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韋爾股份增加了CMOS圖像傳感器領域的布局

MEMS ? 來源:MEMS ? 2020-08-31 11:56 ? 次閱讀

韋爾股份在2019年度順利完成對北京豪威、思比科的收購,公司在主營業務上增加了CMOS圖像傳感器領域的布局,使得公司半導體設計整體技術水平快速提升,且為公司帶來了智能手機、安防、汽車、醫療等領域的優質客戶資源,公司的盈利水平得到了大幅提升。2020年上半年,韋爾股份實現營業總收入80.43億元,較2019年度同期經追溯調整后的營業總收入增加41.02%。

通過公司各業務體系及產品線的整合,韋爾股份充分發揮了各業務體系的協同效應,報告期內,公司實現歸屬于上市公司股東的凈利潤為9.90億元,較上年同期追溯調整后增長1,206.17%;剔除2017年限制性股票激勵計劃以及2019年股票期權激勵計劃在本報告期內的攤銷費用的影響,歸屬于上市公司股東的凈利潤為10.77億元,同比增長565.92%。韋爾股份持續盈利能力得到了顯著的提升。

(一)半導體設計業務顯著增長

2020年上半年,韋爾股份半導體設計業務實現收入68.91億元,占公司2020年上半年度主營業務收入的85.85%,較上年同期追溯調整后增加了42.69%。公司自設立以來不斷加大研發投入,半導體設計業務近年來持續穩定增長。

韋爾股份在半導體設計業務領域取得了以下成就:

1、圖像傳感器領域

韋爾股份在2019年度順利完成對北京豪威、思比科的收購使得公司主營業務增加了在CMOS圖像傳感器領域的布局。充分受益于CMOS圖像傳感器行業成長的紅利,手機、汽車、安防領域的圖像傳感器數量及價值量穩步提升。特別是智能手機領域,智能手機是CMOS圖像傳感器最主要的應用領域,智能手機出貨量的增長也極大推動了CMOS圖像傳感器市場的快速增長。在全球智能手機市場競爭愈發激烈、市場集中度不斷提高的情形下,消費者對手機攝像頭性能提出更高的要求,攝像成為了智能手機核心功能,手機攝像頭由單個后置攝像頭逐漸升級為后置雙攝、前后雙攝乃至3D感應模組、后置三攝等,使得CMOS圖像傳感器的出貨量逐年大幅提升。

2020年上半年,韋爾股份推出的OV64B為一款0.7um小像素、分辨率高達6,400萬的圖像傳感器,OV64B支持最高1,600萬像素視頻模式下的3重曝光交錯式HDR。集成了四合一彩色濾光片陣列和片上硬件像素重組算法,提供了6,400萬像素優質實時拜耳輸出,使高端主流智能手機設計師能設計出更為纖薄,并搭載6,400萬像素高分辨率攝像頭的手機。另外,公司持續對Nyxel技術進行升級,使圖像傳感器能夠在低光甚至無光的情況下運行,940nm波長的近紅外成像量子效率達50%,本報告期內,韋爾股份發布了汽車首款Nyxel技術的圖像傳感器OX03A2S,這款250萬像素的ASIL-B等級傳感器集Nyxel技術和3.2微米像素于一體的OX03A2S為外置成像應用設計,能夠在弱光環境下檢測和識別其他圖像傳感器無法捕捉的物體,從而提高安全系統的性能。韋爾股份圖像傳感器領域深度布局,持續加大研發投入并獲得了業界及市場的一致認可。

在動態視覺傳感器領域(Event-based Vision Sensor),公司子公司芯侖科技研發的CeleX系列產品處于同行業領先水平,在全球率先推出了1M分辨率傳感器,同時具有動態信息與灰度信息時間一致性、可提供片上光流等特點,具有明顯技術優勢。目前,公司除了持續研發更高性能的動態視覺傳感器芯片外,還與下游客戶攜手開發基于該芯片的應用,包括智能手機、家電、安防、AR/VR(手勢識別、人體追蹤),機器人/無人機(實時建圖與定位),高級輔助駕駛(障礙物檢測、車內監控)等。

2、其他半導體芯片領域

電源管理芯片領域,針對LDO方向,在國內率先開發出高頻段高抑制比(100K~1MHz,最低PSRR達到55dB以上)LDO,此LDO主要用于超高像素手機攝像頭CIS供電,同時開發出0.5uA超低功耗LDO,該LDO主要應用于各種智能穿戴及IOT物聯網領域,產品性能完全可以取代國外最高端型號,并實現穩定量產,已形成多系列、多型號。過壓保護方向,開發了內置浪涌的OVPIC、帶限流保護的OVPIC、低導通電阻值的OVPIC:內置浪涌管的抗浪涌能力高達120v,芯片面積做到CSP-12的最小面積,性能和成本都做到國內同類公司最優。OVPIC開發了采用FT修正技術可以消除封裝以后由于應力影響的參數漂移,更利于提高OVP的保護電壓精度。

信號接口領域,AnalogSwitch產品線涵蓋了低損耗、低功耗的2:1/4:1/8:1等通用型模擬開關;也有超高速、低延時、低串擾、高隔離度的數字開關,滿足USB,MIPI,eDP,HDMISATA,Thunderbolt等多種高速接口應用;還有針對HiFi音頻應用而打造的超低失真、大擺幅、高耐壓、高信噪比、類繼電器型的專業級開關;圍繞Type-C應用,集成了數字模擬轉換功能、信號動態補償、充電保護等復雜功能的開關產品系列。

在觸控和顯示驅動集成芯片(TDDI)領域,2020年上半年公司研發的TD4150為一款HD 720 x 1600分辨率,支持a-Si Dual Gate Panel的TDDI產品已開始量產。Dual Gate技術幫助低端智能手機顯示屏減小下邊框,實現和中高端手機接近的全面屏設計,提升智能手機產品競爭力。目前該TDDI業務應用于智能手機LCD顯示屏領域,隨著智能手機出貨量的增長以及手機顯示屏向TDDI方案切換,TDDI的需求保持逐年穩定增長。

TVS領域,韋爾股份在國內率先開發出深度回掃的超低電容靜電保護芯片,電容低至0.1pF,該系列產品技術水平達到國際領先水平,能實現替代國外如SEMTECH、ONSEMI、NEXPERIA等產品。公司不斷加大防浪涌保護器件的開發,形成了單向、雙向,工作電壓4V-30V,封裝形式從SOD到DFN等多種產品規格,在該產品市場,作為國內能夠提供最全產品系列的設計公司,在消費類市場中的出貨量穩居國內第一。

MOSFET產品已實現從消費類市場逐步進入網通、安防市場。同時韋爾股份積極開發新型產品系列,在國內率先推出了2mohm、CSP封裝的雙N型鋰電池保護MOSFET,目前為國內唯一一家提供全系列鋰電池保護MOSFET市場產品的公司;公司在MOSFET領域擁有領先地位并且將優勢逐漸擴大。此外隨著SGT量產和超結高壓MOSFET產品系列化,確保了公司能為手機為代表的消費類電子市場提供各種類型的MOSFET產品。公司近期推出一款p溝道MOSFET(場效應晶體管)的小型單通道負載開關,其支持在1.1V-5.5V的輸入電壓范圍內工作,并能夠以更低靜態電流和待機電流運行,還具備低導通電阻特性等特點,并配有各種附加功能,同時采用的更緊湊封裝也很適合智能可穿戴設備。

射頻芯片領域,韋爾股份將產品研發重點圍繞在高性能射頻芯片的研發上。同時,在LNA產品方面,公司根據客戶需求,對原有產品重新設計,同時研發了高低端兩種方案多款產品,保障公司產品能充分滿足市場的差異化需求。公司研發的中頻高增益LTE-LNAWS7931DE和高頻高增益LTE-LNAWS7931DE工程樣品測試完成,達到設計預期目標,本報告期內處于試產階段。

針對近年來物聯網、智能家居等市場對MEMS產品的需求,韋爾股份在報告期內針對性的完善和開發了手機、智能音箱、TWS耳機、智能機器人領域的MEMS麥克風產品。公司充分考慮市場對MEMS麥克風產品高信噪比、低功耗的性能要求,同時根據客戶產品方案提供定制化方案。在TWS耳機領域,公司進一步降低產品功耗,公司開發的小尺寸低功耗產品,目前居于國內領先水平,已經為國內知名品牌采用。

(二)持續加大研發投入,不斷創新研發機制

2020年上半年,韋爾股份研發投入合計約9.87億元,半導體設計業務研發投入占半導體設計業務銷售收入比例達到14.33%。近年來公司不斷加大研發投入,為公司提升產品競爭力,豐富產品類型提供了堅實基礎。公司在穩步提升原有產品類型的研發投入基礎上,持續加大在北京豪威及思比科專注設計研發的CMOS圖像傳感器芯片領域的研發投入。

截至報告期末,公司已擁有專利4,397項,其中發明專利4,030項,實用新型132項;專利合作協定1項,集成電路布圖設計權128項;軟件著作權106項。公司十分重視自主知識產權技術和產品的研發,建立了以客戶需求為導向的研發模式,不斷創新研發機制,以提供公司在產業中的核心競爭力。

(三)優化供應鏈管理、充分發揮協同效應

為確保產品質量、穩定的產能供應和成本控制,芯片設計企業需要與其主要的晶圓廠、封裝及測試廠商建立緊密的合作關系。公司半導體設計業務長期以來采用Fabless模式與主要晶圓廠、封測廠進行了深入合作,為產品穩定供貨提供了較為堅實的保障。報告期內公司與已有的晶圓廠、封裝廠持續開展深度合作,同時在充分保障產品質量的前提下,公司將部分相對成熟的產品轉移至本土晶圓廠,為公司日益增長的產能需求提供保障的同時,也有利于公司進行成本控制。

報告期內,公司統籌安排各業務板塊的發展戰略,充分發揮各業務體系的協同效應,提升公司在半導體領域的業務規模和競爭力。在研發上,思比科在豪威科技的技術帶動下,設計及產品定義能力大幅提升。同時思比科長期致力于中低端CMOS圖像傳感器的研發設計,其高性價比的產品可以滿足中低端CMOS傳感器市場的需求,避免了豪威科技在相關產品市場上的消耗。此外,公司在維持原有產品客戶規模的基礎上,通過豪威科技及思比科在移動通信、安防、汽車電子、醫療等領域的優質客戶資源,公司原有產品市場得到進一步拓展。

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原文標題:韋爾股份加大投入圖像傳感器,積極布局MEMS麥克風

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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