在中國信息化百人會2020年峰會上，華為的消費者業務CEO余承東直言：華為要沒芯片可用了。

余承東表示，今年秋季華為將發布品牌Mate40系列5G新品手機，并選擇搭載麒麟9000系列芯片。不過，該系列手機或將成為最后一代搭載華為自產麒麟芯片的產品。

由于美國對華為的第二輪制裁，麒麟9000系列芯片將可能變成麒麟高端芯片的最后一代，絕版。原因，余承東說的很清楚：現在國內的半導體工藝上還沒有趕上。

正如余承東所說的，華為代表著中國芯片產業所走過的艱難的道路，從嚴重落后、到有點落后、到趕上來、再到領先。

可是美國政府要摧毀所有領先于美國公司的外國公司，所以華為就受到美國以國家之力的打壓。

這是光榮，也很悲壯。

而要破除技術壁壘，只有一條難走的路：在壁壘之外構建一條完整的產業鏈和一條完整的生態系統。

近期，有媒體報道稱，據權威人士透露，“十四五”規劃之中，我國計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。

事實上，近年來，包括LED企業在內，中國企業正加速推動中國第三代半導體產業的快速發展，在國際巨頭筑起的高墻下奮力進擊與突圍。

第三代半導體產業現狀

根據世紀證券公司陳建生的研究報告《從新基建與消費電子看第三代半導體材料》，從應用范圍來說，第三代半導體領域還具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點。在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域擁有廣闊的應用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產業發展的重點新材料。

第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）。

圖：SiC與GaN處于穩步爬升的光明期

然而，第三代半導體技術的高技術門檻導致其市場被日美歐寡頭壟占，美歐等經濟體持續加大化合物半導體投入。2018年，美國、歐盟等國家和組織啟動了超過15個研發項目，其中，美國的研發支持力度最大。

2018年美國能源部（DOE）、國防先期研究計劃局（DARPA）、和國家航空航天局（NASA）和電力美國(Power America)等機構紛紛制定第三代半導體相關的研究項目，支持總資金超過4億美元，涉及光電子、射頻和電力電子等方向，以期保持美國在第三代半導體領域全球領先的地位。

此外，歐盟先后啟動了“硅基高效毫米波歐洲系統集成平臺（SERENA）”項目和“5GGaN2”項目，以搶占5G發展先機。

圖：全球第三代半導體產業格局

在中國，先進半導體材料已上升至國家戰略層面，2025年目標滲透率超過50%。

底層材料與技術是半導體發展的基礎科學，在2025中國制造中，分別對第三代半導體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細分領域做出了目標規劃。在任務目標中提到2025實現在5G通信、高效能源管理中的國產化率達到50%；在新能源汽車、消費電子中實現規模應用，在通用照明市場滲透率達到80%以上。

圖：中國第三代半導體產業發展歷程

來源：前瞻產業研究院整理

目前第三代半導體材料已逐漸滲透5G、新能源汽車、綠色照明等新興領域，被認為是半導體行業的重要發展方向。未來，5G對高功率射頻的需求，手機和筆電對高效輕小快充的需求將在2020-2021年爆發，疫情對深紫外UVC的需求將在2020年短期內集中爆發。中長期來看，三類需求面對的都是GaN器件的藍海市場，具有可觀的增長空間。

中國LED企業布局第三代半導體

國家重要政策大力支持第三代半導體行業，半導體板迎來重大利好。中國LED產業鏈企業紛紛布局。

光莆股份

昨(14)日，光莆股份發布公告宣布擬出資7500萬參與投資產業投資基金，以加快公司在第三代半導體光應用領域戰略布局落地。目前，基金尚處于籌備階段。

公告顯示，光莆股份擬與廈門火炬集團創業投資有限公司(以下簡稱“火炬創投”)、廈門火炬中傳新板投資合伙企業(有限合伙)(暫定名，以下簡稱“火炬中傳”)等共同投資設立廈門火炬光莆中傳新興產業股權投資基金合伙企業(有限合伙)(暫定名，以下簡稱“產業基金”)。

產業基金為有限合伙制，總認繳規模為人民幣1.5億元，火炬創投作為普通合伙人認繳出資額為人民幣7,400萬元，火炬中傳作為普通合伙人認繳出資額為人民幣100萬元，光莆股份作為有限合伙人擬以自有資金認繳出資額為人民幣7,500萬元，其中光莆股份首期出資額為人民幣750萬元，具體出資時間在基金完成設立后以基金管理人發出的繳款通知為準。

產業基金的投資目標涵蓋第三代半導體光應用、5G、人工智能、物聯網、類醫療器械、大數據、云計算、智能制造、電子信息、光電信息等新興科技領域國家政策支持的高科技、高成長公司，并優先布局光莆股份可并購的項目。

三安光電

6月16日，三安光電發布《關于簽署<項目投資建設合同>的公告》，公司決定在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，投資總額160億元。

根據公告，三安光電在用地各項手續和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現投產，48個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產，72個月內實現達產。公司與長沙高新技術產業開發區管理委員會于2020年6月15日簽署《項目投資建設合同》。公司設立子公司的名稱、經營范圍等相關信息最終以有權機關核準為準，公司將在取得設立的子公司營業執照后，履行信息披露義務。

士蘭微電子

士蘭微電子是專業從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司主要產品包括集成電路、半導體分立器件、LED（發光二極管）產品等三大類。官方消息顯示，士蘭微電子已成為國內規模最大的集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業之一。

2003年，士蘭微電子的第一條芯片生產線投入運行之后，士蘭微的組織結構轉型為IDM的模式。

2017年12月18日，士蘭微電子與廈門半導體投資公司簽訂了總投資220億元的兩個項目；在廈門規劃建設兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片生產線和一條4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線。

2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產線暨先進化合物半導體生產線在廈門海滄動工。

據悉，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司總投資50億元，分兩期實施，建設4英寸、6英寸的化合物芯片生產線。項目一期計劃2021年達產；項目二期計劃2021年啟動，2024年達產。

2019年12月23日，士蘭化合物半導體芯片制造生產線試產。截止當時，一期項目主要設備已全部進場安裝調試完成，砷化鎵與氮化鎵芯片產品已分別于2019年10月18日、12月10日正式通線點亮。

利亞德

早在2017年初，利亞德全資子公司利亞德香港就出資350萬美元認購了賽富樂斯（SAPHLUX）公司1,501,220股AA級優先股，占賽富樂斯總股本的14%。

作為一家專注于第三代半導體的技術企業，經過從耶魯大學實驗研發到產業化的十幾年積累，賽富樂斯擁有兩項全球領先的第三代半導體技術：半極性氮化鎵材料以及NPQD（納米孔量子點）Micro LED。

利亞德目前在大尺寸自發光領域已經布局了Micro LED顯示，而在賽富樂斯上的布局，對于利亞德未來在更廣闊的消費顯示及第三代半導體應用方向上或將大有裨益。

華燦光電

2019年11月14日，華燦光電成功獲批浙江省第三代半導體材料與器件重點實驗室，為義烏市首家省級重點實驗室。標志著浙江省科技廳對華燦光電在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備以及科研實力的肯定。

2020年7月8日，華燦光電院士工作站在義烏制造基地正式掛牌。院士工作站由長期從事寬禁帶半導體材料及關鍵技術研究的中國科學院院士葉志鎮教授領銜，華燦光電研發團隊支持，將助力華燦光電在第三代半導體材料和器件領域加速提升核心技術，為國家產業發展提供有力技術支撐。

乾照光電

乾照光電作為國內紅黃光芯片最大供應商之一，在穩固LED產業競爭優勢的同時，也在積極拓展VCSEL激光、Mini LED、Micro LED、紫外UVLED、紅外探測器、砷化鎵襯底等第二代、第三代半導體產業機會。

截止目前，其VCSEL芯片產品已經實現小批量出貨，有望搶占3D感測的先機。除了高度看好VCSEL芯片，乾照光電在回復投資者提問時還表示，公司正在積極探索第三代半導體更多的應用領域。

第三代半導體方興未艾，為了走在行業發展的前沿，乾照光電還積極參與了深圳第三代半導體研究院的建設，并成為研究院產業委員會成員單位。

國星光電

此前，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用”及公司參與申報的“彩色Micro LED顯示與超高亮度微顯示技術研究”項目皆已獲批廣東省重點領域研發計劃項目，按計劃正常實施中。

同時，國星光電表示，國星半導體主要業務包括藍寶石氮化鎵基及硅基襯底為基材的LED芯片。氮化鎵基產品包含藍綠顯屏芯片，數碼用芯片，白光照明芯片，車燈用大功率倒裝芯片，UVA紫光芯片等。

據悉，國星光電美國子公司RaySent科技公司將相關硅襯底GaN外延及垂直結構LED芯片的主要技術依照約定已轉移給子公司國星半導體，由國星半導體在應用場景繼續進行上述技術的后續研發和產業化推進。Raysent已在美國申請數項專利，國星半導體目前已申請氮化鎵的專利200多篇，其中硅基氮化鎵技術專利4篇。

澳洋順昌

澳洋順昌子公司淮安光電是行業內極少數具有從襯底切磨拋、PSS、外延片到芯片的完整產業鏈的公司，公司主要產品為藍綠光LED芯片，即在藍寶石襯底上生長制造氮化鎵發光二極管，公司在LED芯片相關領域有專利技術。

聚燦光電

聚燦光電的主要產品為GaN基高亮度藍光LED芯片及外延片。2019年12月20日公司在互動平臺稱：公司堅持聚焦資源、做強LED主業的發展戰略。公司主營高光效LED外延片、芯片，并非OLED方面。所有LED芯片都屬于公司業務范圍，因此公司布局了mini LED方面的技術。

今年9月4日，聚燦光電發布關于子公司簽署《投資合同書》的公告。

據披露，該項目為聚燦光電擴產項目，主要產品包括Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片，項目總投資約350000萬元，其中固定資產投資約300000萬元（含設備投入270000萬元以上）。

項目用地位于聚燦光電現有廠區內南部及廠區西南側新增43畝工業用地，于2020年第四季度陸續投入使用。廠房建設總建筑面積約3萬平方米，聚燦光電在取得新增國有土地使用權證后36月內建成投產（包含既有老廠房改建、裝修和新建廠房）。

南大光電

南大光電的高純磷烷、砷烷研發和產業化項目已經列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。

近日，南大光電還在互動平臺表示：公司高純三甲基鎵產品可以用于生產第三代半導體材料氮化鎵。新型硅前驅體可通過化學氣相沉積或原子層沉積生成新型半導體所需要的特種含硅薄膜，可以滿足高性能計算和低功耗需求的高級邏輯和存儲器芯片制造要求，應用領域主要有電腦、手機芯片等。

原文標題：華為“斷供”，LED企業加快第三代半導體布局

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