受疫情影響 三星3nm工藝量產或延期
近日，DigiTimes在一份報告中稱，三星3nm工藝量產時間可能已經延期至2022年。
三星原計劃2021年初量產3nm，但受疫情影響，三星預期時間可能已經延期至2022年，業內消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因為EUV光刻機等關鍵設備在物流上的延遲所致。
三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節點放棄FinFET晶體管，轉向GAA環繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
而三星最大對手臺積電也因為疫情原因半導體裝備及安裝人員都無法按期完成，原計劃在6月份風險試產的3nm FinFET工藝，試產時間將延期到10月份。
相應地，臺積電南科18廠的3nm生產線也會順延一個季度，原本在10月份安裝設備，現在也要到2021年初了。
責任編輯：wv
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15855瀏覽量
180920 -
臺積電
+關注
關注
44文章
5609瀏覽量
166111
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星3nm良率僅20%，仍不放棄Exynos 2500處理器，欲打造“十核怪獸”
，導致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF
三星首款3nm可穿戴設備芯片Exynos W1000發布
在科技日新月異的今天，三星再次以其卓越的創新能力震撼業界，于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm GAA（Gate-All-Around）先進工藝制程的可穿戴設備系統級芯片（SoC
三星3nm芯片良率低迷，量產前景不明
近期，三星電子在半導體制造領域遭遇挑戰，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產良率持續低迷，目前仍低于20%，遠低于行業通常要求的60%量產標準。這一情況引發了業界對
臺積電3nm工藝穩坐釣魚臺，三星因良率問題遇冷
近日，全球芯片代工領域掀起了不小的波瀾。據媒體報道，臺積電在3nm制程的芯片代工價格上調5%之后，依然收獲了供不應求的訂單局面。而與此同時，韓國的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有
三星與新思科技攜手，備戰2nm工藝量產
在全球半導體行業邁向更高精度和更小尺寸的征途上，三星與新思科技近日宣布了一項重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實現量產
消息稱三星第二代3nm產線將于下半年開始運作
三星電子近日宣布，將在7月的巴黎Galaxy Unpacked活動中，向全球展示其最新研發的3nm技術芯片Exynos W1000。這款尖端芯片將首次應用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手機Galaxy S25，標志著
三星3nm移動應用處理器實現首次流片
據行業內部可靠消息，三星已成功完成了其先進的3nm移動應用處理器（AP）的設計，并通過自家代工部門實現了這一重要產品的首次流片。這一里程碑式的進展不僅標志著三星在半導體技術領域的持續突破，也進一步
三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統
據外媒報道，三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統（SoC），預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。
三星電子：加快2nm和3D半導體技術發展，共享技術信息與未來展望
在技術研發領域，三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進步，預計本季度內完成2nm設計基礎設施的開發；此外，4
三星電子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年將量產
李時榮聲稱，“客戶對代工企業的產品競爭力與穩定供應有嚴格要求，而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm
三星電子3nm工藝良率低迷，始終在50%左右徘徊
據韓國媒體報道稱，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個問題。報道中僅提及了“3nm”這一籠統概念，并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透
三星與Arm攜手，運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能
三星繼續推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供電電壓，增強功率效率，同時也能增強驅動電流，
三星3nm良率 0%！
來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報道，表示三星的3nm GAA生產工藝存在問題，在嘗試生產適用于Galaxy S25 /S25+手機的Exynos
工商網監
評論