始運(yùn)作
三星電子近日宣布，將在7月的巴黎Galaxy Unpacked活動(dòng)中，向全球展示其最新研發(fā)的3nm技術(shù)芯片Exynos W1000。這款尖端芯片將首次應(yīng)用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch
三星電子開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
SK海力士與三星將率先量產(chǎn)1c納米DRAM
在近期舉辦的行業(yè)盛會(huì)Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在今年年底前，他們將成功實(shí)現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。
2024年全球與中國(guó)7nm智能座艙芯片行業(yè)總體規(guī)模、主要企業(yè)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)占有率及排名
和排名，主要統(tǒng)計(jì)指標(biāo)包括7nm智能座艙芯片產(chǎn)能、銷(xiāo)量、銷(xiāo)售收入、價(jià)格、市場(chǎng)份額及排名等，企業(yè)數(shù)據(jù)主要側(cè)重近三年行業(yè)內(nèi)主要廠商的市場(chǎng)銷(xiāo)售情況。地區(qū)層面，主要分析過(guò)去五年和未來(lái)五年行業(yè)內(nèi)主要生產(chǎn)地區(qū)和主要消費(fèi)
發(fā)表于 03-16 14:52
三星第二代3nm工藝開(kāi)始試產(chǎn)!
據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來(lái)6個(gè)月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch
從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，PCB小批量生產(chǎn)解密
從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，PCB小批量生產(chǎn)解密
與ASML達(dá)成歷史性協(xié)議，三星將在2nm芯片制造取得優(yōu)勢(shì)
現(xiàn)時(shí)，ASML是全球唯一的EUV光刻機(jī)制造商，這臺(tái)設(shè)備主要應(yīng)用于生產(chǎn)7nm及以下制程芯片。目前，ASML年產(chǎn)此類(lèi)設(shè)備數(shù)量有限，供不應(yīng)求。李在镕本次來(lái)訪(fǎng)韓國(guó)主要是與ASML商討優(yōu)先供應(yīng)事宜。
一文詳解芯片的7nm工藝
芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
臺(tái)積電7nm制程降幅約為5%至10%
據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，臺(tái)積電計(jì)劃真正降低其7nm制程的價(jià)格，降幅約為5%至10%。這一舉措的主要目的是緩解7nm制程產(chǎn)能利用率下滑的壓力。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論