在美國的步步緊逼下，華為面臨越來越嚴格的出口限制， 就連中芯國際都在近日表示：他們未來給某個客戶代工可能會受到限制。其實美國對他國進行專利封鎖制裁的手段并非首次出現，三十年前美國日本也發生過類似的貿易爭端。

在美國的步步緊逼下，華為面臨越來越嚴格的出口限制， 就連中芯國際都在近日表示：他們未來給某個客戶代工可能會受到限制。

其實美國對他國進行專利封鎖制裁的手段并非首次出現，三十年前美國日本也發生過類似的貿易爭端。

戰后初期受美國援助，日本電子制造業開始復蘇，1950年之后日本政府重點發展以半導體為代表的電子制造業，采用政策與資金雙結合的“舉國體制”，同時日本廠商大力模仿美國同類產品，直到1985年的30多年時間日本電子制造業產值從1955年的0.02萬億日元增長到1985年的17.7萬億日元，同期出口從近乎為0增長到9.9萬億日元，日本DRAM在全球市占率一度高達80%。

日美電子貿易戰從1984年持續到1991年，措施上從限制專利輸出到開征反傾銷關稅再到“最低價格協定”以及“最低市場份額協定”。貿易戰后日本電子行業出現兩層分化，首先是低端組裝業務開始海外遷移，只有集成電路和元器件在全球競爭力持續強勢，另一層分化是集成電路行業內只有設備與材料一騎絕塵，DRAM等產品從全球霸主地位不斷衰落。

為了從日美電子貿易摩擦中尋求芯片突圍經驗，民生證券公司發布了題為《日美電子貿易摩擦啟示錄》的研究報告，從電子及制造業發展的大歷史周期角度，分析了日本電子產業的興衰，為現在中美貿易爭端出謀劃策。

美日本貿易摩擦

美國對日貿易摩擦的時間跨度大約為 1985～1991 年，從 1975 年～1991 年，美國共向日本發起了 15 次 301 調查。在電子制造業領域美國對日本的貿易摩擦一直持續不斷，前有收音機進口數量限制后有彩電反傾銷政策，但是美國對日本電子制造業最擔憂的也是貿易摩擦中最激烈的領域發生在半導體行業。

1、美國對日貿易摩擦在電子制造業領域具體政策

起因：日本在全球半導體市場份額持續上升 。在全球半導體市場上，美國半導體收入在全球半導體總收入中所占的比重由1978 年的 55%下降到 1984 年的 30%，而同期日本由 28%上升到 46%，1985 年后，日本的企業首次成為世界最大的半導體銷售商，到 1986 年，世界半導體銷量排行榜前三位均為日本企業。此外，上世紀 80 年代，日本高科技出口已經超過進口，日本電子計算機在美國市場的占有率由 1980 年的 1%增加到 1984 年的 7.2%，電子部件由 3.2%上升到 7.2%。與此同時在機器人、集成電路、光纖通訊、激光、陶瓷材料等技術方面處于世界領先水平。

美國對日半導體貿易摩擦措施：知識產權委員會+最低價格協定+超級 301 條款 。 1984 年成立知識產權委員會，限制本國技術外流。1983 年美國商務部認定， “對美國科技的挑戰主要來自日本，目前雖僅限少數的高技術領域，但預計將來這種挑戰將涉及更大的范圍”，以后，美國就開始在高技術方面對日本采取防范措施，并加大對知識產權的保護力度，1984 年成立知識產權委員會，限制本國技術外流。

1986 年初，日美兩國簽訂了為期 5 年的《日美半導體保證協定》。在美國政府強力施壓之下，1986 年初日美兩國簽訂了為期 5 年的《日美半導體保證協定》，該協議的主要內容為：美國暫停對日本 DRAM 傾銷訴訟，但作為交換條件，要求日本政府促進日本企業購買美國生產的半導體，加強政府對價格的監督。

《協定》的具體內容包括：1）在市場準入方面：日本擴大外國半導體加入日本市場的機會，要求在日本市場必須有 20%的美國半導體產品占有率；2）在傾銷方面，美國暫停對 DRAM 的反傾銷調查，并根據日本生產商提供的成本資料確立了外國市場價格。當銷售價低于外國市場價水平時，就可以斷定該生產商正在以低于平均成本的價格進行傾銷（在美國的反傾銷法中，允許加上 8%的邊際利潤）。

加征關稅以及“超級 301”條款。1987 年 3 月，美國政府以日本未能遵守協議為由，就微機等日本有關產品采取了征收 100%進口關稅的報復性措施。1988 年美國通過“綜合貿易與競爭法”，祭出“超級 301”條款，使日本所有出口商品都處于美國貿易制裁風險之中。1989 年美國認定日本在大型計算機、衛星和林業產品方面封閉市場，動用“超級 301”條款進行調查。

新半導體協議。之后，日美兩國政府于 1991 年 6 月簽定了五年期的新半導體協議，其主要內容為：擴大市場準入條款，削減并修改了反傾銷條款。

廣場協定：日本 DRAM 成本優勢不再的直接原因。盡管美國迫使日本簽訂廣場協定不是只針對半導體產業，但是不得不提廣場協定對日本半導體的出口影響是巨大的。1985 年 9 月，日元匯率在 1 美元兌 250 日元上下波動，在“廣場協議”生效后不到 3 個月的時間里，快速升值到 1 美元兌 200 日元附近，升幅 20%。1986年底，1 美元兌 152 日元，1987 年最高達到 1 美元兌 120 日元。1985 年后日本電子制造業的貿易順差開始掉頭向下，DRAM 產品的市場占有率也開始急劇下降，時間點與廣場協議簽訂時間高度相關。

2、 貿易摩擦后的日本電子制造業的兩層分化

第一層分化：終端產品萎縮，零部件與設備占比提升 。

1985 年后集成電路、零部件出口持續增長，視頻、音頻、計算機持續萎縮。出口是衡量一個國家某種產品在全球競爭力最有效的方式之一。我們對日本電子行業每種細分品類在 1985 年之后的出口額進行了詳細統計，以此來觀察在 1985 年貿易摩擦之后日本電子行業哪些產品衰落了，哪些產品競爭力提升了。從下圖中可以看出在 1985 年之后出口額能持續增長的只有集成電路產品，零部件產品在 1985 年后2000 年之前仍然保持高速增長，視頻產品、音響設備、計算機及相關設備等產品在1985 年之后出口額持續萎縮。

零部件與設備成為出口創匯主力。1985 年之后日本電子制造業中零部件與設備的產值占比持續提升，從 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%，出口創收占比更是從不到 30%提升到接近 80%，同時占電子行業進口額的比重持續下降到 40%，說明日本本土零部件與設備廠商的競爭力不斷提升，不光實現了實現進口替代，更是成為了出口創匯的主力產業。

第二層分化：半導體領域 DRAM 開始衰敗，設備與材料興起 。

除了終端電子產品之外，日本半導體領域也同樣出現分化趨勢。日本 DRAM 行業在 1985 年之后在全球市場份額持續下滑，但是日本半導體行業中核心設備在全球的份額持續提升，80 年代是日本半導體設備及材料崛起的黃金十年。在 1980 年全球前十大半導體設備廠商中，美國占有 9 席，日本僅僅占 1 席；而到 1990 年全球前十大廠商中，日本占有 5 席，美國占有 5 席。

根據 SEMI 的預測，在半導體材料領域，日本企業全球市場占有率約為 52%，其中歐洲與北美占比都為 15%左右。在全球該領域中日本行業占據了絕對優勢，此時期日本半導體材料在光刻膠、模壓樹脂、硅晶圓、鍵合引線及引線框架等重要材料方面占了非常高的份額，日本半導體材料企業在全球行業中地位舉足輕重。像日立化學、京瓷化學、信越、三菱佳友株式會社 SUMCO、佳友電木等日本企業幾乎壟斷了全球半導體材料。靶材領域，市場占有率超 90%的全球 6 大廠商中前兩大就是日本的廠商 Shin-Etsu 和 SUMCO，兩家市場占有率合計超過 50%。硅片領域被日本信越化學、三菱住友、中國臺灣地區環球晶圓、德國世創和韓國 LG 五大供應商壟斷，全球硅片供應占比超 90%。其中日本的信越化學、三菱住友分別占比 27%、26%。

日本集成電路行業整體貿易順差在 1985 年之后曾經歷短暫快速下跌，主要是由于之前順差貢獻的主力 DRAM 出現較大滑坡所致，但是日本集成電路行業并未一蹶不振，從 87 年開始恢復增長一直持續到金融危機前的 2007 年，這其中設備和材料的貢獻功不可沒。

3、 貿易摩擦加速了日本電子制造業的第一層分化，但并不影響第二層分化

貿易摩擦的確加速了第一層分化 。貿易摩擦后日本電子產業的演進規律是從終端產品向上游核心零部件以及設備的進化，其本質上是從低端低毛利產品到高端高毛利進化的過程，日美貿易摩擦不是這一進化的根本原因，但具有加速作用。1985 年之后日本電子制造業的貿易順差開始急速下降，日本彩電以及曾經的貿易順差主力產品 VTR 從 1985 年開始下滑。日本電子制造業從彩電出口為主到液晶面板出口為主，從終端組裝產品出口為主到集成電路出口占比持續上升，貿易摩擦后日本電子產業的演進規律是從終端產品向上游核心零部件以及設備的進化，其本質上是從低端低毛利產品到高端高毛利進化的過程。

日美貿易摩擦只是影響了日本部分終端產品的出口，相反，日美貿易摩擦卻是日本電子制造業升級轉型的催化劑。從一國產業發展規律來看，日本電子制造業的這一升級并不是遭受了貿易摩擦的日本一國獨有的專利，從全球來看，雖然美國從來不是被貿易摩擦的國家，但是美國電子制造業的歷史其實就是一部低端產品生產不斷向日本以及亞洲四小龍再向東南亞國家遷移而美國本土制造業不斷升級的歷史。只是因為貿易摩擦的影響使得日本電子制造業在 1985 年就開始被迫需要升級。

第二層分化更深層次原因是其沒有跟上科技產業創新潮流 。日本 DRAM 行業的潰敗最根本原因在于錯過了個人 PC 的興起。DRAM 是日本半導體行業最具代表性的產品，考察日本 DRAM 產品的興衰可以一窺日本半導體行業的整體興衰。日美半導體貿易摩擦在 1991 年以簽訂《新半導體保證協議》結束，新條款當中對日本 DRAM 的最低價格決定者已經從美國變更為日本，由日本廠商參考全球 DRAM 平均價格自行決定最低售價，相比由美國決定最低售價已經寬松很多，但此時日本 DRAM 的全球市占率還有接近 70%，貿易摩擦可以解釋日本 DRAM 市占率從 80%下降到 70%，但是無法解釋為何后來日本 DRAM 在全球的市占率從 70%下降到 10%以及后續強強聯合的爾必達的倒閉。我們認為日本 DRAM 行業失敗的根本原因在于日本廠商錯過了個人 PC 的興起。

日本 DRAM 廠商錯失個人 PC 創新潮流。20 世紀 90 年代，電腦界開啟了換代潮流，從大型機向個人 PC 轉變，這一換代也導致了 DRAM 需求的變化，DRAM 的主力需求從大型機生產商向 PC 生廠商切換。伴隨著這一轉變，日本 DRAM 市占率不斷萎縮，韓國開始后來居上，在 1992 年超過日本成為霸主。主要是大型機和 PC需要的 DRAM 規格是完全不同的，PC 需要的 DRAM 的制造要求就是低成本而不是 25 年的質量保證，而韓國廠商生產的 DRAM 切合了低成本的要求最終打敗了日本。

但是，處于潮流轉變中的日本廠商肯定也感受到了 PC 的興起，但日本廠商的追求極致的文化告訴他們可以將大型機高質保要求的理念用于生產 PC 用 DRAM 當中，于是日本廠商堅持生產 25 年質保的 PC 用 DRAM，而這種 DRAM 對于 PC 來說質量明顯過剩。結果，大量生產低成本 PC 用 DRAM 的韓國廠商崛起，而日本失去了霸主地位。

日本半導體行業的文化過于追求極限。半導體制造需要精密的技術，而這些技術并不是一朝一夕能形成的。當時 DRAM 多用于大型電腦和電話交換機設備，其立下的技術標準是要求大型電腦用的 DRAM 有 25 年的質保，日本半導體制造商的工匠精神生產出了這種可靠性要求極其嚴格的DRAM，由此日本DRAM開始橫掃全球。

此時，在技術上追求極限，生產高品質的 DRAM 這一技術文化開始扎根于日本半導體企業的方方面面，而這種技術文化正是日本半導體行業競爭力的源泉。

強強聯合的爾必達也未能挽救日本的 DRAM 行業。1999 年底，日立和 NEC 合資成立專門生產 DRAM 的公司爾必達，當時普遍認為爾必達是“強大技術研發實力的日立”和“強大生產技術的 NEC”合二為一，由此將誕生世界上最強大的 DRAM制造商。甚至后來還有三菱電機的加入，但是爾必達的命運卻以破產倒閉而告終。

爾必達最根本的問題在于公司固守生產大型機 DRAM 思維而缺乏用低成本來生產低價格 PC DRAM 的意識。金融危機之后 DRAM 曾經跌破了 1 美元，當時爾必達高管在公開場合認為 1 美元的 DRAM 是無稽之談，爾必達還是堅持了早年日本DRAM 行業走高端高價格的路線，必然遭到時代的淘汰。

日元升值并不是日本 DRAM 喪失地位的主因。部分研究認為主要是貿易摩擦導致的日元匯率升值使得日本成本優勢降低，于是韓國的 DRAM 后來居上，我們認為不應高估匯率變動對日本 DRAM 產品競爭力的影響，85 年之后的韓國在 DRAM 市場可謂一騎絕塵，但 97 年韓元在短暫貶值后開啟了 10 年的升值周期，升值幅度接近一倍，但這期間韓國 DRAM 的全球市占率卻從 35%上升到接近 50%，而且在 08年金融危機后韓元同樣持續升值，但 DRAM 市占率一路沖到最高接近 70%。并且以美元計價的日本和韓國兩國制造業平均工資水平韓國曾一度與日本相當，但日本卻再也沒能重拾當年的雄風，在 DRAM 市場一路潰敗。

4、 鷸蚌相爭，漁翁得利：日美半導體貿易摩擦最大的贏家是韓國

1984 年才成立知識產權委員會限制對日技術輸出的意義不大。1983 年美國認定，對美國科技的挑戰主要來自日本。以后，美國就開始在高技術方面對日本采取防范措施，并加大對知識產權的保護力度于 1984 年成立知識產權委員會，限制本國技術外流。而此時的日本半導體技術雖然無法完全與美國抗衡，但關鍵技術都已經獲得突破。1980 年，日本宣布為期四年的“VLSI”項目順利完成，期間申請實用新型專利 1210 件，商業專利 347 件。更重要的是，到了 64K DRAM 大規模集成電路時代，富士通公司的研發進度開始與 IBM、德州儀器等美國企業并駕齊驅，而到了 256KDRAM 時代，美國才剛研制出來，日本富士通和日立的產品已經量產上市。可以說此時的日本 DRAM 產業已經不需要依靠美國技術。

對日本 DRAM 反傾銷犧牲了日本卻成全了韓國。到了 1985 年眼看限制對日技術輸出也無法阻止日本 DRAM 一統天下，美國開始對其進行更直接的反傾銷調查直至后續逼迫日本簽訂《日美半導體協議》。盡管我們認為日本 DRAM 衰敗更多原因來自于日本企業自身，不可否認美國的反傾銷調查加速了日本 DRAM 的下滑，但美國沒有想到的是韓國的 DRAM 廠商卻趁勢崛起，以三星為代表的廠商獲得了全球 70%左右份額。

韓國DRAM廠商崛起而美國無力阻止。1985年之后韓國DRAM份額逐漸上升，此時 DRAM 的消費主力逐漸從大型機轉向個人 PC，而個人 PC 的生產主力地區在中國臺灣，因此韓國DRAM主要銷往臺灣等地，美國無法阻止臺灣廠商進口韓國DRAM。當然美國進口的 PC 當中也有使用韓國 DRAM 的，但是這些進口 PC 中大部分都是美國自己的品牌，并且，在 1980 年之后由于受日本 DRAM 沖擊太大，美國本土企業已經逐漸撤出 DRAM 生產，此時美國對韓國 DRAM 進行貿易摩擦已經沒有意義。

貿易摩擦后日本電子制造業的演進對中國的啟示

既沒有富士康，更沒有蘋果與高通。日本電子制造業在二戰后因為美國的扶持以及本國舉國體制發展半導體，曾經取得了輝煌的成就，但近年來日本電子制造業卻持續萎靡，只在半導體材料和設備領域維持著領先的市場份額，日本電子制造業60 多年的發展史既沒有產生富士康這種代工領導者，更沒有產生蘋果與高通這類核心設計品牌，偏居上游的日本電子制造業有逐漸空心化的趨勢。

日本電子制造業衰落主要原因沒有把握住科技產業創新的趨勢。貿易摩擦并不是日本電子制造業的這一空心化趨勢的核心因素，究其原因，主要是日本沒有把握住科技產業創新的潮流，在 1985 年之前大型機時代，日本電子制造業逐漸崛起，但是從 2000 年互聯網 1.0 時代開始日本逐漸與行業最新潮流脫鉤，以至于持續錯過了互聯網 1.0 以及 2.0 時代，當前處于互聯網 2.0 向 AI、5G 以及智能駕駛變革的關鍵時期，能否抓住這一潮流對日本以及當前的中國都至關重要。

中國當前雖有貿易摩擦，但基本卡位了科技創新的每一波潮流。當前中國雖然處于貿易摩擦的陰霾籠罩下，但是我們緊扣科技產業創新的節奏，中國科技公司緊跟互聯網 2.0 以及移動互聯網的步伐，并且在新能源車領域整體水平不輸國外公司，在這過程中涌現出一大批領導者企業如 5G 領域的華為、AI 領域的海康威視、商湯科技以及智能駕駛領域的百度。我們持續看好中國科技企業今后的創新，在這之前日本公司的一些經驗教訓值得我們學習。

1、 加大核心零部件與設備的自制，降低對產品組裝的依賴

貿易摩擦不可否認對日本電子制造業的出口額造成了巨大影響，尤其是對于部分電子產品如電視機以及家庭錄像設備（VTR）而言幾乎是毀滅性的打擊，但日本電子制造業當中零部件的出口卻一直處于上升態勢，相對于終端產品需要大量的組裝工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉動日本電子制造業的毛利率水平。類似案例在電視機行業尤為顯著，日本彩電行業在 1985 年之后出口銳減，但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占據了全球市場的 40%以上。

2008 年之前我國半導體設備基本全靠進口，因此國家設立了 02 專項研發國產化設備。但是，由于設備制造對技術和資金需求要求比較高，只有北方華創、中微半導體、上海微電子等少數重點企業能夠承擔 02 專項研發工作，整個行業集中度相對較高。雖然在 02 專項的支持下，我國半導體設備實現了從無到有，但相比國內龐大的市場規模而言，自給率不足 15%。

即使在發展水平相對較高的 IC 封裝測試領域，我國與先進國際水平相比仍然存在較大差距。尤其是單晶爐、氧化爐、 CVD 設備、磁控濺射鍍膜設備、 CMP 設備、光刻機、涂布/顯影設備、 ICP 等離子體刻蝕系統、探針臺等設備市場幾乎被國外企業所占據。

2、 注重水平分工，降低生產成本

水平分工分為兩個層次：一個是產業內的從 IDM 模式到 Fabless 模式，另外是地域性的從國內到國外的水平分工。

忽視產業內的水平分工是日本半導體企業失敗的重要原因之一。貿易摩擦對日本電子制造業低端產品影響較大，而相對高端的日本半導體企業之所以衰退的第一個重要原因就是堅持垂直一體化的生產模式（IDM）。早期日本半導體企業都是和Fabless 的模式背道而馳，與此同時日本半導體企業也在節節敗退，從 2000 年開始，日本半導體企業已經無法繼續堅持IDM 的模式開始向 Fabless 模式轉變。

收入增長時設備投入也增加。日本半導體企業在銷售額增加的時候，當年的設備投資額也會相應增加，銷售額減少的時候設備投資額也會減少，結果是當銷售額減少的時候，由于前期投資持續增加，帶來設備的折舊也是在增加的，導致企業的盈利忽高忽低。而采用 Fabless 模式的高通公司營收與折舊增長基本同步，就連需要重資產投入的代工廠臺積電的營收與折舊增長相關性也遠高于日本的情況。

1985-1986 年，由于剛受到貿易摩擦的影響，日本半導體企業的出口受到一定影響，銷售額開始下滑，但是折舊卻大幅度上升，折舊金額和銷售下降疊加，企業利潤壓力增大。

忽視地理上的水平分工是日本半導體企業失敗的另一重要原因。日本企業主張“設計部門和生產部門必須屬于同一個地區同一個企業”，這是因為設計部門和生產部門需要密切交流，共享信息，否則就無法做出優秀的產品。這樣的企業文化導致日本很少考慮地理上的水平分工。

我們用一國對外 FDI 總額與本國當年 GDP 的比重來衡量地理上水平分工的程度。1980 年代美國 FDI 與 GDP 的比重略超 5%，到近兩年一路提升到 30%左右，而日本的數據卻一直在 5%以下徘徊。同為后起之秀的韓國的 FDI 比重在 1992 年首次超過日本之后一直到 2014 年才重新被日本超越，一方面說明過去 20 年日本對 FDI 確實過于保守，也說明了近年來日本對 FDI 開始更加重視。

地理上的水平分工有利于企業降低生產成本，1985 年之后日元持續升值，日本DRAM 廠商完全可以對外進行 FDI，將生產基地轉移至國外，由于日元升值，廠商的海外購買力其實不斷增強，一方面利用國外廉價勞動力，一方面購買國外廉價零部件，但 90 年代前幾乎沒有日本半導體廠商這么做。

貿易摩擦背景下中國電子制造業的突圍

貿易摩擦后的日本電子制造業出現了兩層分化，日美貿易摩擦對日本電子制造業的第一層分化只是催化劑的作用，而對于第二層分化，其主要原因是日本自身沒有把握住科技創新的趨勢。對當前中美貿易摩擦背景下中國電子行業會如何發展這個問題，我們首先從中日電子行業比較開始入手。

1、 美國對中國限制措施持續升級

本輪中美貿易摩擦開始于特朗普于 2018 年 3 月 22 日簽署備忘錄，宣布依據 1974年貿易法第 301 條指示美國貿易代表對從中國進口的商品征收關稅，以“懲罰中國偷竊美國知識產權和商業秘密”，涉及商品總計達 600 億美元。中國商務部其后作出反制措施向 128 種美國進口商品征稅，其中包括美國向中國出口最多的貨品大豆。中美雙方曾一度于 2018 年 5 月達成暫停貿易摩擦的共識，并發表聯合聲明尋求和解。但美國貿易代表辦公室仍于 6 月 16 日公布對華加征關稅清單，中國國務院關稅稅則委員會其后作出對等報復，中國商務部亦重啟對美輸華多項產品的反傾銷調查。

2018 年 7 月 6 日，特朗普政府正式對來自中國價值 340 億美元的商品加征 25%關稅，標志著特朗普對華關稅政策正式實施。中國商務部其后在聲明中指出，“美國違反世貿規則，發動了迄今為止經濟史上規模最大的貿易摩擦”。中國海關總署指，中方的報復措施已在美方加征關稅措施生效后即行實施。

2、 遭受貿易摩擦前中日兩國電子制造業實力對比

日本電子制造業對外貿易依存度遠高于中國。我們用電子制造業的出口金額與行業總產值的比來衡量對外貿易依存度。日本電子行業對外貿易依存度自 1950 年來一直呈上升態勢，而中國的情況恰恰相反。1985 年貿易摩擦前日本電子制造業對外貿易依存度達到 56%，而當前中國電子制造業對外貿易依存度僅為 39.32%，貿易摩擦開始后日本為了減少對對外貿易的依賴加大內需的開發，日本電子行業從 1985 年到 2000 年期間對外貿易依存度呈現持平狀態，到 2000 年該數字為 55%，由于日本電子制造業本身發展迅速，并且在全球市場競爭力較強，我們認為這 15 年間日本電子制造業的對外貿易依存度能保持持平說明開發內需確實效果顯著。

然而中國近年來的情況與日本當時的情況完全相反，08 年金融危機之后中國電子制造業的出口比重一路下滑，造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升。生產總額從 08 年來增幅接近 300%，而出口總額增幅只有 40%，說明中國內需增長旺盛，內需消化的產值遠高于出口。1985 年之前日本之所以出現貿易依存度不斷提高主要是因為出口增幅遠高于總產值增幅，1985 年的出口金額和總產值分別是1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本維持零增長態勢，但是生產總值在 2000 年達到頂峰后一路下滑，導致貿易依存度被動性提高。

總結來看，中國當前電子制造業主要是內需拉動，與日本高貿易依存度的需求結構相比有著更強的抵御貿易摩擦的能力。

中國電子制造業在全球是“參與者”而不僅僅是“供給者”角色。我們以集成電路行業為例，中國 2016 年集成電路進口 2270 億美元，本土產值 652 億美元，出口 614 億美元，本土總產值與出口額相近，說明本土產品或服務基本都是用于出口，中國集成電路行業封裝環節產值占比達到 36%，封裝占比高說明中國集成電路出口基本都是給國際廠商提供封裝服務，同時中國每年進口 2270 億美元，出口額與進口額相差較大與中國集成電路行業本身產業結構有關，中國一方面提供封裝服務，同時從國際市場進口大量集成電路成品，說明中國集成電路在全球市場是“參與者”的角色。日本集成電路行業在 1985 年時總產值達到 80 億美元，而出口和進口分別只有不到 30 億美元和 6 億美元，極少的進口額和極高的總產值說明日本半導體產品基本不需要參與國際分工，其 IDM 的模式可以實現自給自足，同時日本當年的出口額是進口額的接近 5 倍，如此大的差額比中國當前的結構更容易遭受貿易摩擦，而事實上日本集成電路行業當年就遭到了美國的多次反傾銷調查。

當前中國集成電路的產值與貿易結構相比日本當年在抵御反傾銷調查上具有優勢，同時因為我們是國際分工“參與者”，在“禁運”（美國對中國出口）方面對方又不得不考慮對其本土企業生產的影響。

3、 與日美電子貿易摩擦相比，美國對中國打擊力度加大

當前中美貿易摩擦針對電子制造業美國已出臺措施的打擊力度不亞于當年日美貿易摩擦。80 年代日美貿易摩擦從 1984 年開始一直延續到 1991 年，期間出臺多項限制日本電子制造業的合約，1986 年簽署的《日美半導體保證協定》決定對日本出口的半導體產品價格進行監督，一般認為 1986 年《日美半導體保證協定》是左右日后日本半導體產業命運的重要因素。當時日本最擅長的存儲行業，因為對美協定的制約，被中國臺灣、韓國趕超上來，風光不再。

當前中美貿易摩擦美方已經出臺的措施主要有禁運和加征關稅兩種。我們統計了美方三次加征關稅的清單當中涉及電子制造業的部分，從加征關稅的名單來看主要是對 160 億美元加征關稅的清單二涉及較多集成電路板塊出口，但對上市公司涉及金額較小，受影響程度較小。此外，中美貿易摩擦美方已出臺的措施最為嚴厲的當屬去年 4 月份的中興通訊和福建晉華禁運事件。

中興事件雖然和解，但卻為中國電子制造業敲響警鐘。中興通訊全線產品過多依賴于美國芯片和光模塊廠商，美國實施完全禁運的情況下，中興通訊及關聯公司不能直接或者間接購買美國零部件、商品、軟件和技術，從上述分析看，基站側FPGA、高速 AD/DA、功率放大器、高速光模塊等都會受到美國制裁影響，而且沒有辦法從其他國家獲得替代性產品，這些核心元器件無法供應的情況下，公司產品的交付能力會面臨比較大的挑戰。

華為、晉華事件凸顯核心設備和材料國產化迫在眉睫。2020 年 5 月 15 日，美國商務部宣布一項新計劃，將通過修改出口管理條例（EAR），要求全世界所有公司，只要利用到美國的設備和技術幫華為生產產品，都必須經過美國政府批準。此次升級繼續針對華為。自 2019 年 5 月 17 日美國 BIS 將華為及附屬公司超過 70 家納入實體名單以來，華為芯片核心產業鏈去 A 化進展已取得顯著成效，在 IC 設計端的移動處理器、存儲、模擬、傳感器、射頻前端、功率半導體等部件都已經具備繞開美國供應商的可行性路徑。但國內半導體核心環節依然受制于人，本次美國對華為的限制升級新規主要集中芯片設計所需的 EDA 軟件和半導體設備。

日本怕反傾銷，中國怕出口禁運。我們認為中日兩國的貿易結構決定了兩國在貿易摩擦方面的軟肋，日本的電子制造業主要是出口導向型，對外貿易依存度不斷提升，近年來更是達到了最高的 80%，日本的產業結構注定了其容易遭受反傾銷的調查，而歷史上日美貿易摩擦時美方使用的手段也基本都是圍繞反傾銷和最低價格協定等諸如此類的限制日本出口的措施。而中國電子行業對貿易依存度較低，最新數據不到 40%，尤其在集成電路行業進口額達到出口額的 4 倍左右，中國的產業結構注定了高端材料和設備以及芯片是軟肋，從華為、中興事件和晉華事件來看，中國對禁運幾乎毫無還手之力。

4、 中美貿易摩擦對中國電子制造業的長期影響

中美貿易摩擦的解決不會一蹴而就，反復摩擦將是常態。日美貿易摩擦從 1960年開始一直延續到 1990 年，其中電子制造業戰爭集中發生在 1985 年到 1991 年，美國用 6 年時間改變了日本電子制造業的生產和出口結構，我們認為中美之間貿易摩擦將是主流，尤其對于電子制造業而言，近年來中美貿易順差總額為 2500 億美元左右，電子信息行業貢獻占比 45%，因此電子行業必將成為中美貿易雙方最為矚目的行業，有可能會招來美方更多的限制措施。

終端產品生產下降，零部件占比提升。參考當時日本的案例，日本電子制造業當中零部件的出口卻一直處于上升態勢，相對于終端產品需要大量的組裝工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉動日本電子制造業的毛利率水平。類似案例在電視機行業尤為顯著，日本彩電行業在 1985 年之后出口銳減，但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占據了全球市場的 40%以上。日本消費電子終端產品產值與行業總產值占比從 2000 年以來基本處于下降通道，2019 年的比例已經不足 4%。

當前中國智能機、計算機等整機產品在全球市占率第一，而關鍵零部件以及高端設備基本都是依賴進口，日美貿易摩擦的案例告訴我們在當前中美貿易摩擦的背景下我們的終端產品在全球的成本優勢會下降，提高核心零部件以及設備的研發與自制是保證中國電子制造業擁有下一個增長點的關鍵。

加大對外直接投資力度。1985 年之前日本制造業對外直接投資金額維持在 4000億日元上下，總體增速較為平穩，制造業對外直接投資與制造業國內總產值的比例保持在 1%左右。在 1985 年之后的對外直接投資金額開始迅速增長，1988 年開始達到 17679 億日元，與總產值的占比攀升到 2%，此后日本制造業對外直接投資波動上升，在 2013 年達到最高點，與總產值的占比為 7%。預計中美貿易摩擦會加速中國偏終端產品生產的海外直接投資力度。當前中美貿易摩擦當中的加稅措施預計會提升中國電子制造業在國內生產的出口成本，如果后續 2000 億美元加征關稅措施出臺，以及加稅力度提升，預計偏終端產品的海外轉移會加大。盡管終端產品生產的海外轉移是一國產業升級必然會出現的現象，但加稅等措施會對這一轉移過程起到加速的作用。

加大舉國體制力度，實現核心設備與材料的自制。相對于加稅等措施，出口禁運是當前中國電子制造業面臨的最嚴重的問題。我們認為舉國體制是后發國家突破核心設備自制最好的方式，日本以及韓國都在舉國體制下實現了核心設備的突破。我國半導體行業在 02 專項以及大基金項目的幫助下核心設備自給率尚不足 20%，預計后期政府會持續加大對半導體設備與材料企業的投入，并且晶圓廠會加大與設備廠的合作力度，改變以往雙方合作水平較低的狀態。

結語：新型“舉國體制”有望助力國產半導體突圍

貿易戰后日本電子產業的演進規律是從終端產品向上游核心零部件和設備的進化，其本質上是從低端低毛利產品到高端高毛利產品進化的過程。我們認為貿易戰作為催化劑加速了這一分化進程，同時日本電子制造業分化過程中部分高端產品（如DRAM）的衰退是日本電子制造業本身特點所致，貿易戰不是衰退主因。

日本電子制造業大多采用IDM模式，并且日本企業不注重地理位置上的水平分工，沒有利用最低勞動力成本生產最具價格優勢產品。此外，日本半導體企業堅持生產大型機使用的高價高性能DRAM，當個人PC時代來臨時日本廠商沒有重視高性價比DRAM的生產，最終難逃倒閉命運。

當前中美兩國在電子制造業領域差距已經在不斷縮小，目前在半導體領域，我們所需的設備與材料基本都依賴進口，而當年日本1976 年開始半導體的舉國體制之前與中國當前情況類似，但是經過多年的發展，1985 年貿易摩擦前的日本半導體企業已經基本實現了核心設備的自制，甚至在部分核心產品上領先于美國同行量產上市。可以看出，同樣在面對美國開打貿易摩擦時日美電子制造業的差距是小于中美之間的差距，值得欣慰的是，中國目前已經出現一批優質半導體公司，如中微公司、瀾起科技、匯頂科技等。此外，日本半導體的舉國體制之路給我們發展半導體制造提供了可復制的案例，我們應該加大舉國體制的力度，力爭用最短的時間實現核心設備與材料的突破。

相比日本，我們有著龐大的內需市場，但目前國內半導體設備與材料仍然受制于海外，近期美國對華為的新一輪管制又一次為我們敲響警鐘，中美之間摩擦必將是未來一段時間的主旋律，我們要做好長期應戰準備。半導體自主可控是國家意志體現，政策持續加碼，科創板的開通為優質半導體公司上市提供快速通道，同時撬動資金達6000億元的大基金二期已經開始投資，我們預計將率先在存儲領域取得突破，新型“舉國體制”有望助力國產半導體突圍。
責任編輯:pj