近日，武漢新芯宣布其采用50nmFloatingGate工藝SPINORFlash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產，產品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。

XM25QWxxC系列產品在1.65V至3.6V電壓范圍內讀取速度可達133MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），工作溫度范圍可達-40℃到105℃。在電源電壓下降后，時鐘速度沒有任何減慢，其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續讀取模式下能實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實現真正的XIP（executeinplace）操作。

XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封裝，在中高容量產品也將針對可穿戴設備等尺寸受限的應用推出WLCSP封裝，協助客戶將空間利用發揮到極致。全線產品支持KnownGoodDie(KGD)解決方案，并為客戶提供RDL服務，滿足客戶定制化的SiP需求。

“XM25QWxxC系列產品采用業界先進的50nmFloatingGate工藝，在性能和成本方面進一步提高了競爭力。”武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示，“針對快速發展的IoT和5G市場，武漢新芯將持續投入研發自有品牌的閃存產品，不斷拓展產品線，為客戶帶來更多高性價比的產品與解決方案。”

電子發燒友網此前報道過，武漢新芯是一家存儲IDM企業，包括晶圓代工與自有品牌兩部分業務，公司專注于NORFlash與晶圓級XtackingTM技術。2019年武漢新芯在消費電子、通信、筆記本電腦、TWS耳機、智慧電網等市場均取得了不錯的成績，筆記本電腦市場占有15%的市場份額，在國內安防市場NORFlash占據3成市場份額。

武漢新芯自有品牌產品市場銷售負責人馬珮玲女士此前在接受電子發燒友網采訪的時候談到，目前筆記本用NORFlash將由128M在明年轉入256M的容量需求。在智慧電網市場也會用到128M和256M的NORFlash。

另外5G基站對NORFlash的需求容量達512M，一個5G基站用到四顆NORFlash，武漢新芯正在加速研發，有望為國內5G基站客戶批量供貨。

電子發燒友綜合報道，參考武漢新芯，轉載請注明以上來源和出處。