Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。

eMRAM將成為物聯(lián)網(wǎng)，通用MCU，汽車，邊緣AI和其他低功耗應(yīng)用的一種經(jīng)濟(jì)高效的選擇。

Globalfoundries的eMRAM設(shè)計(jì)為替代大容量嵌入式NOR閃存（eFlash），使設(shè)計(jì)人員能夠擴(kuò)展其現(xiàn)有的IoT和MCU單元架構(gòu)，以獲取28nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功耗和密度優(yōu)勢(shì)。

Globalfoundries的eMRAM是一種高度靈活的功能強(qiáng)大的eNVM，已通過了五項(xiàng)嚴(yán)格的實(shí)際焊錫回流測(cè)試，并在-40°C至125°C的溫度范圍內(nèi)支持10萬次循環(huán)的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保留。

FD-SOI eMRAM工藝支持AEC-Q100 Grade2級(jí)認(rèn)證等級(jí)，并且正在進(jìn)行開發(fā)以支持明年的AEC-Q100 Grade1。

Globalfoundries及其設(shè)計(jì)合作伙伴今天開始提供定制設(shè)計(jì)套件，這些套件具有可插入的，經(jīng)過硅驗(yàn)證的MRAM，存儲(chǔ)空間從4到48M，并提供MRAM內(nèi)置自測(cè)支持選項(xiàng)。