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7月3日，2020慕尼黑上海電子展盛大開幕，作為慕尼黑展唯一的視頻直播合作方，<電子發燒友>在展會期間，通過現場直播方式采訪了5G領域內眾多企業，就相關的行業、技術、市場和產品等話題進行了廣泛的交流。

作為國內存儲芯片的重要廠商之一，東芯半導體在汽車存儲、5G基站存儲和物聯網應用的存儲上頗有建樹。7月4日，東芯半導體副總經理陳磊接受了<電子發燒友>的獨家專訪，對5G基站和物聯網應用市場的存儲技術和市場趨勢進行了前瞻。

圖：東芯半導體副總經理陳磊

東芯半導體作為國內存儲IC芯片設計的重要廠商之一，如何前瞻存儲芯片在5G和物聯網領域的市場前景和趨勢是怎樣的？

陳磊：最近兩年，5G和物聯網快速發展推動存儲器的市場發展。以物聯網、5G、人工智能和大數據中心等為重點的新基建應用，都需要高速且穩定可靠的存儲芯片作為各種大大小小的數據站點，且數據站點的需求在不斷擴大，為云端大數據或者終端點應用的基礎儲存倉庫。

左：電子發燒友執行副主編章鷹 右：東芯半導體副總經理陳磊

2020年，5G宏基站相比4G基站，密度更大，5G宏基站對存儲器提出了更多的性能要求。尤其這種大容量FLASH在5G基站的AAU上面的應用。在存儲容量上，從512Mb上升1Gb，甚至2Gb的容量。5G宏基站也增加對SLC NAND需求，還有TWS耳機為代表的可穿戴產品對NOR Flash的需求增長明顯。主要需求集中在1.8V NOR Flash部分。

2020年，5G手機出貨量大增，三大運營商計劃部署55萬站5G基站，貴司主攻Nand Flash閃存和NOR Flash閃存主攻5G應用的哪些領域？在5G+物聯網市場實現了哪些突破？

陳磊：5G基站對高容量的NOR Flash需求大，東芯半導體已經研發1Gb的大容量SPI NOR Flash。物聯網領域，東芯推出了1.8V低功耗的SPI NOR Flash，容量可以涵蓋32Mb至256Mb，主要應用在TWS耳機、智能手環、智能手表等可穿戴設備上。

作為國內中小容量存儲芯片企業，東芯半導體產品聚焦在以2D SLC NAND, 低功耗的中高容量NOR FLASH和NAND MCP為主。目前在合作伙伴中芯國際的生產線上，已經實現了38納米和24納米NAND FLASH的量產。作為最新的工藝節點，我們也正在努力開發1x納米NAND FLASH工藝技術。明年我們會繼續在48nm的工藝上開發512Mb，乃至1Gb的SPI NOR FLASH。

憑借自主研發的態度，努力為產品的性能進行不斷調整提升，東芯半導體現在的存儲器產品已經從5G接入網的終端進入到核心網，骨干網和5G宏基站內部。為國內的電信級設備提供了完全國產化的存儲器產品。

在數據中心領域、汽車和手機存儲市場，目前中國市場的痛點是什么？

陳磊：汽車市場需求的存儲器，門檻就是高可靠性要求。普通消費電子需求的存儲器產品標準在100PPM到200PPM左右，這個標準在汽車上是不允許，汽車要求的存儲產品標準達到PPB級別，即10億顆才能出現的錯誤，而PPM是百萬顆的標準，汽車電子對產品的長期供貨要求嚴苛，要求10-15年產品的長期供貨能力。這對東芯半導體生產周期構成大的挑戰。

在數據中心等大規模的IDC，目前的DDR4, 未來的DDR5將給數據中心帶來更高的帶寬。大容量的SSD使用的3D NAND還基本都是以韓國，美國和日本的供應商為主。在大容量存儲芯片領域，國內供應商和境外大廠相比，在技術和生產工藝端還有著不少的差距。例如3D NAND，國內目前能夠量產的產品跟國外知名企業可能還存在1~2代的技術差距。未來的挑戰可能更偏重在存儲容量的提升和制造工藝技術的累積。

汽車級的存儲器目前國內公司涉足的還非常的少，主要原因還是在于設計能力，長期穩定的工藝配套，和長時間的供應能力。手機存儲還是以大容量，低功耗為訴求。

目前，東芯半導體的產品已經開始涉足汽車級的產品，公司已經在開發符合AEC Q100規范的SLC NAND，也開始下一代低功耗DRAM的產品，相信我們的LPD4x的產品將會面世，配合我們先進工藝的SLC NAND在5G的物聯網時代為客戶帶來更高性能，更具性價比的存儲器產品。

東芯半導體在慕尼黑展帶來哪些重磅產品發布？

陳磊：在慕尼黑上海電子展會上，東芯半導體不僅帶來了量產的38nm的SLC NAND, SPI NAND, 65nm的低功耗1.8v SPI NOR，NAND MCP還有下一代的明星產品：24nm SLC NAND, 28nm SPI NAND和48nm的1.8v 256Mb SPI NOR FLASH。

東芯半導體在存儲領域的哪些創新技術和解決方案解決了市場的痛點？

陳磊：目前，東芯半導體產品有四大類。首先，東芯已經量產65nm SPI NOR FLASH，2020年下半年將會量產的48nm SPI NOR FLASH，東芯的48nm制程相較上一代65nm產品有更高密度的集成，于是對于同等容量的存儲芯片來說，Die size也就更小，大幅提高了成本優勢，相較65nm來說，成本有顯著的下降。同時，我們還可以給用戶需求提供小型的封裝。

新產品繼續支持標準SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎上，增加了DTR傳輸模式，即在時鐘上升沿和下降沿都可以進行數據輸出，相較于之前STR的單時鐘邊沿采樣，同樣的頻率下，有了雙倍的傳輸速率，進一步提高了數據訪問的效率。

其次，東芯半導體量產了 38nm的SLC NAND FLASH，未來將會量產24nm SLC NAND，這是目前國內最先進工藝的SLC NAND。主要應用在光貓、路由器、4G模塊上。這些旗艦產品都是東芯半導體自主研發，擁有完全知識產權，可以給國內客戶提供全國產化的器件。

最新推出的28nm SPI NAND FLASH, 兼容1.8V/3.3V供電電壓, 我們在設計產品時，通過金屬層選項的改變，可與靈活在這兩個供電電壓之間切換，從而適用于大多數的商用產品。東芯半導體的SPI NAND和國內的大多數公司采用通過外接控制器，從而實現單口，雙口，四口的接口模式是截然不同的。

東芯的SPI NAND FLASH都是內置4比特/8比特ECC技術，先進的內置ECC模塊能極大的提高產品的可靠性，保證產品的容錯率，大多數公司使用外置的ECC模塊并封裝在一起，但是這樣增加了芯片的面積以及CP測試時間。

第三、DRAM產品，包括DDR3和Low Power DRAM，主要以NAND MCP產品形式封裝。第四部分，NAND MCP產品，主要是交付功能手機，4G和5G模塊的物聯網客戶。

2020年下半年，東芯半導體在主要存儲業務線的增長目標是怎樣的？

陳磊：今年上半年，東芯半導體業務健康發展，受惠于國內疫情的快速控制，海外疫情的分階段發展，東芯半導體調整了生產的節奏，在海外市場受到影響的情況下，大力開拓國內市場。6月以來，海外市場逐步打開，東南亞市場、歐美市場向公司敞開了大門，2020年下半年客戶的需求向好。

疫情對公司未來運營會產生影響，東芯半導體聚焦提升核心競爭力應對未來客戶需求。上半年，公司的SPI NAND FLASH產品已經服務覆蓋了全國所有的網絡通訊類的客戶，1.8v SPI NOR FLASH取得了幾個關鍵客戶的設計。除此之外，公司的NAND MCP產品在國內物聯網市場開始嶄露頭角，得到了國內主要模塊廠商的設計案例。

基于28nm SPI NAND FLASH和48nm SPI NOR FLASH，東芯半導體下半年可以給客戶提供更有優勢的產品。我們希望可以在去年的基礎上實現業績的成倍增長。

請介紹一下，貴公司存儲產品在5G領域應用的成功案例？

陳磊：公司的4Gb/8Gb SLC NAND已經取得了國內領先的5G宏基站供應商的認可，已經開始量產供應。以往東芯半導體的NAND主要用于客戶的接入網、個人和家庭的光貓、路由器，今年東芯半導體的高容量NAND進入5G核心網。

5G宏基站的部署條件非常復雜，在我們和客戶交流后，基站部署橫跨高熱高潮濕度的地域，也部署在北方低溫、干燥的環境中，還有部署在布滿粉塵等惡劣的環境下，5G基站信號要做到7*24*365天，器件要求高過車規要求。通過研發工程師和客戶做過技術對接后，做了客制化的開發，得到國內中芯國際北京、國內封裝測試廠的支持，目前在合作伙伴中芯國際的生產線上，已經實現了38納米和24納米NAND FLASH的量產。這些器件滿足工業寬溫（105C）的要求，和符合車規AEC Q100的SLC NAND FLASH產品。

憑借自主研發的態度，努力為產品的性能進行不斷調整提升，東芯半導體現在的存儲器產品已經從接入網的終端進入到核心網，骨干網和5G宏基站內部。為中國的電信級設備提供了完全國產化的存儲器產品。

作為最新的工藝節點，東芯也正在努力開發1x納米NAND FLASH工藝技術。東芯的低功耗1.8v的SPI NOR FLASH容量可以涵蓋32Mb至256Mb，明年我們會繼續在48nm的工藝上開發512Mb，乃至1Gb的SPI NOR FLASH。