由于受到全球疫情影響，臺積電宣布原本4月29日在美國舉行的技術(shù)論壇延期，這次論壇本來是要公布臺積電3nm技術(shù)的。

臺積電去年宣布投資200億美元推進3nm工藝，目前已經(jīng)在前期的建廠準(zhǔn)備中，預(yù)計最快2022年量產(chǎn)，比之前預(yù)告的2023年量產(chǎn)要提前一年。

在3nm節(jié)點上，三星已經(jīng)搶先一步，去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

臺積電的3nm很可能沒三星這么激進，之前的消息稱3nm節(jié)點會繼續(xù)用FinFET工藝，在第二代3nm或者2nm節(jié)點才會升級到GAA晶體管技術(shù)。

原本3nm工藝的秘密會在4月29日的臺積電美國技術(shù)論壇上揭秘，不過現(xiàn)在要推遲到8月24日了，在圣克拉拉舉行技術(shù)論壇，8月25日則會緊接著舉行開放創(chuàng)新平臺論壇。