隨著特朗普政府收緊對華為的限制,三星和海力士(SK Hynix)宣布將停止向華為出售芯片。這兩家公司將在9月15日暫停交易,當(dāng)天也是美國對華為芯片供應(yīng)禁令生效的日期。
美國對華為的最新限制措施是在8月份出臺的,此前美國已經(jīng)對華為實施了一系列其他措施。他們禁止非美國公司銷售用美國技術(shù)開發(fā)的零部件,除非這些公司獲得特別批準。這對華為構(gòu)成了嚴重威脅,華為曾表示可能再也無法生產(chǎn)麒麟芯片組。
不過,華為的業(yè)務(wù)對許多其他公司來說都非常重要,因為它最近成為了世界上最大智能手機制造商。不能向其供貨,在短期內(nèi),對產(chǎn)業(yè)鏈造成了重大打擊。美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查公司VLSI Research首席執(zhí)行官丹·哈切森(Dan Hutcheson) 表示,美國對華為的限制導(dǎo)致整個芯片行業(yè)未售出產(chǎn)品的大量積壓,而政府提出支持該行業(yè)的援助遠遠達不到填補缺口所需的規(guī)模。
哈切森聲稱:“在表面之下,庫存已經(jīng)大量積累。我們看到集成電路的庫存水平比經(jīng)濟陷入低迷之前更高。”
據(jù)報道,在前一輪限制之后,臺積電于今年5月宣布暫停向華為銷售芯片。
中芯國際已成為華為的替代供應(yīng)商,但特朗普政府威脅也要制裁中芯國際。華為為其手機采購零部件的選擇越來越少,不過美國芯片制造商高通據(jù)稱已游說特朗普政府取消限制,允許其向華為銷售。
昨日據(jù)《時代周報》報道稱,業(yè)內(nèi)人士表示,“為應(yīng)對即將到來的禁令期限,華為備了大量庫存,一些芯片半成品也買回來了。現(xiàn)在整個供應(yīng)鏈都對華為庫存量感到好奇,這也是華為的商業(yè)機密。”
而日前華為輪值董事長郭平表示,現(xiàn)在公司狀況正常,只是面對先進要素不可獲取的情況,華為需要思考如何打破封鎖,建立起自己持久的技術(shù)能力和穩(wěn)固的、可信的供應(yīng)鏈。
本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自華為、時代周報、TechWeb,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
發(fā)表于 10-28 15:44
?449次閱讀
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務(wù)報告,市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預(yù)期差距如何進一步拉大。
SK海力士因在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強勁表現(xiàn),預(yù)計
發(fā)表于 10-08 15:58
?623次閱讀
近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子與SK海力士已攜手啟動芯片產(chǎn)品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應(yīng)服務(wù)器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求,進一步推動數(shù)據(jù)中心冷卻技術(shù)的革新。
發(fā)表于 07-02 10:24
?521次閱讀
近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
發(fā)表于 05-30 11:30
?734次閱讀
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
發(fā)表于 05-22 14:54
?502次閱讀
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
發(fā)表于 05-17 10:12
?613次閱讀
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)
發(fā)表于 05-15 09:23
?402次閱讀
業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲
發(fā)表于 05-14 10:31
?363次閱讀
臺灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強烈地震之后,美光、SK海力士、三星紛紛暫停存儲芯片報價,三星雖未受直接影響,卻暫時停止出貨以待上級指示。據(jù)了解
發(fā)表于 04-10 09:30
?458次閱讀
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向
發(fā)表于 03-27 09:12
?571次閱讀
三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)。
發(fā)表于 03-14 11:00
?679次閱讀
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
發(fā)表于 01-23 11:35
?625次閱讀
據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,由于DRAM、NAND等存儲半導(dǎo)體市場嚴重低迷,三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半導(dǎo)體零部件供應(yīng)商提出降價要求。
發(fā)表于 01-19 14:52
?920次閱讀
數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
發(fā)表于 01-08 10:25
?947次閱讀
12月18日,傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設(shè)備的投入,如三星電子預(yù)計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增
發(fā)表于 12-19 09:20
?466次閱讀
評論