Nexperia P溝道MOSFET，封裝占位面積減少50%
（文章來源：電子工程世界）
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。
LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求嚴格的應用領域中使用近20年。事實證明，該封裝的可靠性遠高于AEC標準要求，超出關鍵可靠性測試指標2倍，同時獨特的封裝結構還提高了板級可靠性。 以前只有N溝道器件才采用LFPAK封裝。現在，由于工業需求，Nexperia擴展了LFPAK56產品系列，將P溝道器件也囊括在內。
Nexperia產品經理Malte Struck評論道：“新款P溝道MOSFET面向極性反接保護；作為高邊開關，用于座位調節、天窗和車窗控制等各種汽車應用。它們也適用于5G基站等工業應用場景。”采用LFPAK56封裝的P溝道MOSFET現已上市。
（責任編輯：fqj）
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