日前，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國臺(tái)灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進(jìn)，目前并無采用 EUV 計(jì)劃。

目前，三星電子、SK海力士和美光科技占據(jù)全球DRAM市場約94％的份額，而三星電子和SK海力士約占74％的份額。

據(jù)ETNEWS報(bào)道，三星電子上個(gè)月開發(fā)出的EUV DRAM是基于該公司的第三代10nm級（1z）工藝構(gòu)建的16Gb LPDDR5 DRAM。該移動(dòng)DRAM的速度為6,400 Mb / sis，比當(dāng)今大多數(shù)旗艦智能手機(jī)中的12Gb LPDDR5（5,500 Mb / s）快16％。當(dāng)DRAM制成16GB封裝時(shí)，它能夠在一秒鐘內(nèi)處理51.2GB。

不過，EUV光刻機(jī)需要大量投資，因?yàn)閱蝹€(gè)EUV光刻機(jī)的成本為1.29億美元。該技術(shù)還具有很高的技術(shù)壁壘。但是，三星電子做出了一項(xiàng)大膽的決定，就是將EUV DRAM商業(yè)化。三星電子的下一個(gè)目標(biāo)是將EUV技術(shù)應(yīng)用于基于第四代10nm級（1a）工藝的DRAM，該產(chǎn)品是三星電子的下一代產(chǎn)品。
SK海力士也在致力于EUV DRAM的開發(fā)。該公司的未來技術(shù)研究所成立EUV光刻研發(fā)的工作團(tuán)隊(duì)，并且正在研究EUV光刻所需的必要技術(shù)，例如光刻、蝕刻和掩模制造。

SK海力士的目標(biāo)是將EUV工藝應(yīng)用于明年年初生產(chǎn)的1a DRAM，該公司還正在制定接下來的路線圖，包括在2022年完成1b EUV DRAM的開發(fā)。

預(yù)計(jì)SK海力士未來將在其M16晶圓廠批量生產(chǎn)EUV DRAM，該工廠被認(rèn)為是該公司的下一代DRAM生產(chǎn)基地。據(jù)悉，該公司已在其利川園區(qū)放置了兩臺(tái)EUV光刻機(jī)。一旦M16晶圓廠的建設(shè)在今年年底完成，SK Hynix將開始在M16晶圓廠建造和部署與EUV光刻相關(guān)的必要設(shè)施和設(shè)備。

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