有消息表示，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點(diǎn)上將會(huì)放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。

此前，英特爾（Intel）的財(cái)務(wù)長 George Davis 在公開場(chǎng)合表示，目前除了 10 納米產(chǎn)能正在加速之外，英特爾還將恢復(fù)制程技術(shù)領(lǐng)先的關(guān)鍵部分寄望在未來更先進(jìn)制程的發(fā)展上，包括英特爾將在 2021 年推出 7 納米制程技術(shù)，并且將在 7 納米制程的基礎(chǔ)上發(fā)展出 5 納米制程。

據(jù)悉，隨著制程技術(shù)的升級(jí)，芯片的電晶體制作也面臨著瓶頸。英特爾最早在 22 納米的節(jié)點(diǎn)上首先使用了 FinFET 電晶體技術(shù)，當(dāng)時(shí)叫做 3D 電晶體，就是將原本平面的電晶體，變成立體的 FinFET 鰭式場(chǎng)效電晶體，不僅提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，F(xiàn)inFET 電晶體也成為全球主要晶圓廠制程發(fā)展的選擇，一直用到現(xiàn)在的 7 納米及 5 納米制程節(jié)點(diǎn)上。

目前在 GAA 電晶體上也有多種技術(shù)發(fā)展路線。如之前三星提到自家的 GAA 電晶體相較于第一代的 7 納米制程來說，能夠提升芯片 35%的性能，并且降低 50%的功耗以及 45%的芯片面積。對(duì)于三星而言，GAA 電晶體就已經(jīng)有這樣的效能，而英特爾在技術(shù)實(shí)力上會(huì)比三星要更加強(qiáng)大，未來英特爾在 GAA 電晶體的發(fā)展上，期提升效能應(yīng)該會(huì)更加明顯。

另外，其競(jìng)爭對(duì)手臺(tái)積電目前在 2020 年首季準(zhǔn)備量產(chǎn) 5 納米制程上，依舊采用 FinFET 電晶體。但是，到了下一世代的 3 納米節(jié)點(diǎn)，目前臺(tái)積電還尚未公布預(yù)計(jì)的制程方式。根據(jù)臺(tái)積電官方的說法，其 3 納米相關(guān)細(xì)節(jié)將會(huì)在 2020 年的 4 月 29 日的的北美技術(shù)論壇上公布。

目前，英特爾 5 納米制程的問世時(shí)間也還沒明確的時(shí)間表。不過，英特爾之前提到 7 納米之后制程技術(shù)發(fā)展周期將會(huì)回歸以往的 2 年升級(jí)的節(jié)奏上，因此就是表示最快 2023 年就能見到英特爾的 5 納米制程技術(shù)問世。