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上交所受理非易失性存儲(chǔ)器芯片企業(yè)上海普冉科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)

集成電路園地 ? 來(lái)源:集微網(wǎng)/JSSIA整理 ? 作者:集微網(wǎng)/JSSIA整理 ? 2020-08-06 15:20 ? 次閱讀

8月3日,上交所正式受理了普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“普冉股份”)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。

招股書(shū)顯示,普冉股份的主營(yíng)業(yè)務(wù)是非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售,目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器芯片,屬于通用型芯片,可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

2017至2020年第一季度,普冉股份分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7780.11萬(wàn)元、17825.27萬(wàn)元、36298.96萬(wàn)元、14202.19萬(wàn)元,收入三年復(fù)合增長(zhǎng)率為116.00%,分別實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)371.79萬(wàn)元、1337.37萬(wàn)元、3232.08萬(wàn)元、1307.31萬(wàn)元,凈利潤(rùn)三年復(fù)合增長(zhǎng)率194.84%。

其中,普冉股份研發(fā)投入分別為1290.91萬(wàn)元、1345.79萬(wàn)元、3114.11萬(wàn)元和859.35萬(wàn)元,累計(jì)研發(fā)投入金額占報(bào)告期公司累計(jì)營(yíng)業(yè)收入比例為8.68%,研發(fā)投入占比較高。

值得注意的是,報(bào)告期內(nèi),普冉股份NOR Flash產(chǎn)品的收入分別為4471.30萬(wàn)元、13459.31萬(wàn)元、25467.60萬(wàn)元和10570.28萬(wàn)元,占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入比例為57.47%、75.51%、70.16%和74.43%。公司NOR Flash產(chǎn)品使用SONOS工藝結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。

普冉股份決定申請(qǐng)首次公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)905.7180萬(wàn)股人民幣普通股(A股),本次募集資金將投向于閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、EEPROM芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。

在閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目項(xiàng)目中,普冉股份將采用領(lǐng)先于業(yè)界的工藝制程,對(duì)NOR Flash存儲(chǔ)器芯片開(kāi)展設(shè)計(jì)研究,實(shí)現(xiàn)公司在先進(jìn)制程、大容量Flash存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目具體研發(fā)的產(chǎn)品包括:40nmNOR Flash系列存儲(chǔ)器芯片;NewGenNOR Flash系列存儲(chǔ)器芯片。本項(xiàng)目的產(chǎn)品將被應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、藍(lán)牙智能穿戴設(shè)備、指紋識(shí)別、智能家居智能手機(jī)等領(lǐng)域。

在EEPROM芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目中,普冉股份將對(duì)工業(yè)和消費(fèi)級(jí)以及車(chē)載級(jí)EEPROM存儲(chǔ)器芯片開(kāi)展設(shè)計(jì)研究,實(shí)現(xiàn)公司EEPROM存儲(chǔ)器芯片在多維下游應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目具體研發(fā)產(chǎn)品包括兩部分:其一,公司擬在當(dāng)前技術(shù)積累下,對(duì)手機(jī)攝像頭模組等消費(fèi)類(lèi)EEPROM以及智能電表、智慧通信等工業(yè)類(lèi)EEPROM存儲(chǔ)器芯片進(jìn)行升級(jí)研發(fā),使其達(dá)到更低工作電壓和更低功耗;其二,公司擬開(kāi)發(fā)車(chē)載EEPROM產(chǎn)品,通過(guò)運(yùn)用糾錯(cuò)校驗(yàn)(ECC)和差分存儲(chǔ)技術(shù),使其具備超高擦寫(xiě)能力、超長(zhǎng)數(shù)據(jù)保存時(shí)間等特點(diǎn)。

總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目是解決公司實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地和辦公場(chǎng)地不足問(wèn)題的必然舉措,有助于公司在現(xiàn)有技術(shù)儲(chǔ)備的基礎(chǔ)上突破原有存儲(chǔ)器芯片性能并持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化。

關(guān)于未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略,普冉股份表示,公司將專(zhuān)注于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的科技創(chuàng)新,圍繞非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域,以NOR Flash和EEPROM為核心,不斷滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高性能存儲(chǔ)器芯片的需求,在持續(xù)經(jīng)營(yíng)中實(shí)現(xiàn)企業(yè)的技術(shù)積累,保障公司經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)的可持續(xù)發(fā)展。

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原文標(biāo)題:普冉半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO獲受理

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