來源：羅姆半導體社區

現在的 MOS驅動，有幾個特別的需求

1、低壓應用

當使用 5V 電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的 be 有 0.7V 左右的壓降，導致實際最終加在 gate 上的電壓只有 4.3V。這時候，我們選用標稱 gate 電壓 4.5V 的 MOS 管就存在一定的風險。

同樣的問題也發生在使用 3V 或者其他低壓電源的場合。

2、寬電壓應用

輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致 PWM電路提供給 MOS 管的驅動電壓是不穩定的。

為了讓 MOS 管在高 gate 電壓下安全，很多 MOS 管內置了穩壓管強行限制 gate 電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低 gate 電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，MOS 管工作良好，而輸入電壓降低的時候 gate 電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

3、雙電壓應用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的 5V 或者 3.3V 數字電壓，而功率部分使用 12V 甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的 MOS 管，同時高壓側的 MOS 管也同樣會面對 1 和 2 中提到的問題。

在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的 MOS 驅動 IC，似乎也沒有包含 gate 電壓限制的結構。

MOS 驅動有如下的特性：

1、用低端電壓和 PWM 驅動高端 MOS 管。

2、用小幅度的 PWM 信號驅動高 gate 電壓需求的 MOS 管。

3、gate 電壓的峰值限制

4、輸入和輸出的電流限制

5、通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。

6、PWM 信號反相。NMOS 并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。

審核編輯黃宇