電阻是一個普通的元件,卻有不普通的門道。電阻的參數(shù)有很多,平時我們一般關(guān)注值、精度、額度功率,這三個指標(biāo)合適即可。
誠然,在數(shù)字電路中,我們無需關(guān)注太多的細(xì)節(jié),畢竟只有1和0的數(shù)字里面,不大計較微乎其微的影響。但是在模擬電路中,當(dāng)我們使用精準(zhǔn)的電壓源,或者對信號進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換,又或者放大一個微弱的信號時,阻值的小小變動都會帶來很大的影響了。在與電阻斤斤計較的時候,當(dāng)然就是在處理模擬信號的場合了,后面就根據(jù)模擬電路應(yīng)用分析下電阻各參數(shù)的影響。
電阻的額度阻值——電阻的額度阻值的選擇往往被應(yīng)用固定了,比如對一個LED燈限流,或者對某個電流信號取樣,電阻的阻值基本沒有其他選擇。但是有些場合,對電阻的選擇卻有多種,比如對一個電壓信號進(jìn)行放大。如圖所示,放大倍數(shù)跟R2與R3的比例有關(guān),與R2、R3的值無關(guān)。這時選擇電阻的阻值還是有根據(jù)的:電阻阻值越大,熱噪聲就越大,放大器的性能就越差;電阻阻值越小,工作是電流越大,電流噪聲也就越大,放大器的性能就越差;這是很多放大電路的電阻是幾十K的原因了,有需要用到大阻值的地方,或者是使用電壓跟隨器,或者使用T型網(wǎng)絡(luò)來避免。
(同相放大器)
電阻的精度——電阻的精度很好理解,這里不啰嗦了。電阻的精度一般有1%和5%,精密的要0.1%等。0.1%的價格大約是1%的十倍,1%的價格大約是5%的1.3倍。一般地,精度代號A=0.05%、B=0.1%、C=0.25%、D=0.5%、F=1%、G=2%、J=5%、K=10%、M=20%。
電阻的額度功率——電阻的功率本來很簡單,但是往往容易用得不恰當(dāng)。比如2512的貼片電阻,額度功率是1W,根據(jù)電阻的規(guī)格書,溫度超過70攝氏度時,電阻就要降額使用。2512的貼片電阻到底能用到多大的功率呢,在常溫下,如果PCB焊盤沒有特殊散熱處理,2512的貼片電阻功率達(dá)到0.3W時,溫度就可能要超過100甚至120攝氏度了。在125攝氏度的溫度下,根據(jù)溫度降額曲線,2512的額度功率需降額到30%了。這種情況在任何封裝的電阻都需要注意的,不要迷信標(biāo)稱功率,關(guān)鍵的位置最好再三確認(rèn)避免留下隱患。
電阻的耐壓值——電阻的耐壓值一般比較少提,特別是新手,往往沒有什么概念,以為電容才有耐壓值。電阻兩端能夠施加的電壓,一個是由額度功率決定,要保證功率不超過額度功率,另外就是電阻的耐壓值了。雖然電阻體的功率不超過額度功率,但是過高的電壓會導(dǎo)致電阻不穩(wěn)定、電阻引腳間爬電等故障,在使用時需根據(jù)使用的電壓選擇合理的電阻。部分封裝的耐壓值包括:0603=50V,0805=100V,1206至2512=200V,1/4W插件=250V。而且,時間應(yīng)用中,電阻上的電壓應(yīng)該比額度耐壓值小20%以上,不然時間一長就容易出問題了。
電阻的溫度系數(shù)——電阻溫度系數(shù)是描述電阻隨溫度變化的參數(shù)。這個主要由電阻的材料決定的,一般厚膜片式電阻0603以上的封裝都可以做到100ppm/℃,意思就是該電阻環(huán)境溫度變化25攝氏度時,電阻值有可能變化了0.25%。如果是12bit的ADC,0.25%的變化也就是10個LSB了。所以像AD620這樣的運放,僅靠一個電阻調(diào)整放大倍數(shù)的,很多老工程師不會貪方便而使用,他們會使用常規(guī)電路,通過兩個電阻的比例調(diào)節(jié)放大倍數(shù),當(dāng)電阻是相同類型的電阻時,溫度引起的阻值變化不會帶來比例的變化,電路就更穩(wěn)定。在要求更高的精密儀表,會使用金屬膜電阻,他們的溫漂做到10至20ppm是容易的,當(dāng)然也就貴點。總之,在儀表類的精密應(yīng)用中,溫度系數(shù)絕對是很重要的一個參數(shù),電阻不精準(zhǔn)可以在校準(zhǔn)時調(diào)整參數(shù),電阻隨外界溫度的變化是控制不了的。
電阻的結(jié)構(gòu)——電阻的結(jié)構(gòu)比較多,這里提下能想起來的應(yīng)用。機器的啟動電阻,一般是用電阻對大容量的鋁電解進(jìn)行預(yù)充電,充滿鋁電解后閉合繼電器接通電源工作。這種電阻需要耐沖擊,最好使用大繞線電阻,電阻的額度功率不是很重要,但瞬時功率卻很高,普通的電阻難滿足要求。高壓應(yīng)用,比如電容放電的電阻,實際工作電壓超過500V,最好使用高壓玻璃釉電阻而不是普通的水泥電阻。尖峰吸收的應(yīng)用,比如可控硅模塊兩端需要并聯(lián)RC做吸收,做dv/dt保護,最好就實現(xiàn)無感繞線電阻,這樣才能對尖峰有良好的吸收性能并且不容易被沖擊損壞。
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