根據分析機構 Yole 的數據顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領域處于領先地位。

Yole 機構稱，英特爾的 RF-GaN-on-Si 專利組合主要涉及用于 SoC 的 III-N 晶體管、RF 開關、超短溝道長度、場板和 III-N/ 硅單片集成電路。英特爾采取了全球專利戰略，在美國和***分別有 17 項和 20 項專利正在申請中。

此外，富士通（Fujitsu）擁有 40 多項專利，Macom 擁有 20 多項專利，在 GaN-on-Si 射頻領域的可執行知識產權方面處于領先地位。其中富士通的投資組合專注于硅基 GaN 材料，特別是緩沖層，其發明可能在其他襯底上實現，包括 SiC 或其他應用。

與英特爾一樣，富士通也采取了全球專利戰略。相比之下，Macom 的產品組合更側重用于 RF 的 GaN-on-Si 器件，解決外延、器件、模塊和封裝級別的特定技術挑戰。例如，為了通過 HEMT-epi 結構中的反摻雜劑來解決寄生通道，2015 年進行了一項強有力的專利申請工作。

Yole 在其新的 GaN on Silicon 專利分析中確定了 10 多項相關專利申請。此外，Macom 與 GaN-on-Si 相關的專利主要集中在美國，盡管它現在已經要求國外對大量新發表的發明進行延期。

Yole 表示：“對 GaN-on-Si 技術用于電力應用的興趣日益增長，但這并沒有顯著地加速專利申請活動，”然而，我們觀察到英飛凌在收購 IR 后有穩步的專利申請活動，美國初創企業 Transphorm 成為一匹黑馬產品組合顯著增強，源于富士通將其電源業務移交給這家公司。

Transphorm 的知識產權地位在 2014 年與 Furukawa Electric 達成許可協議后得到進一步加強，Furukawa Electric 是 GaN on Si 專利領域的關鍵知識產權參與者。同樣，英飛凌科技也與另一家老牌 GaN 玩家松下簽訂了一項重要的知識產權許可協議，涉及 Si 和電力電子專利領域。

ST 在 2018 年宣布了一項與 CEA Leti 合作的研發計劃，CEA Leti 在 GaN-on-Si 專利領域處于有利地位。

“在過去的幾年里，在電力電子行業，我們看到了市場對 GaN-HEMTs 越來越感興趣，與 Si-MOSFET 相比，GaN-HEMTs 帶來了誘人的性能和成本競爭力，”Yole 介紹，“除了創新的初創公司，幾乎所有電力電子行業的集成設備制造商都提出，與硅 MOSFET 解決方案相比，GaN-on-Si 器件使系統具有更高的功率、更高的效率和更小的腳印。”

Yole 表示，在電力電子領域，GaN-on-Si 器件是中壓硅 SJ-MOSFET 的直接競爭對手。