來(lái)源:21ic 蔡璐整理
據(jù)《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,蘋(píng)果將會(huì)推出其自行研發(fā)設(shè)計(jì)的GPU芯片,其與A14X處理器同樣采用臺(tái)積電5nm制程生產(chǎn),并有望率先應(yīng)用于2021年下半年推出的iMac上。
同時(shí),該報(bào)道指出,蘋(píng)果即將推出的自研GPU代號(hào)為L(zhǎng)ifuka,是Apple Silicon項(xiàng)目的一部分,其將搭載Tile-Based Deferred Rendering的渲染架構(gòu)。
值得一提的是,該架構(gòu)是Imagination Technologies的PowerVR GPU中存在的技術(shù),蘋(píng)果早在2010-2017年的A4芯片中就使用了這一技術(shù)。在今年早些時(shí)候,蘋(píng)果與Imagination Technologies再次合作,并達(dá)成了一項(xiàng)多年協(xié)議,那就是蘋(píng)果將獲得這家英國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。而如今看來(lái),這似乎是蘋(píng)果計(jì)劃借助Imagination Technologies專業(yè)知識(shí)來(lái)開(kāi)發(fā)自己GPU的一部分。
據(jù)21ic家了解,蘋(píng)果在今年6月的WWDC開(kāi)發(fā)者大會(huì)中宣布,其Mac將在未來(lái)2年時(shí)間內(nèi),計(jì)劃從英特爾x86架構(gòu)CPU逐漸過(guò)渡到Arm架構(gòu)Apple Silicon。同時(shí),有業(yè)界人士透露,蘋(píng)果首款A(yù)14X處理器已經(jīng)完成了設(shè)計(jì)定案,并將于今年年底前借助臺(tái)積電5nm工藝量產(chǎn)。
對(duì)此,有供應(yīng)鏈人士指出,蘋(píng)果將于2020年底有望推出一款搭載12英寸視網(wǎng)膜屏幕(RetinaDisplay)的Macbook,其將采用蘋(píng)果自研的A14X處理器(研發(fā)代號(hào)為T(mén)onga),并配備一個(gè)USB-C接口,總重量將小于1千克。得益于Arm架構(gòu)處理器的低功耗優(yōu)勢(shì),新款Macbook續(xù)航可達(dá)15-20小時(shí),而A14X處理器也將裝配到新一代iPadPro平板電腦中。
(圖片源自工商時(shí)報(bào))
此外,該報(bào)道還表示,由于臺(tái)積電在9月14日之后將無(wú)法再為華為海思進(jìn)行代工,因此臺(tái)積電第四季度空出來(lái)的5nm產(chǎn)能已由蘋(píng)果順利拿下,未來(lái)看好蘋(píng)果下個(gè)季度營(yíng)收續(xù)創(chuàng)新高。
那么問(wèn)題來(lái)了,當(dāng)蘋(píng)果完善相應(yīng)的生態(tài)之后,作為PC行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的英特爾又將如何面對(duì)呢?
未來(lái),誰(shuí)能在GPU市場(chǎng)上笑到最后,還有待市場(chǎng)觀察。
—— 知識(shí)“充電站” ——
7nm跟5nm的差距到底有多大?
大家平時(shí)所講的5nm或者7nm,其實(shí)說(shuō)的是晶體管的寬度,也叫線寬。要想做到納米級(jí)的電路,其工藝難度極高。在制造晶體管的國(guó)產(chǎn)中會(huì)涉及到光刻、刻蝕等諸多復(fù)雜的加工工藝,而臺(tái)積電就是從荷蘭阿斯麥爾(ASML)采購(gòu)了可以加工5nm EUV光刻工藝的***。
在芯片領(lǐng)域,從10nm過(guò)渡到7nm,再逐漸邁向5nm,每一次進(jìn)步都伴隨著芯片性能的極大提升。據(jù)計(jì)算,芯片每前進(jìn)1nm,其性能將會(huì)提升30%-60%。而尺寸越小,則意味著在相同的面積之內(nèi)可以儲(chǔ)存更多的晶體管,從而達(dá)到較快的運(yùn)行速度以及更低的能耗。
以華為麒麟處理器為例,麒麟970還是10nm工藝,可到了麒麟980就已經(jīng)是7nm工藝制程了,其晶體管數(shù)量從970版本的55億上升至69億,增加了25.5%。晶體管數(shù)量的增加,直接促進(jìn)了CPU、GPU和NPU性能的提升。從跑分上看,CPU性能提升50%,GPU性能提高100%,NPU性能提升了一倍。可見(jiàn)10nm跟7nm工藝的差距之大,而這也正是芯片領(lǐng)域追求更小晶體管的原因。
據(jù)悉,國(guó)內(nèi)晶圓廠臺(tái)積電投入巨資研發(fā)5nm工藝,這相比7nm制程來(lái)說(shuō),將會(huì)是一次極大的飛躍。對(duì)此,有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,由于設(shè)備本身尤其是曝光機(jī)的極限問(wèn)題,5nm的研發(fā)之路注定坎坷,但臺(tái)積電已經(jīng)向荷蘭阿斯麥爾(ASML)采購(gòu)了最新型的極紫外光(EUV)的曝光機(jī),同時(shí)中芯國(guó)際也緊隨其后開(kāi)始布局EUV光刻工藝,相信在有關(guān)技術(shù)人員的不懈努力之下,5nm之路將并不遙遠(yuǎn)。
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