Intel放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管 GAA工藝性能提升或更明顯
Intel之前已經宣布在2021年推出7nm工藝，首發產品是數據中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節點會放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管。
隨著制程工藝的升級，晶體管的制作也面臨著困難，Intel最早在22nm節點上首發了FinFET工藝，當時叫做3D晶體管，就是將原本平面的晶體管變成立體的FinFET晶體管，提高了性能，降低了功耗。
FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇，一直用到現在的7nm及5nm工藝。
Intel之前已經提到5nm工藝正在研發中，但沒有公布詳情，最新爆料稱他們的5nm工藝會放棄FinFET晶體管，轉向GAA環繞柵極晶體管。
GAA晶體管也有多種技術路線，之前三星提到他們的GAA工藝能夠提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面積，不過這是跟他們的7nm工藝相比的，而且是初期數據。
考慮到Intel在工藝技術上的實力，他們的GAA工藝性能提升應該會更明顯。
如果能在5nm節點跟進GAA工藝，Intel官方承諾的“5nm工藝重新奪回領導地位”就不難理解了，因為GAA工藝上他們也是比較早跟進的。
至于5nm工藝的問世時間，目前還沒明確的時間表，但Intel之前提到7nm之后工藝周期會回歸以往的2年升級的節奏，那就是說最快2023年就能見到Intel的5nm工藝。
責任編輯：wv
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發表于 11-29 16:54
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