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5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:程文智 ? 2020-08-07 09:50 ? 次閱讀

這兩年最熱門的技術(shù)莫過于5G人工智能,根據(jù)工信部的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),截止到6月6日,全國已建成的5G基站超過25萬個(gè),有130款5G手機(jī)獲得入網(wǎng)銷售許可,5G終端連接數(shù)超過3600萬,到7月份時(shí),5G終端連接數(shù)超過了6600萬。

在基站建設(shè)方面,三大運(yùn)營商計(jì)劃今年涉及5G業(yè)務(wù)的總投資額高達(dá)1803億元人民幣,預(yù)計(jì)年底全國建設(shè)開通70萬5G基站,2021年達(dá)到100萬以上。

可是最近的一篇報(bào)道,引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗,節(jié)約電費(fèi),中國聯(lián)通在洛陽某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。為什么5G基站的能耗會(huì)如此高呢?

5G基站能耗高的原因

目前5G基站能耗主要集中在基站、傳輸、電源和機(jī)房空調(diào)四部分,而其中基站的電費(fèi)支出占整體網(wǎng)絡(luò)能耗的80%以上。而在基站能耗中,負(fù)責(zé)處理信號(hào)編碼的基帶單元(BBU)的功耗相對(duì)較小,射頻單元(RRU/AAU)的功耗相對(duì)較大。

根據(jù)去年華為發(fā)布的《5G電源白皮書》顯示,從4G演進(jìn)到5G,雖然單位流量的功耗大幅降低了,但是5G總功耗相比4G還是大幅增加的。預(yù)計(jì)在5G時(shí)代,64T64R AAU最大功耗將會(huì)達(dá)到1000~1400W,BBU最大功耗將達(dá)到2000W左右。


圖1:5G基站能耗變化。


在5G時(shí)代,一站多頻將會(huì)是典型配置,預(yù)測(cè)5頻以上站點(diǎn)占比將從2016年3%增加到2023年45%。一站多頻將導(dǎo)致整站最大功耗超過10kW,10頻及10頻以上站點(diǎn)功耗超過20kW,多運(yùn)營商共享場(chǎng)景下,功耗還將翻倍。

英飛凌科技(中國)有限公司的電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場(chǎng)部經(jīng)理程文濤在<電子發(fā)燒友網(wǎng)>舉辦的《5G網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)對(duì)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)》直播中表示,5G基站相比4G基站功耗提升了3倍以上,加上由于覆蓋范圍的衰減,5G基站的需求量成倍增加,因此,對(duì)于運(yùn)營商而言,5G基站的高功耗成為了制約5G建網(wǎng)的首要原因。

隨著5G網(wǎng)絡(luò)走向低/高頻混合組網(wǎng),為滿足網(wǎng)絡(luò)容量增長的業(yè)務(wù)需求,大量的末梢站點(diǎn)將會(huì)被部署,網(wǎng)絡(luò)站點(diǎn)數(shù)量將會(huì)出現(xiàn)大幅增加,整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的功耗將會(huì)呈倍數(shù)增長。

5G時(shí)代電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)

基站電源主要是分成三級(jí)的,一般來說基站的供電電源是220V的市電。第一級(jí)是將220V轉(zhuǎn)換到-48V;第二級(jí)一般是使用模塊電源,將-48V電壓轉(zhuǎn)換成給PA供電的48V,或者28V電壓;第三級(jí)是板級(jí)電源,從12V轉(zhuǎn)換到給各個(gè)芯片模擬電路、數(shù)字電路等所需的電壓。


圖2:通信系統(tǒng)供電鏈。


由于5G基站能耗的增加,電費(fèi)成為了運(yùn)營商不可忽視的一個(gè)因素,運(yùn)營5G基站的運(yùn)營商會(huì)越來越關(guān)注基站的耗電量。因此,如何幫助運(yùn)營商節(jié)省電費(fèi)變成了一個(gè)重要的話題。那么要節(jié)省電費(fèi),電源的設(shè)計(jì)就是一個(gè)繞不開的話題。

程文濤認(rèn)為,5G時(shí)代的到來,對(duì)電源設(shè)計(jì)的影響是非常明顯的。他主要談到了三個(gè)方面的影響:

首先是對(duì)新材料、新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及高性能器件的使用將會(huì)更多。“如果想要提升效率,節(jié)省電費(fèi),那么使用的元器件就不可能跟3G/4G時(shí)代那樣對(duì)成本要求那么嚴(yán)格,必然需要用到性能好的器件、好的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、好的材料。”程文濤在直播中表示。

其次,是總線電壓將會(huì)提升。由于耗電量增加了,電源設(shè)計(jì)也發(fā)生了一些變化,比如之前都是使用48V電壓的通信總線不得不提升到72V,這樣就會(huì)導(dǎo)致開關(guān)電源DCDC)的輸出端電壓發(fā)生變化。

還有可靠性問題也更受到關(guān)注。由于基站有個(gè)很重要的特點(diǎn)就是投入運(yùn)營之后,基本上就是無人值守了,因此不論是設(shè)備供應(yīng)商,還是運(yùn)營商對(duì)可維修性、可遠(yuǎn)程監(jiān)控性、以及低故障率的要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他行業(yè)。

5G宏基站電源設(shè)計(jì)策略

對(duì)于宏基站,在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面,英飛凌的程文濤給出了一些建議。“在一次電源方面,我們看到一個(gè)很明顯的趨勢(shì)是要求高效率和高功率密度。現(xiàn)在電源的效率要達(dá)到97%,甚至98%的工作效率。”

要達(dá)到這個(gè)效率目標(biāo),程文濤認(rèn)為一是需要用到新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),他舉例說,ACDC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將會(huì)從有橋PFC,逐漸過渡到無橋PFC,甚至圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料,包括現(xiàn)在熱門的碳化硅MOSFET氮化鎵MOSFET;三是高頻化,高頻化可以提高功率密度,減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎,SMD封裝成為了主流。

對(duì)于二次電源部分,新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并不多,更主要的是使用新材料和高頻化器件。


圖3:5G時(shí)代的宏站整流器。


5G小基站電源設(shè)計(jì)的建議

在小基站方面,程文濤認(rèn)為5G時(shí)代的小基站跟宏基站有很大的區(qū)別,跟4G時(shí)代的微基站和微微基站也略有不同,“現(xiàn)在小基站,有的人也叫分布式基站,在5G時(shí)代,射頻部分和天線部分,會(huì)越來越多地融合在一起,不像以前RU跟天線是分開的,這種緊湊型的設(shè)計(jì),對(duì)電源的要求是不同的。”


圖4:小基站供電設(shè)備的主要特點(diǎn)。

他認(rèn)為主要會(huì)有以下一些變化:
一是需要使用耐壓等級(jí)更高的器件。如果要做到更加緊湊,那么能夠接受的EMI的元件數(shù)量就要變少,因?yàn)镋MI元件一般都是很大。但是EMI元件對(duì)射頻部分又非常關(guān)鍵,它除了擔(dān)任電磁兼容部分的任務(wù)外,還需要負(fù)責(zé)輸入部分的抗浪涌和雷擊任務(wù)。“這就像一個(gè)蹺蹺板,如何平衡緊湊,與減少EMI器件后還能承受以前一樣,甚至更高的抗浪涌和雷擊壓力。”程文濤也談到了現(xiàn)在的一些應(yīng)對(duì)措施,那就是使用耐壓等級(jí)更高的器件。

二是需要采用新封裝形式的器件。由于要做得更加緊湊,貼片器件會(huì)用得更多。而且由于小基站很多是部署在室外的,基本上不使用風(fēng)扇,因?yàn)轱L(fēng)扇的維護(hù)成本高,且折舊速度快,因此現(xiàn)在小基站基本都是無風(fēng)扇設(shè)計(jì)。那如何才能適應(yīng)室外的款溫度變化呢,這就需要依靠設(shè)備的外殼幫助散熱。程文濤指出,現(xiàn)在不少器件都采用了新的封裝來幫助散熱,比如頂層散熱,或者雙面散熱的封裝。

三是在二次電源里面,DCDC部分會(huì)有一些新的技術(shù)出來,“例如以前大部分的MOS管都是漏極貼在PCB上的,現(xiàn)在有很多的器件是把源極設(shè)計(jì)在下面。源極朝下,配合漏極朝下的器件,做同步整流Buck的時(shí)候,在EMI、效率、PCB layout等方面都有非常大的優(yōu)勢(shì)。”程文濤表示。

總結(jié)

總的來說,在5G時(shí)代,如何降低功耗是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都需要思考的問題。高效率、高功率密度、以及高頻化將會(huì)是接下來業(yè)界持續(xù)關(guān)注的話題。在程文濤看來,在效率方面,對(duì)通信電源來說,當(dāng)電源效率提升到一定程度之后,提高效率的任務(wù)就會(huì)落在射頻端,射頻端的效率提升一點(diǎn)點(diǎn)的好處將會(huì)大于電源部分效率的提升;高功率密度可以讓設(shè)備的尺寸變得更小,會(huì)是業(yè)界持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn);高頻化則需要依賴新材料來實(shí)現(xiàn),包括碳化硅、氮化鎵、磁性新材料等,因?yàn)橹挥兄鲃?dòng)器件和被動(dòng)器件同時(shí)高頻化,才能實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高頻化。

對(duì)5G時(shí)代的電源設(shè)計(jì)工程師來說,新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和新材料是必須要熟悉的,因?yàn)樘蓟琛⒌壍刃虏牧掀骷鰜淼臅r(shí)間并不長,每個(gè)廠商推出的器件特性都是不一樣的,不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此,程文濤建議電源設(shè)計(jì)工程師,盡早熟悉新材料器件、高頻化設(shè)計(jì),開拓設(shè)計(jì)思路,以適應(yīng)未來的電源設(shè)計(jì)工作。

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