作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com）

隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科GaN產(chǎn)品有什么區(qū)別？本文我們就做一些比對；幫助大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。

1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對比

如下圖所示，產(chǎn)品GaN標(biāo)示圖。納微：GaNFast? Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET 是GaN 功率管；

2.從氮化鎵GaN產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上對比

如下圖所示，納微GaN產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；電容電阻和LV GaNFET組成內(nèi)部電路；而英諾賽科 GaN產(chǎn)品 對應(yīng)與納微GaN器件中的 HV GaNFET部分；

納微GaN 組成部分 英諾賽科GaN產(chǎn)品

3.其氮化鎵GaN產(chǎn)品特點(diǎn)

納微GaN產(chǎn)品為單片集成GaN 功率IC；GaNFET IC集成了：GaN FET (650V； Rds：110-560 mΩ)＋ GaN 驅(qū)動器＋GaN 邏輯電路，如下圖；

納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科GaN產(chǎn)品都屬于E-Mode方式；

納微GaN產(chǎn)品型號：NV6113、NV6115、NV6117、NV6125、NV6127、NV6252

英諾賽科GaN產(chǎn)品型號：INN650D01、INN650D02

4. 氮化鎵GaN產(chǎn)品參數(shù)對比

如下表所示，英諾賽科GaN產(chǎn)品型號INN650D02 對標(biāo) 納微GaN產(chǎn)品型號NV6125；其內(nèi)阻和Qoss，Coss電容值都比較接近；封裝上略大一些；

5.氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用電路

5.1 從上內(nèi)容可以看，由于英諾賽科GaN產(chǎn)品是： E-Mode GaN FET，查看其規(guī)格書參數(shù)；

英諾賽科的GaN產(chǎn)品的Vgs開通閾值電壓為1.7V，建議的驅(qū)動電壓為5.5V-6.5V，通常選取的電壓為6V。

通常使用控制IC，需要將控制輸出電壓轉(zhuǎn)換為6V，英諾賽科GaN產(chǎn)品需要外部驅(qū)動轉(zhuǎn)換電路；

有兩種方式轉(zhuǎn)換：

（5.1.1）使用電阻電容分壓電路

以QR電路結(jié)構(gòu)，控制芯片NCP1342應(yīng)用電路；NCP1342 DRV高電平輸出（12V） R3、R4、C1構(gòu)成的分壓電路，Cgs電容較小，很快被充電至Vgsth值，C1電容值推薦680pF至1nF之間。

（5.1.2）使用驅(qū)動IC

以QR電路結(jié)構(gòu)，控制芯片NCP1342應(yīng)用電路；驅(qū)動IC FAN3111E;需要VCC1通過穩(wěn)壓電路到VCC2 給FAN3111E供電；當(dāng)VCC2值設(shè)置為6V時，輸出電壓也為6V，輸出信號IN+電壓值不能超過VCC2值，需要R5/R7進(jìn)行分壓。C4的工作是減小由于輸入端寄生電容導(dǎo)致的驅(qū)動信號失真。

5.2 納微GaN應(yīng)用電路圖，由于內(nèi)置驅(qū)動電路，所以外圍簡潔

實(shí)際應(yīng)用電路圖PCB 部分截圖所示；

以QR電路結(jié)構(gòu)，控制芯片NCP1342應(yīng)用電路；納微產(chǎn)品內(nèi)部集成了驅(qū)動電路，將NCP1342輸出PWM信號轉(zhuǎn)換成內(nèi)部驅(qū)動GaNFET的驅(qū)動信號。外圍器件數(shù)量少，設(shè)計簡單；

6.氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用電路BOM列表對比

從下表中可以看到各產(chǎn)品外圍應(yīng)用電路元器件個數(shù)；

7.氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用電路的優(yōu)劣勢

9.氮化鎵GaN產(chǎn)品 驅(qū)動電路外置和內(nèi)置的區(qū)別