SK海力士M8項目實施取得階段性進展 已順利按原計劃成功流片
近日，SK海力士M8項目實施取得階段性進展。據無錫微電子聯盟報道，3月16日，該項目已經按照原定時序進度成功流片。
資料顯示，SK海力士M8項目于2017年12月28日在無錫簽約，總投資14億美元，主要從事CIS（攝像電路）、DDI（驅動電路）、PMIC（電源管理集成電路）及Nand存儲器等代工制造和銷售業務，也正在開發邏輯和混合信號芯片等新的代工業務。據悉，該項目于2018年9月正式開工建設，量產后將月產11.5萬枚8英寸晶圓片。
目前，SK海力士M8目已經開始投料，進入試生產階段，并于3月16日順利按原計劃成功流片。
報道指出，該項目是江蘇省重點外資項目，有利于鞏固無錫中國微電子產業南方基地的地位，更將幫助無錫成為世界一流的綜合半導體產業樞紐。
責任編輯：wv
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
26331瀏覽量
210024 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
918瀏覽量
38255
發布評論請先 登錄
相關推薦
小鵬汽車自主研發的智能駕駛芯片已順利完成流片階段
8月27日，最新行業資訊顯示，小鵬汽車在智能駕駛技術領域取得重大突破，其自主研發的智能駕駛芯片已順利完成流
SK海力士M16晶圓廠擴產，DRAM產能將增18%
SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模，顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒
SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資
據最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰略，考慮推動其NAND與SSD業務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK
SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產基地
全球領先的內存芯片制造商SK海力士宣布了一項重大投資決策，計劃投資約9.4萬億韓元（折合美元約68億）在韓國龍仁市興建其國內首座專注于AI芯片生產的超級工廠。此
SK海力士計劃斥資68億打造芯片制造基地
全球知名的內存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一項重大投資決策，計劃斥資約9.4萬億韓元（折合美元約為68億）在韓國龍仁市興建其國內首座芯片制造基地。這一舉措標志著
SK海力士押注AI與芯片，計劃到2028年投資103萬億韓元
在數字化和智能化浪潮的推動下，半導體行業正迎來前所未有的發展機遇。SK集團（SK Group）旗下的半導體子公司SK海力士（SK Hynix
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果
SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產良率達到56.1%
）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK
SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破，他們成功研發出了面向端側（On-Device）AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“
剛剛！SK海力士出局！
在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向
SK海力士重組中國業務
SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業務方面進行了重大的戰略調整。據相關報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業務布局，計劃關閉
SK海力士資本支出大增，HBM是重點
SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億
工商網監
評論